公开(公告)号：CN100477208C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410104886.0

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 木下顺弘 ,  绀野顺平

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：磨半导体晶片的后面以减小其厚度；将半导体晶片的后面平整；将半导体晶片分成多个半导体芯片；在所述多个半导体芯片的电极上形成金突块；将NCP施加到封装板的前面上；以及，通过NCP将半导体芯片布置在封装板的上方，并且对半导体芯片的背面施压，从而将半导体芯片倒装粘结到封装板上。因此，可以防止当倒装粘结时NCP上升到半导体芯片的背面上，以及防止各芯片的背面和密封树脂之间的分离，从而防止由于制造和安装半导体器件的过程中的高温处理而引起的所述分离和开裂，并改进半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN101276764A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810006291.X

申请日：2008-02-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 花田贤次 ,  木本良辅 ,  中西正树 ,  绀野顺平

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法可以提高利用金－焊接连接来进行倒装焊接时的焊料的润湿性。进行热处理，然后利用金－焊接连接来进行倒装焊接，由此除去附着在焊料6表面上的有机物(碳等)，确保焊料6的润湿性，从而可以进行金－焊接连接，所述热处理是指以使封装基板3的表面温度达到160～170℃的方式，隔着配置在喷灯13与封装基板3之间的遮罩12，将燃烧氢气与干燥空气的混合气体而形成的火焰14照射到封装基板3的多个倒装用端子上的焊料6上。

公开(公告)号：CN1638122A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104886.0

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 木下顺弘 ,  绀野顺平

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：磨半导体晶片的后面以减小其厚度；将半导体晶片的后面平整；将半导体晶片分成多个半导体芯片；在所述多个半导体芯片的电极上形成金突块；将NCP施加到封装板的前面上；以及，通过NCP将半导体芯片布置在封装板的上方，并且对半导体芯片的背面施压，从而将半导体芯片倒装粘结到封装板上。因此，可以防止当倒装粘结时NCP上升到半导体芯片的背面上，以及防止各芯片的背面和密封树脂之间的分离，从而防止由于制造和安装半导体器件的过程中的高温处理而引起的所述分离和开裂，并改进半导体器件的可靠性。