公开(公告)号：CN107068733A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611257527.8

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417

Abstract: 公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由浓度比所述阴极区域低的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、阳极电极、形成于所述漂移区和所述阳极区域之间且由浓度比所述漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域，以及形成为将所述势垒区域连接至所述阳极电极且由金属制成的柱电极。柱电极形成为从所述阳极电极侧透过所述阳极区域且到达所述势垒区域。势垒区域和柱电极通过肖特基结相连接。

公开(公告)号：CN106463523A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580018795.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  池田知治 ,  庄司智幸 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。

公开(公告)号：CN104981896A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380072766.4

申请日：2013-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  大西徹 ,  西胁克彦 ,  斋藤顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。

公开(公告)号：CN103890955A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280035577.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山下侑佑 ,  町田悟 ,  杉山隆英 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种能够在二极管导通时降低损耗的技术。在本说明书中公开的二极管包括阴极电极、由第一导电型半导体制成的阴极区域、由低浓度的第一导电型半导体制成的漂移区、由第二导电型半导体制成的阳极区域、由金属制成的阳极电极、形成于漂移区和阳极区域之间且由浓度比漂移区的浓度更高的第一导电型半导体制成的势垒区域以及形成为将势垒区域连接至阳极电极且由浓度比势垒区域的浓度更高的第一导电型半导体制成的柱区域。柱区域和阳极通过肖特基结相连接。