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公开(公告)号：CN1638058A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410102200.4
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , B08B3/08 , C11D7/00 , C11D7/08
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D11/0047
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法，能够除去半导体晶片上的金属杂质。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：用碱性药液除去半导体晶片上异物的清洗工序；用弱酸性清洗液中和半导体晶片的表面电荷的清洗工序；以及用酸性药液除去残留在半导体晶片上的金属杂质的清洗工序。由于半导体晶片表面被中和，在不带电荷的状态下进行HPM处理，因此金属杂质不会附着，能够使得半导体晶片的表面获得极高洁净度。
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公开(公告)号：CN102143906A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134864.X
申请日：2009-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81C2201/0133 , G01P15/0802 , G01P15/097 , G01P15/123
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件及其制造方法。微机电系统器件包括具有第一主表面及与该第一主表面相反一侧的面即第二主表面的基板(101)、形成在所述基板(101)中的通孔(110)以及覆盖所述通孔(110)而形成在所述第一主表面的上侧的振动膜(105)。所述第一主表面和所述第二主表面都是(110)晶面，所述第二主表面上的所述通孔(110)的形状实质上为菱形。
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公开(公告)号：CN101682821A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780053193.5
申请日：2007-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01L9/0016 , H04R19/005
Abstract: 本发明公开了一种振动膜构造及声波传感器。形成有从基板101的上表面贯穿到底面的通孔(102)。在基板(101)上形成有覆盖通孔(102)的振动电极膜(103)。位于通孔(102)上的那一部分振动电极膜(103)起振动膜(104)的作用。基板(101)上表面的通孔(102)的开口形状为六角形。
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公开(公告)号：CN1926918A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200580006382.8
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04R19/016 , B81B2201/0257 , B81C1/00944 , B81C2201/112 , H04R19/005
Abstract: 驻极体电容器包括：具有由上部电极构成的导电膜118的固定膜110，具有下部电极104及由驻极体膜构成的氧化硅膜105的振动膜112，以及具有在固定膜110与振动膜112之间形成且具有空气隙109的氧化硅膜108。固定膜110及振动膜112的露出在空气隙109的部分分别由氮化硅膜106及114所构成。
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公开(公告)号：CN102066239A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980122969.3
申请日：2009-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B81B3/0072
Abstract: 本发明公开了一种微电子机械系统器件。该微电子机械系统器件包括硅基板(1)、振动膜(6)及固定膜(13)。该振动膜(6)隔着束缚部(12)设置在硅基板(1)上并具有下电极(7)。该固定膜(13)隔着支撑部(18)设置在硅基板(1)上，覆盖振动膜(6)并具有上电极(14)。振动膜(6)和固定膜(13)之间，具有由形成在彼此相向的区域的间隙形成的气隙层(17)。束缚部(12)将硅基板(1)和振动膜(6)部分地连接起来，振动膜(6)具有下电极(7)和具有压应力的绝缘膜(8)叠层形成的多层结构。绝缘膜(8)设置在比下电极(7)的周缘更靠向内侧。
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公开(公告)号：CN1731563A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510089920.6
申请日：2005-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H05B6/802
Abstract: 将微波施加到存储在纯水容器中的纯水上，经过密封的纯水容器的顶部、其侧部以及其底部中至少一个的，由此以非接触的方式加热纯水。
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公开(公告)号：CN1926918B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200580006382.8
申请日：2005-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04R19/016 , B81B2201/0257 , B81C1/00944 , B81C2201/112 , H04R19/005
Abstract: 驻极体电容器包括：具有由上部电极构成的导电膜118的固定膜110，具有下部电极104及由驻极体膜构成的氧化硅膜105的振动膜112，以及具有在固定膜110与振动膜112之间形成且具有空气隙109的氧化硅膜108。固定膜110及振动膜112的露出在空气隙109的部分分别由氮化硅膜106及114所构成。
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公开(公告)号：CN1883020B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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公开(公告)号：CN1883020A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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公开(公告)号：CN1835204A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610064830.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/00
Abstract: 本发明能够提高对保持在芯片保持器上的芯片所进行的洗净处理的效率。芯片保持器(10)包括保持器下板(1)和保持器上板(2)构成。在保持器下板(1)上设置有由第1圆锥孔(12)和第2圆锥孔(13)构成的第1通孔。在保持器上板(2)上设置有由第3圆锥孔(22)和第4圆锥孔(23)构成的第2通孔。在由设置在保持器下板(1)上的第1圆锥孔(12)和设置在保持器上板(2)上的第3圆锥孔(22)构成的芯片保持空间(121)上，将作为被处理物的芯片(4)保持为可动状态。
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