公开(公告)号：CN102893478B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201280000448.2

申请日：2012-04-25

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  飞兆半导体公司

Inventor： 崔恒硕

IPC: H02M3/335

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M1/32

Abstract: 一种共振转换器系统包含：第一级，其具有经配置以从DC输入信号产生AC信号的逆变器电路及共振槽电路；变压器，其经配置以对所述AC信号进行变压；及第二级。所述第二级以同步整流器SR电路为特征，所述同步整流器SR电路包含各自具有一体二极管的多个SR开关及SR控制电路。SR控制电路经配置以产生门控制信号以控制所述SR开关的导通状态，以便使体二极管导通时间最小化且减小或消除跨越所述SR开关的负电流。方法包含控制SR开关的所述导通状态以在与所述开关相关联的所述体二极管开始导通时导通并控制所述SR开关以在穿过所述开关的电流接近零交叉时关断。

公开(公告)号：CN103795227B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310525889.0

申请日：2013-10-30

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  飞兆半导体公司

Inventor： 詹姆斯·E·伊尔贝里

IPC: H02M1/08

CPC classification number: F02D41/20 ,  F02D2041/2051 ,  F02D2041/2062 ,  F02D2041/2075 ,  F02P1/08 ,  F02P15/02 ,  H02M2001/0006 ,  Y10T307/826

Abstract: 本发明公开了具有控制信号驱动供电电压的电力开关系统。该电力开关系统具有由得自输入控制信号的供电电压供电的开关控制电路。系统可以包括电力开关，该电力开关被配置为在电池电压和接地之间电气耦接装置，当电力开关闭合时该装置由电池供电；耦接到电力开关的栅极端口的控制电路，该控制电路被配置为通过响应于向控制电路提供的开关控制信号调整向栅极端口提供的栅极驱动信号，打开和闭合电力开关；以及被配置为基于开关控制信号生成供电电压的电压调节电路，以使该供电电压向控制电路供电。

公开(公告)号：CN102892061B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201210256958.8

申请日：2012-07-23

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 塞思·M·普伦蒂斯 ,  肖恩·巴登

IPC: H04R3/02 ,  H04R1/08

CPC classification number: H04R29/004 ,  G01R27/02 ,  G01R29/26 ,  H01R24/58 ,  H01R2107/00 ,  H04R1/02 ,  H04R2420/01 ,  H04R2420/03 ,  H04R2420/05 ,  Y10T307/766

Abstract: 本申请案涉及一种用于MIC音频噪声滤波的电路及方法。本文件尤其论述一种经配置以使用第一及第二比较器检测四极音频插孔的极处的MIC音频噪声的MIC音频噪声滤波系统。MIC音频噪声检测系统可包含：第一及第二比较器，其经配置以将所述极的值与相应的第一及第二阈值进行比较且提供指示所述比较的输出；及检测电路，其经配置以在第一时间周期内对所述输出的改变进行计数且使用所述计数检测所述四极音频插孔的所述极处的MIC音频噪声。

公开(公告)号：CN102790519B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210090728.9

申请日：2012-03-30

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 赵斌 ,  杰克·W·科尼什 ,  维克托·K·李 ,  布莱恩·B·霍恩

IPC: H02M1/36

CPC classification number: H02M1/36 ,  H02M3/00

Abstract: 本申请案揭示滞后电力转换器中的软启动设备及方法。在一个一般方面中，一种电力供应电路可包括经配置以耦合到电源且经配置以将输出电压递送到负载电路的电力级，且可包括耦合到所述电力级且经配置以接收参考电压的比较器。所述电力供应电路还可包括滞后控制电路，所述滞后控制电路经配置以接收反馈电压或参考电压中的至少一者且经配置以在所述电力供应电路的软启动期间响应于所述反馈电压或所述参考电压中的所述至少一者而改变所述比较器的滞后。

公开(公告)号：CN102739042B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201210087634.6

