公开(公告)号：CN1716777A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510091310.X

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安田英司 ,  日高贤一 ,  升元康之 ,  中塚忠良 ,  渡边厚司 ,  多良胜司

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/40

CPC classification number: H03K17/693

Abstract: 利用由肖特基接合方式制成的多个二极管，在形成开关用的和用于确保绝缘性的MESFET的化合物半导体基板上一体地形成能够选择多个控制电压输入端子的电压较高一方的二极管逻辑电路。接着，利用多个控制电压输入端子来控制开关用的MESFET，通过从二极管逻辑电路输出的OR电压来控制用于确保绝缘性的MFSFET。

公开(公告)号：CN102194787A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110043097.0

申请日：2011-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边厚司 ,  藤原诚司

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及一种电子部件，防止在使用回流法，通过第二接合体将电子部件安装于安装基板时，第一接合体无序地流出。电子部件具有引线架(60)、半导体芯片(63)以及密封树脂(65)，其中引线架具有固定部(60a)、与固定部(60a)连接的引线部(60b)以及与固定部(60a)连接的散热部(60c)；半导体芯片(63)通过第一接合体(62)被固定于固定部(60a)上；密封树脂(65)密封固定部(60a)、半导体芯片(63)以及引线部(60b)的末端部分。在引线架(60)中的固定部(60a)以及散热部(60c)设有槽(61)。槽(61)从固定部(60a)中的存在第一接合体(62)的部分，向散热部(60c)延伸。

公开(公告)号：CN1581484A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055996.2

申请日：2004-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边厚司 ,  多良胜司 ,  日高贤一

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。

公开(公告)号：CN102074538A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010545481.6

申请日：2010-11-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤原诚司 ,  孙卓彦 ,  渡边厚司

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其引线框，其可满足耐受电压所需的空间距离，而能够实现可流动大电流且小型的半导体装置。半导体装置具有半导体元件(102)与引线框(101)。引线框(101)具有互相并行配置的第一引线(121)、第二引线(122)、第三引线(123)、第四引线(124)及第五引线(125)。第一引线与第二引线互相相邻配置，而构成第一引线组(127)，第三引线与所述第四引线互相相邻配置，而构成第二引线组(128)。第一引线组与第五引线的间隔、第二引线组与第五引线的间隔及第一引线组与第二引线组的间隔均比第一引线与第二引线的间隔及第三引线与第四引线的间隔大。

公开(公告)号：CN100377350C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410055996.2

申请日：2004-08-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边厚司 ,  多良胜司 ,  日高贤一

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种小型半导体器件，成本低，具有高集成度，且抑制由金线的寄生电感分量造成的电路的插入损耗的增加和隔离特性的下降。半导体器件包括：对开关电路半导体芯片(111)的高频信号处理进行控制的控制用半导体芯片(110)；搭载在控制用半导体芯片(110)上，对高频信号进行处理的开关电路半导体芯片(111)；搭载了控制用半导体芯片(110)的基板(410)；作为与外部的接口的外部端子(113)；将控制用半导体芯片(110)、开关电路半导体芯片(111)和外部端子(113)之间连接的金线(210)；以及形成于控制用半导体芯片(110)上和基板(410)内部，用于对高频信号进行处理的MIM电容器(120、430)。