公开(公告)号：CN101861649A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116054.7

申请日：2008-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  三河巧 ,  宫永良子 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。

公开(公告)号：CN101622673A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006041.4

申请日：2008-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 魏志强 ,  岛川一彦 ,  高木刚 ,  加藤佳一

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021

Abstract: 本发明提供非易失性存储装置及向非易失性存储装置的数据写入方法。该非易失性存储装置包括：存储阵列(102)，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线(WL)；在平行于第一平面的第二平面内相互平行且与多个第一电极配线立体交叉的多个第二电极配线(BL)；分别对应于第一电极配线及第二电极配线的各个立体交叉点设置，具有电阻值可随着供给到对应的第一电极配线与对应的第二电极配线间的电流脉冲而可逆变化的可变电阻层的非易失性存储元件(11)；选择第一电极配线的选择装置(13)；存储阵列内部或外部的，连接到第一电极配线上进一步将施加到第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构(15)。连接第一选择装置和电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个非易失性存储元件。

公开(公告)号：CN101542730A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000421.7

申请日：2008-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  片山幸治 ,  藤井觉 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  宫永良子 ,  高木刚 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。

公开(公告)号：CN101395716A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007376.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  高木刚 ,  三河巧 ,  魏志强

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。

公开(公告)号：CN1906771A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001762.2

申请日：2005-09-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78642 ,  Y10S977/938

Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。

公开(公告)号：CN1762047A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200480007417.5

申请日：2004-03-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩永顺子 ,  高木刚 ,  神泽好彦 ,  空田晴之 ,  齐藤彻 ,  川岛孝启

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体装置，其具有：形成有沟槽的半导体基板、埋设在沟槽内且由含有相同的导电型杂质的半导体所形成的源极区域以及漏极区域、埋设在沟槽内且设置在上述源极区域与上述漏极区域之间的半导体FIN、从半导体FIN的侧面连续设置到其上面的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅电极、以及设置在沟槽内且包围源极区域与漏极区域的第1绝缘膜。

公开(公告)号：CN1205674C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01123693.0

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  幸康一郎 ,  高木刚 ,  大西照人 ,  久保实

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/739 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378

Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部，C含有率不到0.8%。因此，在发射极、基极结合部的耗尽层中，可以抑制由C引起的再结合中心的形成，维持低驱动电压性，通过降低再结合电流，实现对电流放大倍率等电特性的改善。

公开(公告)号：CN1533609A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02808393.8

申请日：2002-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  高木刚 ,  原义博 ,  久保实

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/783 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe－HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1－xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n－－Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1－xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。

公开(公告)号：CN1158692C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99801585.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  久保实 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、Δ的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时，通过现场椭圆偏振光谱测量，来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2，从而向各phase适当地提供和停供气体。

公开(公告)号：CN1226750A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99100820.0

申请日：1999-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  服藤宪司

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7376

Abstract: 在异质结双极型晶体管的Si发射极层5内的发射结附近区域中设有由组成不同的超薄膜势阱层10a和势垒层10b交互层叠而形成的为多重量子势垒部的MQB层10。借助MQB层10对要从SiGe基极层4流向Si发射极层5的空穴进行反射之作用,实效上提高势垒高度来抑制空穴的反向注入。结果,即使增加基区掺杂浓度,靠MQB层10仍能抑制载流子反向注入,能得到足够的电流放大率,并能提高最大振荡频率。