申请日：2012-03-29

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  飞兆半导体公司

Inventor： 尼科尔·加涅 ,  格雷戈里·马赫

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02H9/046

Abstract: 本申请案涉及一种自持式耐高压电力供应。本发明提供一种电力供应系统，其提供电压箝位能力以提供对电路元件及电路系统的过电压保护。所述电力供应包含产生与输入电源无关的经调整电力供应的隔离机制。可利用电压叠加/倍增技术从所述经调整电力供应产生参考电压，所述参考电压能够设定经箝位电力供应上的最大电压。所述电力供应系统可在没有来自与集成电路相关联的其它电路/系统的输入的情况下操作。

公开(公告)号：CN102623500B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210020055.X

申请日：2012-01-20

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  瑞图·索迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及具有降低的导通电阻的沟槽型功率MOSFET，具体来说，本发明提供了一种半导体器件，包括：漂移区；阱区，在漂移区上方延伸；有源沟槽，包括侧壁和底部，该有源沟槽延伸穿过阱区并进入漂移区，并且其侧壁和底部的至少部分内衬有电介质材料。器件进一步包括设置于有源沟槽内并通过电介质材料与有源沟槽的侧壁分离的屏蔽；栅极，设置于有源沟槽内第一屏蔽的上方并通过电极间电介质材料与第一屏蔽分离；以及源极区，形成于与有源沟槽相邻的阱区内。栅极通过电介质材料与有源沟槽的侧壁分离。屏蔽和栅极由具有不同功函数的材料制成。

公开(公告)号：CN103077971B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210414442.1

申请日：2012-10-25

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 郝际发 ,  加里·多尔尼 ,  马克·里乌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端。在一个通常的方面，装置可以包括形成在基板的外延层内的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件以及布置在多个沟槽MOSFET器件周围并且布置在外延层内的栅流道沟槽。该装置还可以包括通过阱植入部的限定并且布置在栅流道沟槽周围的漂浮场植入部。

公开(公告)号：CN105047634A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510015097.8

申请日：2015-01-12

Applicant: 飞兆半导体公司 ,  快捷半导体(苏州)有限公司

Inventor： 约翰·康斯坦丁诺 ,  蒂姆瓦·卢克 ,  艾哈迈德·阿什拉夫扎德 ,  罗伯特·L·克劳泽 ,  埃坦·莎萨穆 ,  玛丽亚·克莱门斯·伊皮尔·基诺内斯 ,  雅努什·布雷泽克 ,  吴钟林

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/538 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/66 ,  H01L27/06 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体部件之间的隔离。在一些一般方面，一种装置可包括设置为邻近第一引线框部分的第一半导体管芯、设置为邻近第二引线框部分的第二半导体管芯，以及耦接到所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的电容性隔离电路。所述电容性隔离电路可设置在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯外部。所述第一半导体管芯、所述第二半导体管芯和所述电容性电路可包括在半导体封装的模制物中。

公开(公告)号：CN102157474B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110005659.2

申请日：2011-01-06

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 丹·金策 ,  刘永 ,  斯蒂芬·马丁

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本文献尤其是论述一种包含制造于半导体衬底中的第一和第二离散组件的IC封装。所述第一和第二离散组件可在所述半导体衬底中彼此邻近，且集成电路裸片可安装于所述半导体衬底上并耦合到所述第一和第二离散组件。

公开(公告)号：CN103200732B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310009503.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 飞兆半导体公司

Inventor： 布鲁斯·阿姆斯特朗 ,  亚历山大·H·克雷格

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H02H3/20 ,  H02H3/08

Abstract: 此文献尤其揭示用于具有软启动过流保护的调光器控制的设备和方法。在一设备实例中，一种电路可包含：输入，其经配置以接收控制信号；控制器，其经配置以在所述控制器被启用时使用所述控制信号来调制脉冲串的脉冲宽度；输出，其经配置以将所述脉冲串提供给驱动器；以及第一和第二电流限制检测器，其经配置以接收所述驱动器的负载电流信息且在所述负载电流信息的值超过阈值时终止所述控制器的有效脉冲。