公开(公告)号：CN102255143B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110105049.X

申请日：2006-06-30

Applicant: L.皮尔·德罗什蒙

Inventor： L.皮尔·德罗什蒙

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q9/0414 ,  B82Y30/00 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/781 ,  H01C7/003 ,  H01C17/003 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q15/0086 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/092 ,  H05K1/16 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K1/167 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0338 ,  H05K2203/121 ,  Y10T428/12493

Abstract: 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264)，其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。一种制造电子元件的方法，提供以下步骤：在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触，包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积，以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。

公开(公告)号：CN102384405A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110253637.8

申请日：2011-08-26

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 田沼裕辉 ,  堀尾友春 ,  三轮忠稔 ,  田尻浩之 ,  山出琢巳

IPC: F21S8/00 ,  F21V19/00 ,  F21V7/22 ,  H01L25/03 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  G02F1/13357 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H05K1/0306 ,  G02B6/0031 ,  G02B6/0068 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0083 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置背光源用的LED光源装置(A1)，包括：多个LED芯片(2)；基板(1)；和覆盖基板(1)的主面(11)的金属膜(3)，多个LED芯片(2)安装于金属膜(3)。由此，能够实现LED光源装置(A1)的亮度提高。

公开(公告)号：CN102255143A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110105049.X

申请日：2006-06-30

Applicant: L.皮尔·德罗什蒙

Inventor： L.皮尔·德罗什蒙

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q9/0414 ,  B82Y30/00 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/781 ,  H01C7/003 ,  H01C17/003 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q15/0086 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/092 ,  H05K1/16 ,  H05K1/162 ,  H05K1/165 ,  H05K1/167 ,  H05K3/207 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0338 ,  H05K2203/121 ,  Y10T428/12493

Abstract: 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264)，其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。一种制造电子元件的方法，提供以下步骤：在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触，包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积，以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。

公开(公告)号：CN101599446B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910142735.7

申请日：2009-06-02

Applicant: 太阳诱电株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 上田知史 ,  宓晓宇 ,  高桥岳雄

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01F37/00

CPC classification number: H05K3/281 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/112 ,  H05K1/162 ,  H05K3/246 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2203/0278 ,  H05K2203/063 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法。其目的在于提高使用了多层陶瓷基板的电子部件的制造成品率。该电子部件的制造方法的特征在于，该制造方法具有以下步骤：在层叠的生片(30a～30c)的下表面印刷与内部配线(22)电连接的导体图案(24)的步骤；在最下层的生片(30c)的下表面重叠在与导体图案(24)对应的区域形成有开口部(32)的开口生片(30d)的步骤；在层叠方向上对重叠有开口生片(30d)的层叠生片(30)进行加压的步骤；通过将层叠生片(30)和导体图案(24)一起焙烧来形成多层陶瓷基板(40)的步骤；以及在多层陶瓷基板(40)的上表面设置与内部配线(22)电连接的电子元件的步骤。

公开(公告)号：CN1961391B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200580017468.0

申请日：2005-06-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 闵研基 ,  坚吉兹·A·帕兰独兹

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0355

Abstract: 一种方法，包括形成电容器结构，该电容器结构包括电极材料、和电极材料上的陶瓷材料、以及在陶瓷材料的点缺陷态界定陶瓷材料是绝缘的、且不会氧化电极材料的条件下烧结陶瓷材料。一种方法，包括在导电箔片上沉积陶瓷材料、和在使点缺陷转换到对应更高电导率的陶瓷材料水平的活动性最小化的温度下，在还原气氛中烧结陶瓷材料。一种装置，包括第一电极、第二电极、和设置在第一电极和第二电极之间的陶瓷材料，其中陶瓷材料包括小于一微米的厚度、和与活动点缺陷的浓度最优化的热力学状态相对应的漏电流。

公开(公告)号：CN101543151B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880000266.9

申请日：2008-03-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉本安隆

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/111 ,  C03C14/004 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/285 ,  H05K3/4614 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/099 ,  Y02P70/611 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: 具有由内层部和位于在层叠方向上夹住内层部的位置的表层部构成的叠层结构、表层部的热膨胀系数小于内层部的热膨胀系数、藉此提高抗弯强度的多层陶瓷基板中，由含有MO—SiO2—Al2O3—B2O3系玻璃(MO是CaO、MgO、SrO及/或BaO)和氧化铝粉末的玻璃陶瓷材料构成表层部、在该表层部上设置由Ag系材料构成的通孔导体时，存在Ag向表层部扩散、通孔导体的周围产生空隙的问题。本发明的多层陶瓷基板的结构是：以使位于内层部(2)的主面上的主面导体膜(6)的中央部暴露、并且覆盖主面导体膜(6)的周围的形态形成表层部(3)，使主面导体膜(6)作为通孔导体发挥功能，无需在表层部(3)上形成通孔导体。

公开(公告)号：CN1819161B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610004666.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 鸟羽进 ,  両角朗 ,  降幡一生

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/52

CPC classification number: H05K3/0061 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/142 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2203/0545 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，其中创建用于防止焊料流动的挡料是很简单的，且其可靠性很高。通过由在预定图案中涂覆而设置在金属基底上的挡料的手段，可限制在将多个电路板接合到金属基底中所用的焊料的流动。

公开(公告)号：CN101209929A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710307201.6

申请日：2007-12-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 宫内泰治 ,  铃木利幸 ,  平川昌治 ,  中村知子 ,  宫越俊伸 ,  畑中洁

IPC: C04B37/04

CPC classification number: H05K3/38 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/017 ,  H05K2203/1163 ,  H05K2203/308 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在初始状态以及经过一段时间后(例如PCT后)可充分地确保表面导体的粘合强度，且可靠性高的多层陶瓷基板。其是在层叠有多层陶瓷基板层的层叠体的至少一侧的表面上具有表面导体的多层陶瓷基板。由陶瓷基板层中的陶瓷成分和表面导体中的玻璃成分发生反应而形成的反应相，在陶瓷基板层和表面导体的界面上析出。例如陶瓷基板层中的氧化铝充填物和表面导体中的Zn发生反应后，ZnAl2O4作为反应相而形成。

公开(公告)号：CN1073385A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：CN92109715.8

申请日：1992-08-21

Applicant: E·I·内穆尔杜邦公司

Inventor： V·P·修泰

IPC: B23K1/20

CPC classification number: H05K3/248 ,  H01L21/4867 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  H05K3/28 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/035 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制作厚膜/焊料接缝的方法，它包括以下相继的步骤：(1)在非导电性基片上涂施第一层厚膜导体糊料，布成具有预先选定的焊料衬垫区的图形，然后焙烧该糊料层；(2)只在焊料衬垫区内的第一厚膜层上涂覆以第二层低玻璃料含量的厚膜导体糊料，并焙烧该糊料层；(3)在焙烧过的第二层厚膜上，涂覆以一层软焊料，以形成焊料接缝。

公开(公告)号：CN1065876A

公开(公告)日：1992-11-04

申请号：CN92102545.9

申请日：1992-04-16

Applicant: 杜邦德纳莫工业企业公司

Inventor： 雅各布·霍曼德雷

IPC: C09K3/10 ,  H01L23/29

CPC classification number: C03C8/245 ,  C03C8/24 ,  C03C10/0054 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/017

Abstract: 一种可结晶玻璃组合物含有ZnO、PbO、B2O3、SiO2、SnO2、Al2O3和/或Cr2O3做为任选组分。