公开(公告)号：CN100477208C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410104886.0

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 木下顺弘 ,  绀野顺平

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：磨半导体晶片的后面以减小其厚度；将半导体晶片的后面平整；将半导体晶片分成多个半导体芯片；在所述多个半导体芯片的电极上形成金突块；将NCP施加到封装板的前面上；以及，通过NCP将半导体芯片布置在封装板的上方，并且对半导体芯片的背面施压，从而将半导体芯片倒装粘结到封装板上。因此，可以防止当倒装粘结时NCP上升到半导体芯片的背面上，以及防止各芯片的背面和密封树脂之间的分离，从而防止由于制造和安装半导体器件的过程中的高温处理而引起的所述分离和开裂，并改进半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1638122A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104886.0

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 木下顺弘 ,  绀野顺平

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：磨半导体晶片的后面以减小其厚度；将半导体晶片的后面平整；将半导体晶片分成多个半导体芯片；在所述多个半导体芯片的电极上形成金突块；将NCP施加到封装板的前面上；以及，通过NCP将半导体芯片布置在封装板的上方，并且对半导体芯片的背面施压，从而将半导体芯片倒装粘结到封装板上。因此，可以防止当倒装粘结时NCP上升到半导体芯片的背面上，以及防止各芯片的背面和密封树脂之间的分离，从而防止由于制造和安装半导体器件的过程中的高温处理而引起的所述分离和开裂，并改进半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN101314199A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810081445.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 播磨化成株式会社 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 久木元洋一 ,  池田一辉 ,  樱井均 ,  木下顺弘 ,  中西正树

IPC: B23K35/22 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC classification number: B23K35/025 ,  B22F1/007 ,  B23K35/36 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2203/043 ,  Y10T428/12035 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种钎焊膏组合物，该组合物可应用于电极表面预涂钎料。第1的钎焊膏组合物含有钎料粉末以及助焊剂，同时还含有与构成所述钎料粉末的金属种类以及构成所述电极表面的任何一种的金属种类都不相同的金属粉，该金属粉的含量相对于所述钎料粉末总量，比例为0.1重量％以上且20重量％以下。第2的钎焊膏组合物含有通过加热而析出钎料的析出型钎料材料以及助焊剂，同时还含有与构成所述析出型钎料材料的金属成分的金属种类以及构成所述电极表面的任何一种金属种类都不同的金属粉，该金属粉的含量相对于通过所述析出型钎料而析出的钎料的总量，比例为0.1重量％以上且20重量％以下。