-
公开(公告)号：CN1536658A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410031330.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78704 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006
Abstract: 接合焊盘和金线的球部分之间的粘附力得以改善以提高半导体器件的可靠性。约1wt.％的Pd含在金线中，金线用于连接形成在布线基板上的电极焊盘和形成在半导体芯片上的电极焊盘(主要由Al形成的顶层布线的露出区域)，由此，在形成在半导体芯片上的电极焊盘和金线的球部分之间的接合部分中，抑制了Au和Al的相互扩散，以防止PCT(压力锅蒸煮试验)之后形成Au4Al。由于防止了易于被腐蚀的Au4Al的形成，即使形成在半导体芯片上的电极焊盘的间距小于65μm并且每个金线的球部分的直径小于55μm或每个金线的线部分的直径不大于25μm的情况中，也可以得到需要的金线接合强度。同样在顶层布线很厚或者很薄或者接合温度很低的情况中也可以确保需要的接合强度。
-
公开(公告)号：CN100385649C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410038338.2
申请日：2004-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L24/28 , H01L25/105 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15151 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN1601711A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011728.0
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L21/566 , H01L23/3121 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 为在具有密封树脂的布线衬底基体上模制半导体芯片等，将布线衬底基体置于下模的下模型腔台上，此后使上模下降，由此上模的型腔的外部周边部分邻接布线衬底基体的主表面的外部周边部分，使衬底基体充分变形到防止树脂泄漏的程度，此后提供在上模上的挡销下压下模型腔台。根据这种结构，在通过上模和下模两者夹持布线衬底基体时，可以抑制或防止将过大压力施加到布线衬底基体上，因此可以抑制或防止由布线衬底基体的挤压而引起的变形或开裂。因此，提高了半导体器件制造产率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100375278C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410031330.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78704 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006
Abstract: 接合焊盘和金线的球部分之间的粘附力得以改善以提高半导体器件的可靠性。约1wt.%的Pd含在金线中，金线用于连接形成在布线基板上的电极焊盘和形成在半导体芯片上的电极焊盘(主要由Al形成的顶层布线的露出区域)，由此，在形成在半导体芯片上的电极焊盘和金线的球部分之间的接合部分中，抑制了Au和Al的相互扩散，以防止PCT(压力锅蒸煮试验)之后形成Au4Al。由于防止了易于被腐蚀的Au4Al的形成，即使形成在半导体芯片上的电极焊盘的间距小于65μm并且每个金线的球部分的直径小于55μm或每个金线的线部分的直径不大于25μm的情况中，也可以得到需要的金线接合强度。同样在顶层布线很厚或者很薄或者接合温度很低的情况中也可以确保需要的接合强度。
-
公开(公告)号：CN101241905A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810082878.9
申请日：2004-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/538
CPC classification number: G05B19/4155 , G05B2219/34343 , G05B2219/42189 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15151 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN1574302A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410038338.2
申请日：2004-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L24/28 , H01L25/105 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15151 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种高密度封装的半导体器件，包括一个多层衬底；一个与多层衬底电连接的第一级芯片；多个另外的封装衬底，按三级层叠在多层衬底上，并且各通过焊接球与一个下面的布线衬底连接；第二级、第三级和第四级芯片，分别与按三级层叠的另外的封装衬底电连接；和多个焊接球，设置在底部多层衬底上。具有一个逻辑芯片的底部多层衬底中的布线层数分别大于具有存储芯片的封装衬底中的布线层数，由此半导体器件能具有一个不用于对焊接球分布导线的布线层，并且布线层中的布线例如能用于安装另一个半导体元件或一个无源部件，以获得一种作为层叠型封装的高密度封装的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN101351875A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680049633.5
申请日：2006-12-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/49541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该方法将引线框架安装于在型腔部(12a)未形成流入口和通气孔部的上部金属模和在型腔部(15a)的1处角部形成着流入口(15f)、但未形成通气孔部的下部金属模之间，在以中压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并对由型腔部(12a、15a)形成的模内进行减压之后，使模压树脂流入其模内。在暂且一边以低压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使模压树脂流入由型腔部(12a、15a)形成的模内，一边排出残留空气之后，以高压的夹紧压力将上部金属模和下部金属模夹紧并使充填在由型腔部(12a、15a)形成的模内的模压树脂成型。
-
公开(公告)号：CN100437954C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410011728.0
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L21/566 , H01L23/3121 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 为在具有密封树脂的布线衬底基体上模制半导体芯片等，将布线衬底基体置于下模的下模型腔台上，此后使上模下降，由此上模的型腔的外部周边部分邻接布线衬底基体的主表面的外部周边部分，使衬底基体充分变形到防止树脂泄漏的程度，此后提供在上模上的挡销下压下模型腔台。根据这种结构，在通过上模和下模两者夹持布线衬底基体时，可以抑制或防止将过大压力施加到布线衬底基体上，因此可以抑制或防止由布线衬底基体的挤压而引起的变形或开裂。因此，提高了半导体器件制造产率。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
