公开(公告)号：CN103474354A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310343762.7

申请日：2009-11-27

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 秦雅彦 ,  福原升 ,  山田永 ,  高木信一 ,  杉山正和 ,  竹中充 ,  安田哲二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之 ,  大竹晃浩 ,  奈良纯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。

公开(公告)号：CN102714144A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005900.X

申请日：2011-01-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶、形成于SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶上的III族氮化物半导体结晶。作为一例，该半导体基板还还包括形成于所述硅结晶上、具有露出所述硅结晶的开口且阻碍结晶生长的阻碍体，所述SixGe1-xC(0≤x＜1)外延结晶形成于开口内部。

公开(公告)号：CN102498542A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080038691.4

申请日：2010-09-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 山田永 ,  秦雅彦 ,  横山正史 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二 ,  高木秀树 ,  卜部友二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。

公开(公告)号：CN102484077A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038652.4

申请日：2010-09-06

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  山田永 ,  福原升 ,  高木信一 ,  竹中充 ,  横山正史 ,  安田哲二 ,  卜部友二 ,  宫田典幸 ,  板谷太郎 ,  石井裕之

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/26553 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66522

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。

公开(公告)号：CN102449785A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023898.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/737 ,  H01L29/866 ,  H01L33/12 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02524 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01S5/021

Abstract: 提供一种光器件，具备：基底基板，包含硅；多个种晶，设置在基底基板上；以及多个3-5族化合物半导体，与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体，该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体，在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。

公开(公告)号：CN102449775A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023680.9

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友化学株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秦雅彦 ,  板谷太郎

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0522 ,  H01L27/142 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。

公开(公告)号：CN101611479B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。

公开(公告)号：CN102227802A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147545.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括要被热处理的被热处理部的底板基板进行热处理来制造半导体基板的方法，包括：在底板基板上设置吸收电磁波而产生热、且对被热处理部选择性地加热的被加热部的步骤；对基板照射电磁波的步骤，和通过由于被加热部吸收电磁波而产生的热，降低被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。

公开(公告)号：CN102227801A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147259.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其包括：底板基板；设置在底板基板上的晶种；设置于晶种上方的化合物半导体；和设置于晶种和化合物半导体之间、具有比晶种大的电阻率的高电阻层，晶种和化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。

公开(公告)号：CN102171790A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138926.4

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8252 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供依序具有半导底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板。其是在Si结晶层上设有阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层，而阻挡层具有贯通到Si结晶层为止的开口，在开口内部具有种晶，而化合物半导体是与种晶晶格匹配或准晶格匹配的半导体基板。本发明还提供电子器件，具有基体、设置在基体上的绝缘层、设置在绝缘层上的Si结晶层、设置在Si结晶层上的阻挡层，用于阻挡化合物半导体的结晶生长；且具有贯通Si结晶层为止的开口的阻挡层、设置在开口内部的种晶、晶格匹配或准晶格匹配于种晶的化合物半导体以及化合物半导体形成的半导体器件。