球焊用贵金属被覆银线及其制造方法、及使用球焊用贵金属被覆银线的半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111344846A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201880072388.2

    申请日:2018-04-19

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种贵金属被覆银接合线,其在以接合线将半导体芯片的电极与引线框架等的电极连接的半导体装置中,即使在汽车等严苛的高温高湿条件下亦可抑制接合界面的腐蚀,而避免发生导电不良。本发明的球焊用的贵金属被覆银线,是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线,其特征为:线材包含至少1种硫族元素,贵金属被覆层的至少1层为钯层,钯相对于线材整体的含量为0.01质量%以上5.0质量%以下,且硫族元素相对于线材整体的含量为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。

    球焊用稀贵金属银合金丝

    公开(公告)号:CN104134644B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410131290.3

    申请日:2014-04-02

    Abstract: 本发明提供一种球焊用稀贵金属银合金丝,本发明旨在通过在稀贵金属银合金丝的整个面上设置极薄的碳层,利用该碳的还原作用防止大气对稀贵金属银合金的硫化和氧化,而且,即使是第二次键合时超声波的低热能,也能从键合面上去除与银合金丝表面松散结合的硫化银膜等。本发明的球焊用稀贵金属银合金丝的特征在于,在质量百分比纯度99.9%以上的钯、铂及金中的至少一种的总量占质量百分比0.1~6%、且其他部分由质量百分比纯度99.99%以上的银构成的球焊用稀贵金属银合金丝的表面结构中,该键合丝表面是连铸面经金刚石模具缩径后的拉丝加工面,该拉丝加工面的整个面上形成了总有机碳量为50~3,000μg/m2的有机碳层。

    高速信号线用接合线
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104157625A

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201410108092.5

    申请日:2014-03-21

    Abstract: 本发明的目的是提供一种银-钯-金(Ag-Pd-Au)基合金的高速信号线用接合线,其即使在接合线表面形成不稳定的硫化银层时,仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜,并可传输稳定的数千兆赫(giga Hertz,GHz)带等的超高频信号。本发明的解决方法是提供一种高速信号线用接合线,其是由钯(Pd)2.5~4.0质量%、金(Au)1.5~2.5质量%及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金,该接合线剖面是由表皮膜与芯材所构成,该表皮膜是由在连续铸造后所缩径的连续铸造面与表面偏析层所构成,该表面偏析层是由较芯材含量渐增的银(Ag)且含量渐减的金(Au)的合金区域所构成。

    球焊用稀贵金属银合金丝

    公开(公告)号:CN104134644A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410131290.3

    申请日:2014-04-02

    Abstract: 本发明提供一种球焊用稀贵金属银合金丝,本发明旨在通过在稀贵金属银合金丝的整个面上设置极薄的碳层,利用该碳的还原作用防止大气对稀贵金属银合金的硫化和氧化,而且,即使是第二次键合时超声波的低热能,也能从键合面上去除与银合金丝表面松散结合的硫化银膜等。本发明的球焊用稀贵金属银合金丝的特征在于,在质量百分比纯度99.9%以上的钯、铂及金中的至少一种的总量占质量百分比0.1~6%、且其他部分由质量百分比纯度99.99%以上的银构成的球焊用稀贵金属银合金丝的表面结构中,该键合丝表面是连铸面经金刚石模具缩径后的拉丝加工面,该拉丝加工面的整个面上形成了总有机碳量为50~3,000μg/m2的有机碳层。

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