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公开(公告)号：CN101878529B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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公开(公告)号：CN102511079A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201180003847.X
申请日：2011-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/0688 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种在读出电路的设计中不用设置余量、而能够以最小间隔来对存储单元阵列的位线和字线进行布线的非易失性存储装置。多个基本阵列面的每一个基本阵列面具有仅将该基本阵列面内的偶数层的位线相互连接的第1通孔群、与仅将该基本阵列面内的奇数层的位线相互连接的第2通孔群，第1基本阵列面内的第1通孔群与在Y方向上与第1基本阵列面邻接的第2基本阵列面内的第2通孔群在Y方向上相互邻接，并且，第1基本阵列面内的第2通孔群与第2基本阵列面内的第1通孔群在Y方向上相互邻接，在将第1基本阵列面的第1通孔群与第1基本阵列面的第1全局线连接时，将第2基本阵列面的第2通孔群从第2基本阵列面的第2全局线切断。
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公开(公告)号：CN102197434A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201080003079.3
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种减小电阻变化元件的低电阻状态的电阻值的偏差、进行稳定的动作的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具备对存储单元(102)施加电压、以使包含在该存储单元(102)中的电阻变化元件(100)等从高电阻状态转变为低电阻状态的LR写入电路(500)；LR写入电路(500)具有对存储单元(102)施加电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路(510)及第2驱动电路(520)；第1驱动电路(510)在对存储单元(102)施加电压时输出第1电流，第2驱动电路(520)在对存储单元(102)施加电压时，在第1驱动电路(510)的输出端子处的电压比预先确定的基准电压VREF高的情况下输出第2电流，在输出端子处的电压比基准电压VREF低的情况下为高阻抗状态。
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公开(公告)号：CN101542730B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供具有高速且可逆的稳定的改写特性、良好的电阻值的保持特性并用于信息家电等电子设备的非易失性存储元件及其制造方法，以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101836296A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将成为漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)，使得在使电阻变化层(309b)成为高电阻的极性的电压信号被施加到晶体管(317)和电阻变化元件(309)的时候，在晶体管(317)不发生基板偏置效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802921A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106382.9
申请日：2008-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，非易失性存储装置(300)具有存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个以同一极性的电脉冲在多个电阻状态之间进行过渡的电阻变化型元件。将串联电阻设定器(310)设置在存储单元阵列(70)和电脉冲施加装置(50)之间，通过控制串联电阻设定器，在使所选择的电阻变化型元件从低电阻状态变化到高电阻状态时和从高电阻状态变化到低电阻状态时的至少一方，使所述串联电流路径的电阻值在规定的范围内随时间变化而变化。
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公开(公告)号：CN101636840A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO x 的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN101636792A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008210.8
申请日：2008-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C8/08 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型存储器件。本发明的电阻变化型存储器件(10)包括：电阻变化型元件(1)，当超过第一电压时向高电阻状态变化，当超过第二电压时向低电阻状态变化；控制装置(4)；与电阻变化型元件(1)串联连接的电压限制有源元件(2)；和通过电压限制有源元件(2)与电阻变化型元件(1)串联连接的电流限制有源元件(3)，控制装置(4)，在向高电阻状态变化的情况下，对电流限制有源元件(3)进行控制使得电流和第一电阻值的积在第一电压以上，并且对电压限制有源元件(2)进行控制使得电极间电压不足第二电压，且在向低电阻状态变化的情况下，对电流有源元件(3)进行控制使得电流和第二电阻值的积的绝对值在第二电压以上且电流和第一电阻值的积的绝对值不足第一电压。
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公开(公告)号：CN103003884B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280001452.0
申请日：2012-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/14 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C2013/0054 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置，能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有：多个位线，与多个字线垂直；由存储单元构成的交叉点单元阵列（1），根据在其立体交差点配置的电信号以可逆的方式在2个以上的状态下使电阻值变化；偏移检测单元阵列（2E），构成为包括偏移检测单元，该偏移检测单元的字线共通，具有比存储单元的高电阻状态下的电阻值高的电阻值；读出电路（读出放大器（7）等），利用在交叉点单元阵列（1）的选择位线中流过的电流判别选择存储单元的电阻状态；以及电流源（6），在读出动作的期间内，对偏移检测单元阵列供给电流。
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公开(公告)号：CN103052990B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201280001342.4
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C29/50008 , G11C29/76 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供一种能够进行稳定的动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），写入电路（205）对配置在与不良存储单元相同的位线及字线上的至少某个上的不良存储单元以外的其他存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使其他存储单元的电阻变化元件（30）成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出比第1低电阻状态的电阻值大的电阻值。
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