公开(公告)号：CN111009506B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201811169457.X

申请日：2018-10-08

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈瑰玮 ,  郑家明

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 一种晶片封装体，包含基板、第一介电层、第一金属层、第二介电层、第二金属层与多个第一导电通道。第一介电层位于基板的下表面上。第一金属层位于第一介电层的下表面上。第一金属层具有多个第一区段，且第一区段的相邻两者之间有间隙。第二介电层位于第一金属层的下表面上与第一介电层的下表面上。第二金属层位于第二介电层的下表面上。第二金属层具有多个第二区段，第二区段分别对齐间隙，且每一第二区段的两侧缘分别与第一区段的相邻两者重叠。第一导电通道位于第二介电层中，且每一第一导电通道电性接触第一区段其中之一与第二区段其中之一。本发明的晶片封装体可利用第一区段与第二区段同时电性接触重布线层，以提升重布线层的稳固性。

公开(公告)号：CN107146795A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710103788.2

申请日：2017-02-24

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  赖炯霖 ,  陈瑰玮

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/0529 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13216 ,  H01L2224/13244 ,  H01L2224/13247 ,  H01L2224/13255 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/19102 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01074 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一基底，基底内的一感测区或元件区电性连接至一导电垫；一第一绝缘层，位于基底上；一重布线层，位于第一绝缘层上，重布线层的一第一部分及一第二部分电性连接至导电垫；一第二绝缘层，顺应性地延伸于第一绝缘层上且包覆第一部分及第二部分的侧表面；一保护层，位于第二绝缘层上，第二绝缘层的一部分位于保护层与第一绝缘层之间。本发明可大幅提升晶片封装体的品质及可靠度。

公开(公告)号：CN118116943A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311546382.3

申请日：2023-11-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈瑰玮 ,  杨朝元 ,  李岳宪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供晶片封装体及其制造方法。上述晶片封装体包括一基底，具有一阶梯型侧壁及彼此相对的一第一表面及一第二表面分别邻接于阶梯型侧壁。晶片封装体也包括一上盖层，具有彼此相对的一第一表面及一第二表面，且上盖层的第一表面面向基底的第二表面。晶片封装体还包括一围堰结构及一粘着层。围堰结构接合上盖层与基底，且围绕基底内的一感测区。粘着层围绕围堰结构，且具有一内凹的渐细侧壁自基底的第二表面沿围堰结构的一外边缘往上盖层的方向延伸。

公开(公告)号：CN110943052B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201910913729.0

申请日：2019-09-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈瑰玮 ,  郑家明 ,  林佳升

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括基底、第一导电结构以及电性隔离结构。基底具有第一表面及相对于第一表面的第二表面，且具有具有第一开口及环绕第一开口的第二开口。基底包括感测装置位于其内且邻近于第一表面。第一导电结构包括位于基底的第一开口内的第一导电部以位于基底的第二表面上方的第二导电部。电性隔离结构包括位于基底的第二开口内的第一隔离部以及自第一隔离部延伸于基底的第二表面与第二导电部之间的第二隔离部，其中第一隔离部环绕第一导电部。

公开(公告)号：CN117059585A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310531875.3

申请日：2023-05-12

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 李柏汉 ,  刘沧宇 ,  郑家明 ,  陈瑰玮 ,  赖俊谚

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括载板、晶片、透光片、支撑件与模压材。晶片位于载板上，且具有感测区。透光片位于支撑件上方且覆盖晶片的感测区。支撑件位于透光片与晶片之间且围绕晶片的感测区。模压材位于载板上且围绕晶片与透光片，其中模压材的顶面低于透光片的顶面。这样的配置可降低透光片与模压材热膨胀系数不匹配的影响，避免透光片在制造过程中因温度而破裂。

公开(公告)号：CN111146083B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911045389.0

申请日：2019-10-30

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  吴晖贤 ,  陈建宏 ,  刘沧宇 ,  陈瑰玮

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。

公开(公告)号：CN110943052A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910913729.0

申请日：2019-09-25

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 陈瑰玮 ,  郑家明 ,  林佳升

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括基底、第一导电结构以及电性隔离结构。基底具有第一表面及相对于第一表面的第二表面，且具有具有第一开口及环绕第一开口的第二开口。基底包括感测装置位于其内且邻近于第一表面。第一导电结构包括位于基底的第一开口内的第一导电部以位于基底的第二表面上方的第二导电部。电性隔离结构包括位于基底的第二开口内的第一隔离部以及自第一隔离部延伸于基底的第二表面与第二导电部之间的第二隔离部，其中第一隔离部环绕第一导电部。

公开(公告)号：CN104112659B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410158402.4

申请日：2014-04-18

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张峻维 ,  陈瑰玮 ,  郑家明 ,  林佳升 ,  陈键辉 ,  刘沧宇

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/26 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05566 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体、晶圆级晶片阵列及其制造方法，该晶圆级晶片阵列包含一半导体晶圆，具有相邻排列的至少二晶片以及一承载层，各该晶片具有一上表面及一下表面，且于该上表面包含至少一电子元件，该承载层覆盖于各该晶片的上表面；以及至少一外延线保护块，配置于该承载层之下且位于该至少二晶片之间，该外延线保护块的厚度小于该晶片的厚度，其中，该外延线保护块内部具有至少一外延线。本发明具有制程简化以及成本低廉的功效。

公开(公告)号：CN115020216A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210890658.9

申请日：2019-10-30

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  吴晖贤 ,  陈建宏 ,  刘沧宇 ,  陈瑰玮

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。

公开(公告)号：CN111146083A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911045389.0

申请日：2019-10-30

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  吴晖贤 ,  陈建宏 ,  刘沧宇 ,  陈瑰玮

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体的制造方法及晶片封装体，该方法包含：图案化晶圆以形成切割道，其中晶圆下方的透光功能层位于切割道中，透光功能层位于晶圆与载体之间，晶圆具有朝向切割道的外壁面，且外壁面与晶圆朝向透光功能层的表面之间具有第一夹角；沿切割道切割透光功能层与载体，以形成晶片封装体，其中晶片封装体包含晶片、透光功能层与载体；以及图案化晶片以形成定义感测区的开口，其中透光功能层位于开口中，晶片具有围绕开口的内壁面及背对内壁面的外壁面，内壁面与晶片朝向透光功能层的表面之间具有第二夹角，且第一夹角与第二夹角不同。此制造方法可避免晶片的感测区在执行切割制程时受到损伤，且可应用在不同种类的光学感测器。