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公开(公告)号：CN102822963A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017635.7
申请日：2011-04-04
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68345 , H01L2224/12105 , H01L2224/13021 , H01L2224/2101 , H01L2224/221 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/14 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H05K1/185 , H05K3/4682 , H01L2924/00
Abstract: 记载了一种形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。这些方法可包括：在载体材料内形成空腔；将管芯附连在空腔内，其中管芯的背侧包括金属填充的DBF；在管芯附近和载体材料的底侧上形成介电材料；通过在介电材料上堆积多个层来形成无芯衬底；并从无芯衬底去除载体材料。
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公开(公告)号：CN102934224B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180027667.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/82105 , H01L2224/82106 , H01L2224/83203 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 微电子封装包括基板（110），嵌入到基板内的管芯（120），其中管芯具有前侧（121）和后侧（122）并且还具有位于其中的穿过硅的通孔（123），构造在管芯前侧上的构造层（130），以及与管芯后侧物理接触的电源面（140）。在另一个实施例中，微电子封装包括基板（210），第一管芯（220）和第二管芯（260），其中两个管芯嵌入到基板中，两个管芯具有前侧（221,261）和后侧（222,262），并且两个管芯内具有穿过硅的通孔（223,263），在第一和第二管芯的前侧上的构造层（230），以及与第一和第二管芯的后侧物理接触的导电结构（240）。
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公开(公告)号：CN102822963B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180017635.7
申请日：2011-04-04
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2221/68345 , H01L2224/12105 , H01L2224/13021 , H01L2224/2101 , H01L2224/221 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/14 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H05K1/185 , H05K3/4682 , H01L2924/00
Abstract: 记载了一种形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。这些方法可包括：在载体材料内形成空腔；将管芯附连在空腔内，其中管芯的背侧包括金属填充的DBF；在管芯附近和载体材料的底侧上形成介电材料；通过在介电材料上堆积多个层来形成无芯衬底；并从无芯衬底去除载体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934224A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027667.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/82105 , H01L2224/82106 , H01L2224/83203 , H01L2224/92244 , H01L2225/1035 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 微电子封装包括基板（110），嵌入到基板内的管芯（120），其中管芯具有前侧（121）和后侧（122）并且还具有位于其中的穿过硅的通孔（123），构造在管芯前侧上的构造层（130），以及与管芯后侧物理接触的电源面（140）。在另一个实施例中，微电子封装包括基板（210），第一管芯（220）和第二管芯（260），其中两个管芯嵌入到基板中，两个管芯具有前侧（221,261）和后侧（222,262），并且两个管芯内具有穿过硅的通孔（223,263），在第一和第二管芯的前侧上的构造层（230），以及与第一和第二管芯的后侧物理接触的导电结构（240）。
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公开(公告)号：CN105590913B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610182528.4
申请日：2011-09-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01L25/03
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24226 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2224/73259 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺。一种装置包括具有硅通孔(TSV)嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。
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公开(公告)号：CN105590913A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610182528.4
申请日：2011-09-24
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/538 , H01L25/03
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24226 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2224/73259 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本申请公开了使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺。一种装置包括具有硅通孔(TSV)嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。
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公开(公告)号：CN103119712B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180045863.5
申请日：2011-09-24
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24226 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2224/73259 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种装置包括具有硅通孔（TSV）嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。
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公开(公告)号：CN103119712A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045863.5
申请日：2011-09-24
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/5384 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/24226 , H01L2224/48137 , H01L2224/48472 , H01L2224/73259 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种装置包括具有硅通孔（TSV）嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。
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