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公开(公告)号：CN107226692B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201710172464.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/645 , H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种堇青石质烧结体、其制法及复合基板。本发明的堇青石质烧结体以堇青石为主成分，且包含氮化硅或碳化硅。该堇青石质烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于2.4ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1μm以下。
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公开(公告)号：CN107226690B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710156213.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/185 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
Abstract: 本发明涉及一种含有多铝红柱石的烧结体、其制法及复合基板。本发明的含有多铝红柱石的烧结体除了含有多铝红柱石以外，还含有从由氮化硅、氮氧化硅及硅铝氧氮陶瓷构成的组中选择的至少1种。该含有多铝红柱石的烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于4.3ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN107135560B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710073140.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/26
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN111279538A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880059332.3
申请日：2018-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 提供一种全固体锂电池，其能够显著改善电池电阻和充放电时的倍率性能，并且也能够大幅改善电池制造的成品率。一种全固体锂电池，其中，该全固体锂电池具备：低角度取向正极板，其是空隙率为 的锂复合氧化物烧结体板；负极板，其包含Ti、且能够以0.4V(相对于Li/Li+)以上进行锂离子的插入脱离；和固体电解质，其具有比取向正极板或负极板的熔点或分解温度低的熔点，在与取向正极板的板面垂直的方向的截面进行评价的情况下，取向正极板中包含的空隙的30％以上填充有固体电解质。
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公开(公告)号：CN103681793B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310410613.8
申请日：2013-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/477 , H01L21/225 , C04B35/00
CPC classification number: H01L21/6833 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/72 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2237/366 , C04B2237/60 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32477 , H01J37/3255 , H01J37/32715 , Y10T428/265
Abstract: 一种叠层结构体(10)，具备：以氮氧化铝镁为主相的第1结构体(12)，以氮化铝为主相、含有具有石榴石型晶体结构的稀土类铝复合氧化物晶界相的第2结构体(14)，存在于第1结构体(12)和第2结构体(14)之间的反应层(15)，所述反应层(15)是稀土类铝复合氧化物晶界相(18)稀薄的氮化铝层。该叠层结构体(10)的反应层(15)的厚度在150μm以下。此外，叠层结构体(10)的第1结构体(12)与第2结构体(14)的线性热膨胀系数差在0.3ppm/K以下。叠层结构体(10)在第2结构体(14)烧成时，通过晶界相(18)向第1结构体(12)一侧扩散，由该晶界相(18)变得稀薄的扩散界面(17)形成反应层(15)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107226692A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710172464.4
申请日：2017-03-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/645 , H01P7/00
CPC classification number: C04B35/195 , C04B35/62605 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3481 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/74 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种堇青石质烧结体、其制法及复合基板。本发明的堇青石质烧结体以堇青石为主成分，且包含氮化硅或碳化硅。该堇青石质烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于2.4ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1μm以下。
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公开(公告)号：CN107226690A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710156213.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/185 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
CPC classification number: C04B35/185 , B32B3/26 , B32B7/04 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2307/30 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2429/00 , B32B2457/00 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B2235/3463 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/704 , C04B35/622 , C04B37/00 , H01L23/14
Abstract: 本发明涉及一种含有多铝红柱石的烧结体、其制法及复合基板。本发明的含有多铝红柱石的烧结体除了含有多铝红柱石以外，还含有从由氮化硅、氮氧化硅及硅铝氧氮陶瓷构成的组中选择的至少1种。该含有多铝红柱石的烧结体优选40～400℃下的热膨胀系数低于4.3ppm/℃，开口气孔率为0.5％以下，平均结晶粒径为1.5μm以下。
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公开(公告)号：CN102822115B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201180015793.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/50 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/111 , C04B35/505 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9669
Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度（1500℃）进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度（最高温度）下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2%的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。
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公开(公告)号：CN102738044B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210071328.3
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件，其能降低接合时的残留应力，防止陶瓷基体发生裂纹，即使使用温度为200℃也可获得充分的接合强度，静电吸盘包括：埋设有电极(14)的陶瓷基体(12)、在设于陶瓷基体(12)的背面的凹部(16)的底面露出的电极端子(14a)、用于向电极(14)供电的供电部件(20)、连接供电部件(20)和陶瓷基体(12)的接合层(22)。接合层由AuGe系合金、AuSn系合金、或AuSi系合金形成。对于所述陶瓷基体(12)和所述供电部件(20)，从所述供电部件(20)的热膨胀系数减去所述陶瓷基体(12)的热膨胀系数后的热膨胀系数差D选择满足-2.2≤D≤6(单位：ppm/K)的。
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公开(公告)号：CN103168014B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180050730.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 一种加热装置，其包括具有加热半导体的加热面的基座（2）和接合到该基座（2）的背面的支撑部（3）。基座（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
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