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公开(公告)号：CN102321212B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110141664.6
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F220/30 , C08F212/14 , C08F222/18 , G03F7/039 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , C08F2220/283 , C08F232/08 , C08F2220/382
Abstract: 将一种包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物用于配制化学放大正性抗蚀剂组合物。当该组合物通过平版印刷处理形成正性图案时，酸在抗蚀剂膜中的扩散均匀并且缓慢，以及该图案的LER得到改善。
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公开(公告)号：CN104460224A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410499396.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/033
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/50
Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
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公开(公告)号：CN102221780B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110105553.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/038
Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101900939B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010194426.7
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382
Abstract: 本发明提供一种负型光阻组合物，其至少包含：(A)碱可溶性且可通过酸的作用而成为碱不溶性的基质高分子、及/或碱可溶性且可通过酸的作用与交联剂进行反应而成为碱不溶性的基质高分子与交联剂的组合；(B)酸产生剂；(C)作为碱性成份的含氮化合物，其中，作为该基质高分子，是将含有两种以上通式(1)所代表的单体、或一种以上通式(1)所代表的单体及一种以上通式(2)所代表的苯乙烯单体的混合物聚合所获得的高分子，或是将该高分子所具有的官能团更进一步加以化学转化所获得的高分子，且相对于构成前述所获得的高分子的全部重复单元，源于通式(1)所代表的单体的重复单元合计为50摩尔％以上。
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公开(公告)号：CN101893824B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010178168.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/30 , G03F7/322
Abstract: 本发明的目的是提供一种负型光阻组合物、使用其的图案形成方法、其检查方法及调制方法，该负型光阻组合物至少含有：(A)碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础树脂及/或碱可溶性且可由于酸的作用与交联剂反应而变为碱不溶性的基础树脂与交联剂的组合、(B)产酸剂、(C)含有氮作为碱性成分的化合物，其形成为了形成光阻图案而实施曝光处理、显影处理且具有50nm～100nm厚的X nm的光阻膜，其特征在于：该负型光阻组合物在形成图案时的成膜条件下形成光阻膜的情况，对于在形成图案时的显影处理中所使用的碱性显影液的溶解速度，成为0.0333X-1.0nm/sec以上0.0667X-1.6nm/sec以下的值。
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公开(公告)号：CN101762981B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910262157.0
申请日：2009-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有酚性羟基被叔烷基所保护的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法。
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公开(公告)号：CN101625523B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910140186.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392
Abstract: 本发明是提供一种光阻图案的形成方法，其特征在于：在具有被酸分解性基保护的羟基的苯乙烯单元、与茚单元或苊烯单元的聚合物中，使用重量平均分子量为4000至7000、特别是4500至5500的聚合物作为化学增幅型光阻组合物的基质聚合物而成的光阻组合物，来形成至少线宽为65纳米以下的图案。目前线边缘粗糙度是被要求解决的课题之一，但是通过酸产生剂或碱性化合物来解决时，在与解像性之间会产生对立。依照本发明，能够提供一种光阻图案的形成方法，其是关于将具有高解像性的被酸不稳定基保护的羟基苯乙烯等作为基质聚合物的光阻组合物，能够抑制线边缘粗糙度，来提供65纳米以下的图案规则(pattern rule)光阻图案。
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公开(公告)号：CN102591152A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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