公开(公告)号：CN101276764A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810006291.X

申请日：2008-02-05

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 花田贤次 ,  木本良辅 ,  中西正树 ,  绀野顺平

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法可以提高利用金－焊接连接来进行倒装焊接时的焊料的润湿性。进行热处理，然后利用金－焊接连接来进行倒装焊接，由此除去附着在焊料6表面上的有机物(碳等)，确保焊料6的润湿性，从而可以进行金－焊接连接，所述热处理是指以使封装基板3的表面温度达到160～170℃的方式，隔着配置在喷灯13与封装基板3之间的遮罩12，将燃烧氢气与干燥空气的混合气体而形成的火焰14照射到封装基板3的多个倒装用端子上的焊料6上。

公开(公告)号：CN100385649C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410038338.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菊池卓 ,  木本良辅 ,  川洼浩 ,  三轮孝志 ,  井村智香子 ,  西田隆文 ,  小山宏 ,  柴本正训 ,  川上胜

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L24/28 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。

公开(公告)号：CN101241905A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810082878.9

申请日：2004-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菊池卓 ,  木本良辅 ,  川洼浩 ,  三轮孝志 ,  井村智香子 ,  西田隆文 ,  小山宏 ,  柴本正训 ,  川上胜

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC classification number: G05B19/4155 ,  G05B2219/34343 ,  G05B2219/42189 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。

公开(公告)号：CN1574302A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410038338.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 菊池卓 ,  木本良辅 ,  川洼浩 ,  三轮孝志 ,  井村智香子 ,  西田隆文 ,  小山宏 ,  柴本正训 ,  川上胜

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L25/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/563 ,  H01L24/28 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。