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公开(公告)号：CN113224175A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110619706.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种二极管芯片结构及制备方法，该二极管包括N+衬底以及在其顶部依次层叠生长的N缓冲层和N‑外延区；所述N‑外延区的顶部外端镶嵌P+ring区，N‑外延区顶部内的中心区域为P base区，P base区周期性镶嵌有源P+区，P base区顶部制作金属化阳极，P+ring区顶部制作氧化硅，氧化硅顶部钝化硼磷硅玻璃，硼磷硅玻璃被氮化硅覆盖，N+衬底背面为金属化阴极。本发明利用N‑外延区底部的N缓冲层能缓冲空间电荷区扩展，减缓载流子反向抽取速度，使恢复特性得到软化。通过P base区周期性镶嵌有源P+区，能显著降低阳极注入效率，减少反向存储电荷和降低反向恢复时间，结终端为浮空场限环结构，使二极管的耐压能力增强，并降低器件反向漏电流。
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公开(公告)号：CN116666374A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310793564.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
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公开(公告)号：CN113270312A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110523983.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/205 , C11D7/08 , C11D7/06 , C11D7/60 , C11D3/39
Abstract: 本发明公开了一种改善CVD表面缺陷的方法，包括以下步骤：把陪片与硅片进行清洗后，将两者的背面贴上白膜并放入CVD反应炉中进行化学气相沉淀过程，此过程分为两个阶段，第一阶段是使硅烷和一氧化二氮充满整个工艺腔，开始沉积为硅片做衬底；第二阶段是通入硅烷进行沉积，完成化学气相沉淀过程将两者取出，最后去除两者背面的白膜。所述白膜为耐高温的高分子塑料白膜，其光滑的高分子化合物使得硅片表面粗糙度进一步降低，并且白膜的粘性不会对硅片背面的氧化层造成影响，从而在化学气相沉淀过程中有效的抵挡住各种杂质，显著的减少CVD多晶硅中的雾状区域和颗粒数量。
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公开(公告)号：CN113644054B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110803430.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/552 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供的一种抗辐射晶体管，包括集电区,集电区上生成有基区；基区上生成有发射区A，所述集电区的底部加工有合金层,所述基区上还加工有若干保护环，所述发射区A和保护环上设置有金属层，基区和保护环的上端通过封层封闭。本发明通过控制基区，发射区A和集电区的杂质浓度，使得该晶体管收到辐射时，性能影响较小，当晶体管收到辐射时，由于各个区域的掺杂浓度互相有梯度，辐射给予的能量占比会越低，使得IC和IB的变化率在一定范围内，因此使得放大系数没有太大改变，保证了卫星的正常运作。
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公开(公告)号：CN113644054A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110803430.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/552 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供的一种抗辐射晶体管，包括集电区,集电区上生成有基区；基区上生成有发射区A，所述集电区的底部加工有合金层,所述基区上还加工有若干保护环，所述发射区A和保护环上设置有金属层，基区和保护环的上端通过封层封闭。本发明通过控制基区，发射区和集电区区的杂质浓度，使得该晶体管收到辐射时，性能影响较小，当晶体管收到辐射时，由于各个区域的掺杂浓度互相有梯度，辐射给予的能量占比会越低，使得IC和IB的变化率在一定范围内，因此使得放大系数没有太大改变，保证了卫星的正常运作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206157A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110483931.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/336 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种体内击穿玻钝二极管及制造方法，该玻钝二极管包括管芯、电极引线，电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；管芯的正面中部为P+突变结，围绕P+突变结设有一圈P区缓变结，P+突变结的端面设有铝片，管芯的背面为N+区扩散。本发明在管芯P面的中心位置装上铝片，在装电极引线、管芯烧焊时，P面与铝片又合金形成P+突变结，P面周围的区域仍然是P区缓变结；N型硅片衬底的背面形成N+区，与电极引线形成良好的欧姆接触；在相同衬底N区电阻率下，P区的反向击穿电压高于P+的的反向击穿电压；从而实现了体内击穿，大大提高了二极管的成品率及使用可靠性。
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公开(公告)号：CN218730890U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202221010772.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/861
Abstract: 本实用新型提供了一种二极管芯片封装结构，包括管座；所述管座上加工有两个安装槽,两个安装槽的底部均安装有底板,底板的底部连接有引线,引线伸出管座的下端面外，一个底板上固定有管芯，管芯的顶部侧面为圆弧形槽管芯上固定有一个电极，另一个底板上固定有一个电极，两个电极之间通过引线连接，所述管座的顶端边缘固接有焊片,焊片为框型，焊片的顶端通过盖板封闭，所述管座的顶端还填充有硅橡胶。本实用新型通过在管芯PN接触一次使用SIPOS层、SIO2层、钝化玻璃层形成钝化层，有效保护PN结免受可动离子的沾污和外界条件对器件性能的影响；在封装时弧形的钝化层能够阻挡溢出的焊膏流出管芯的上表面，减少了后续的CVD和PVD工艺。
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公开(公告)号：CN217606826U
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202120933431.9
申请日：2021-04-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本实用新型提供了一种体内击穿玻钝二极管，包括管芯、电极引线，电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；管芯的正面中部为P+突变结，围绕P+突变结设有一圈P区缓变结，P+突变结的端面设有铝片，管芯的背面为N+区扩散。本实用新型在管芯P面的中心位置装上铝片，在装电极引线、管芯烧焊时，P面与铝片又合金形成P+突变结，P面周围的区域仍然是P区缓变结；N型硅片衬底的背面形成N+区，与电极引线形成良好的欧姆接触；在相同衬底N区电阻率下，P区的反向击穿电压高于P+的的反向击穿电压；从而实现了体内击穿，大大提高了二极管的成品率及使用可靠性。
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公开(公告)号：CN220106538U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321697256.3
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本实用新型提供的一种IGBT高抗振性能的封装，包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上印刷有三个图案相同的焊接区；其特征在于：底板,底板贴合固定在陶瓷覆铜板下端；塑料框架,塑料框架固定在底板上从侧面将盖板包围；功率端子和信号端子,多个功率端子和多个信号端子设在塑料框架的边缘上。本实用新型通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；每个功率端子背面都有底板完全支撑，背面螺钉均匀分布，外界引起的振动很快可以传导到底板上，而底板是刚性的金属材料，抗振性能极佳，提高模块的抗振性能和可靠性提高。
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公开(公告)号：CN214588868U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202121232344.7
申请日：2021-06-03
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本实用新型公开了一种二极管芯片结构，该二极管包括N+衬底以及在其顶部依次层叠生长的N缓冲层和N‑外延区；所述N‑外延区的顶部外端镶嵌P+ring区，N‑外延区顶部内的中心区域为P base区，P base区周期性镶嵌有源P+区，P base区顶部制作金属化阳极，P+ring区顶部制作氧化硅，氧化硅顶部钝化硼磷硅玻璃，硼磷硅玻璃被氮化硅覆盖，N+衬底背面为金属化阴极。本实用新型利用N‑外延区底部的N缓冲层能缓冲空间电荷区扩展，减缓载流子反向抽取速度，使恢复特性得到软化。通过P base区周期性镶嵌有源P+区，能显著降低阳极注入效率，减少反向存储电荷和降低反向恢复时间，结终端为浮空场限环结构，使二极管的耐压能力增强，并降低器件反向漏电流。
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