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公开(公告)号：CN102222622A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110094367.0
申请日：2011-04-12
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/6835 , H01F5/003 , H01F41/041 , H01F41/046 , H01L2924/0002 , H05K1/165 , H05K2201/09672 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。在具有位于板(10)上的线圈层部分(21)的半导体装置的制造方法中，制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80)，以及在每个支承基板的平坦表面上形成构件(30，40，50，60)。所述构件包括具有预定图案的布线部分(32，42，52，62)和包围该布线部分的绝缘膜(31，41，51，61)。布线部分设有从绝缘膜暴露的连接部分(32a，32b，42a，42b，52a，52b，62a，62b)。线圈层部分(21)在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下通过使形成在支承基板(80)上的构件(30，40，50，60)彼此相对并结合形成。线圈(20)通过经由连接部分连接布线部分形成在线圈层部分中。
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公开(公告)号：CN111384158B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201911364732.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 株式会社电装
IPC: H01L29/24 , H01L23/367 , H01L29/732 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/872 , H01L33/26 , H01L33/64
Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
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公开(公告)号：CN111383911B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201911366053.4
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 株式会社电装
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
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公开(公告)号：CN116344324A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211656107.2
申请日：2022-12-22
IPC: H01L21/02
Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117947507A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311371635.8
申请日：2023-10-23
Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
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公开(公告)号：CN115966589A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211136290.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
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公开(公告)号：CN111384158A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911364732.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 株式会社电装
IPC: H01L29/24 , H01L23/367 , H01L29/732 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/872 , H01L33/26 , H01L33/64
Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
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公开(公告)号：CN111383911A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911366053.4
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 株式会社电装
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
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公开(公告)号：CN102222622B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110094367.0
申请日：2011-04-12
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/6835 , H01F5/003 , H01F41/041 , H01F41/046 , H01L2924/0002 , H05K1/165 , H05K2201/09672 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。在具有位于板(10)上的线圈层部分(21)的半导体装置的制造方法中，制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80)，以及在每个支承基板的平坦表面上形成构件(30，40，50，60)。所述构件包括具有预定图案的布线部分(32，42，52，62)和包围该布线部分的绝缘膜(31，41，51，61)。布线部分设有从绝缘膜暴露的连接部分(32a，32b，42a，42b，52a，52b，62a，62b)。线圈层部分(21)在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下通过使形成在支承基板(80)上的构件(30，40，50，60)彼此相对并结合形成。线圈(20)通过经由连接部分连接布线部分形成在线圈层部分中。
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