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公开(公告)号：CN117031627A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311072580.0
申请日：2023-08-23
Applicant: 国科光芯(海宁)科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种波导的制备方法，包括：提供第一半导体衬底层；在所述第一半导体衬底层的一侧表面依次形成第一包覆层和初始芯层；在所述初始芯层背离所述第一半导体衬底层的一侧表面形成具有锥形槽的键合层；沿所述锥形槽刻蚀所述键合层和所述初始芯层直至形成3D锥形结构的芯层。所述波导的制备方法工艺简单且芯层的材料可选的范围广。
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公开(公告)号：CN116990906A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766642.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN114265147B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202210084606.2
申请日：2022-01-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种光通信波段宽带宽高效率水平端面耦合器及其制作方法，包括：硅衬底层，二氧化硅包覆层和全刻蚀的倒锥型硅纳米线波导；在所述全刻蚀的倒锥型硅纳米线波导上方的二氧化硅包覆层中，有三层数量、尺寸以及结构完全相同的氮化硅波导阵列。能在光通信波段实现普通单模光纤与硅集成光子芯片的高效率、大带宽，且非偏振相关的有效耦合，且具对准容差较大、器件结构参数选取灵活、易于加工等明显优点，有助于推动硅集成光芯片的封装以及进一步在光通信、光互连方面的应用研究。
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公开(公告)号：CN113341501B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010830200.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，所述集成芯片包括上覆在光栅耦合器结构上的保护环结构。波导结构设置在半导体衬底内且包括光栅耦合器结构。内连结构上覆在半导体衬底上。所述内连结构包括接触件刻蚀停止层(CESL)及位于半导体衬底之上的导电接触件。所述导电接触件延伸穿过接触件刻蚀停止层。所述保护环结构延伸穿过接触件刻蚀停止层且具有与导电接触件的上表面对齐的上表面。
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公开(公告)号：CN113176630B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202110438985.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 无盖灯光电公司
Abstract: 本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如，硅‑氮化硅模式转换器)中，其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造：例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导，跟随有平滑结晶湿式蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116500722A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN116299856B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310566605.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13 , G02B6/136 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
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公开(公告)号：CN116482929A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310391158.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 上海鲲游科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种掩模结构，掩模结构包括：沿第一方向排列的若干掩模单元；掩模单元沿第一方向的宽度适配于光栅结构的光栅周期；掩模单元包括：第一图形化区域，用于制备光栅单元的凸起部分；第一图形化区域沿第一方向的宽度适配于对应的光栅单元的凸起部分沿第一方向的宽度；第二图形化区域，用于制备光栅单元的凹槽部分；第二图形化区域沿第一方向的宽度适配于对应的光栅单元的凹槽部分沿第一方向的宽度；其中，第二图形化区域具体包括：若干图形化子单元，图形化子单元包括遮光区域与透光区域；凹槽部分的凹槽深度与透光区域沿第一方向的宽度相关。本发明提供的掩膜结构可以用于制备深度调制的光栅结构、降低了工艺复杂度及工艺难度。
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公开(公告)号：CN116165852B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310458670.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应光纤曝光系统及光纤‑平面芯片纵向异构集成方法，属于半导体器件制备的技术领域，该系统包括光源、三维微动平台、旋转式光纤夹具、光纤适配器和载物台；三维微动平台包括Y轴移动平台、X轴移动平台和旋转平台。本发明在解决了光纤与平面芯片高精度（微米级）耦合的同时，开发了自适应光纤光刻工艺及热调控过盈配合侧面键合工艺，显著提高了光纤与芯片的刚性耦合强度，规避了常用有机胶固定连接结构所带来的温度限制、化学和蠕变稳定性以及刚性匹配等问题。该方法对于光纤端面无要求，平面、凸面、斜面均可实现需求图形的定量刻蚀以实现光纤与平面芯片异构集成。
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公开(公告)号：CN111244227B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010062554.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/105 , G02B6/136
Abstract: 本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第一限制层、有源层和第二限制层进行刻蚀，形成光电器件的台面；在InP层上外延生长形成探测器PIN结构；对探测器PIN结构进行刻蚀，形成探测器的台面；对光电器件的台面进行H离子注入，并进行P型隔离；对InP层进行刻蚀以隔离光电器件和探测器，并将硅波导与空气接触；在InP层、光电器件和探测器的表面沉积电极。如此，可以降低硅基光子集成的难度，可以缩小光子芯片的尺寸。
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