公开(公告)号：CN108241249B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201711430591.6

申请日：2017-12-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬和氮且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自SiN的二次离子的强度。

公开(公告)号：CN115494692A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210690653.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  生越大河 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。

公开(公告)号：CN114326285A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210025041.0

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

公开(公告)号：CN114326284A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210025028.5

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

公开(公告)号：CN105319835B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201510458035.4

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN104635415B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40‑70nm，相对于最大200nm波长的光提供10‑40％的透射率和150‑200°相移，并且耐清洁用化学品。

公开(公告)号：CN103424984B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201310182559.6

申请日：2013-05-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  深谷创一 ,  稻月判臣 ,  中川秀夫

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co‑Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。

公开(公告)号：CN109212895A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810683268.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小泽良兼 ,  高坂卓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/80 ,  G03F1/72 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和光掩模。具体涉及一种用于ArF准分子激光的曝光光的光掩模坯料，包括：透明衬底和包含钼、硅和氮的遮光膜。将该遮光膜形成为由单一组成层或组成梯度层组成的单层或者多层，远离该衬底的一侧的遮光膜的反射率为40％以下，并且所有层的衬底侧和远离衬底的一侧的表面处的折射率中，最高折射率与最低折射率之差为0.2以下，并且在表面处的消光系数中，最高与最低消光系数之差为0.5以下。该遮光膜在掩模加工中的蚀刻工艺或缺陷修正中呈现令人满意且未劣化的掩模图案的截面形状。

公开(公告)号：CN108241249A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711430591.6

申请日：2017-12-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/62 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F1/84 ,  G03F1/00 ,  G03F1/62 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬和氮且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自SiN的二次离子的强度。

公开(公告)号：CN104460224B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。