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公开(公告)号：CN107430328A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013518.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si-Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。
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公开(公告)号：CN102453862B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201110322364.8
申请日：2011-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/564 , G03F1/54
Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。
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公开(公告)号：CN106406022A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597860.7
申请日：2016-07-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。
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公开(公告)号：CN106019810A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610195663.2
申请日：2016-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30-70at％的Si含量、30-60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。
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公开(公告)号：CN104280998A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410314410.3
申请日：2014-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料，提高构成光掩模坯料的光学膜的特性的面内均一性。在腔室(50)内将在主面形成有光学膜(20)的石英基板(10)载置于基座(30)上。在灯罩(90)内收纳有闪光灯(60)，闪光通过2个石英板(70a、70b)而向光学膜(20)照射。在2个石英板(70a、70b)中的石英板(70b)的表面形成有透射率调整区域(80)，向光学膜(20)照射的光量在面内具有分布。如果对光学膜(20)照射闪光，则该光学膜(20)的光学特性依赖于接受到的照射能量而变化，因此，例如在成膜后的光学膜的特性在面内具有不均一分布的情况下，如果向光学膜照射具有消除这些的照射能量分布的闪光，则可以提高光学膜的特性的面内均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101968605B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201010270048.6
申请日：2010-05-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/14 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138
Abstract: 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。
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公开(公告)号：CN103135362A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210599017.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。
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公开(公告)号：CN101261440B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200710146403.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN102534502A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110455404.6
申请日：2011-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
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公开(公告)号：CN101140416B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710167651.X
申请日：2007-04-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/58 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，光掩模坯具有一层光屏蔽膜和一层或多层铬基材料膜，光屏蔽膜由一个单独的层或多个层构成，一个单独的层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成，多个层中包括至少一层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成。高的过渡金属含量确保了电导率，防止了在光掩模制造工艺中的充电，并且还提供了在光掩模制造中清洗时的足够的化学稳定性。对于存在氯和氧的情况下的铬基材料膜的干法刻蚀，光屏蔽膜具有良好的阻抗，从而确保了高加工精度。
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