公开(公告)号：CN102912320A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210313844.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 安井宽治 ,  西山洋 ,  井上泰宣 ,  三浦仁嗣

IPC: C23C16/452 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C01G9/03

CPC classification number: C23C16/303 ,  C01G9/02 ,  C01G9/03 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/345 ,  C23C16/407 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开的堆积装置具备：催化反应装置，含有：导入第1原料气体的导入部，和收容从所述导入部所导入的所述第1原料气体生成反应性气体的催化剂的、催化剂容器，和从所述催化剂容器喷出所述反应性气体的反应性气体喷出部；反应性气体分离器，容许从所述反应性气体喷出部喷出的所述反应性气体的流通；支持基板的基板支持部；和供给第2原料气体的供给部，所述第2原料气体与穿过所述反应性气体分离器的所述反应性气体反应，使膜堆积于所述基板。

公开(公告)号：CN105027670A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201380073951.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  三浦仁嗣

IPC: H05B6/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H05B6/64 ,  H05B6/72

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H05B6/70 ,  H05B6/701 ,  H05B6/708 ,  H05B6/72 ,  H05B6/78 ,  H05B6/80

Abstract: 本发明提供一种能够使用微波对被处理体实施均匀的热处理的加热处理装置。加热处理装置(10)具有内部被导入有效波长为λg的微波的4个处理室(11)，4个处理室(11)相互平行地配置，并且4个处理室(11)中的每一个具有与基板(G)相对的开口部(15)，在长度方向上从一端内壁至另一端内壁的长度为m×λg/2，其中，m是正整数，向处理室(11)的内部激发微波的天线(14)在处理室(11)的长度方向上从端部的内壁偏移λg/4+p×λg/2地配置，其中，p为包含0的正整数，当从与各处理室(11)的长度方向垂直的方向以各处理室(11)重叠的方式观察各处理室(11)时，各处理室(11)在长度方向上错开λg/8地配置。

公开(公告)号：CN112771647B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN112771647A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN101932751A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200880125817.4

申请日：2008-11-21

Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 安井宽治 ,  西山洋 ,  井上泰宣 ,  三浦仁嗣

IPC: C23C16/452 ,  C01G9/03 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C01G9/02 ,  C01G9/03 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/345 ,  C23C16/407 ,  C23C16/452 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开的堆积装置具备：催化反应装置，含有：导入第1原料气体的导入部，和收容从所述导入部所导入的所述第1原料气体生成反应性气体的催化剂的、催化剂容器，和从所述催化剂容器喷出所述反应性气体的反应性气体喷出部；反应性气体分离器，容许从所述反应性气体喷出部喷出的所述反应性气体的流通；支持基板的基板支持部；和供给第2原料气体的供给部，所述第2原料气体与穿过所述反应性气体分离器的所述反应性气体反应，使膜堆积于所述基板。