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公开(公告)号：CN108475897A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680076965.6
申请日：2016-12-27
IPC: H01S5/02 , C09K11/80 , C30B29/28 , F21S2/00 , F21S41/176 , F21V8/00 , G02B6/42 , G02B5/20 , F21W102/00 , F21Y115/30
Abstract: 提供一种通过激光二极管与荧光体的组合发出白色光的高亮度的发光装置。提供发光装置(1)，具有：激光二极管，其包含在激光发光装置(10)中，发出蓝色光；以及波长变换部(11)，其将激光二极管发出的光的一部分吸收并对波长进行变换，波长变换部(11)包含YAG系的单晶荧光体，从激光二极管发出并照射到波长变换部(11)的光的辐射照度为80W/mm2以上。
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公开(公告)号：CN105102694A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480020148.X
申请日：2014-03-31
Abstract: 提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103518008A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280017340.4
申请日：2012-04-03
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/267 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明提供厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及具有该半导体层叠体的半导体元件。提供具有Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的AlGaInN缓冲层3、AlGaInN缓冲层3上的含Si的氮化物半导体层4、形成在氮化物半导体层4内的AlGaInN缓冲层3侧的部分区域上的Si浓度在5×1018/cm3以上的Si高浓度区域4a的半导体层叠体1。
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公开(公告)号：CN103918061A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280050003.5
申请日：2012-10-12
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供Ga2O3基板上的氮化物半导体层上表面的位错密度低的结晶层叠结构体及其制造方法。在一个实施方式中，提供包括Ga2O3基板2、Ga2O3基板2上的由AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的缓冲层3、缓冲层3上的由含有氧作为杂质的AlxGayInzN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x＋y＋z＝1）结晶构成的氮化物半导体层4的结晶层叠结构体1。氮化物半导体层4的Ga2O3基板2侧的200nm以上厚度的区域4a的氧浓度在1.0×1018/cm3以上。
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公开(公告)号：CN103503148A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280016886.8
申请日：2012-04-03
IPC: H01L29/26 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/267 , H01L29/47 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , C23C16/0218 , C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/7371 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/8122 , H01L29/8128 , H01L29/872 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种厚度方向的电阻低的半导体层叠体及其制造方法、以及包括该半导体层叠体的半导体元件。本发明提供包括将氧被六角网格状配置的面设为主面的Ga2O3基板（2）、Ga2O3基板（2）上的AlN缓冲层（3）、以及AlN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）的半导体层叠体（1）。
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公开(公告)号：CN106471164A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580032689.9
申请日：2015-06-29
IPC: C30B29/16
CPC classification number: C30B29/16 , C01G15/00 , C01P2002/77 , C30B15/34
Abstract: 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，
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公开(公告)号：CN107251195A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680012004.9
申请日：2016-02-08
Applicant: 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/16 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 提供一种透明的氮化物半导体模板和能够简便地制造该氮化物半导体模板的制造方法，该氮化物半导体模板具有高质量的氮化物半导体，适于紫外线LED用途，具有导电性。提供氮化物半导体模板(10)，其具有：Ga2O3基板(11)；缓冲层(12)，其形成在Ga2O3基板(11)上，以AlN为主成分；第1氮化物半导体层(13)，其形成在缓冲层(12)上，以AlxGa1‑xN(0.2＜x≤1)为主成分；以及第2氮化物半导体层(14)，其形成在第1氮化物半导体层(13)上，以AlyGa1‑yN(0.2≤y≤0.55，y＜x)为主成分。
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