公开(公告)号：CN104134638A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410178315.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特 ,  L·柯尼希 ,  A·尤勒曼

IPC: H01L23/473 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 提供了有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块。根据一个示例性实施例，提供了一种功率模块，其包括半导体芯片，包括导电板以及直接附接至该导电板并且热耦合至半导体芯片的电绝缘板的键合衬底，以及直接附接至导电板并且被配置为在与冷却流体交互时从半导体芯片去除热的冷却结构的阵列。

公开(公告)号：CN104465535A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN105261610A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510394262.5

申请日：2015-07-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U·奥塞勒克纳 ,  A·格雷斯曼

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/473

CPC classification number: H05K5/0065 ,  G01R19/0092 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2884 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/053 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10416 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块，其具有包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一长侧和与第一长侧相对的第二长侧的功率电子衬底。此外，该功率半导体模块还具有模块框架，该模块框架被如此布置，使得其包围该功率电子衬底，布置在第一长侧处并且穿过模块框架地延伸的至少一个功率连接端，布置在第二长侧处且穿过模块框架地延伸的其他连接端，至少一个功率半导体元器件，其布置在功率电子衬底的第一表面上并且与至少一个功率连接端电性连接，以及具有至少一个电流传感器，该电流传感器构造用于，测量在功率连接端中的电流，其中，该至少一个电流传感器布置在功率连接端上并且具有信号输出端，该信号输出端与其他连接端相连接。

公开(公告)号：CN104217966A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410242777.9

申请日：2014-06-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·盖特纳 ,  W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  C·诺伊吉尔格 ,  I·尼基廷

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明提供一种制造包括两个基板的功率模块的方法，其中该方法包括：在第一基板上方设置第一厚度的补偿层；在补偿层上方设置第二基板；并且在将第二基板设置到补偿层上之后，将补偿层的厚度从第一厚度减小到第二厚度。

公开(公告)号：CN104465535B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN105261610B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510394262.5

申请日：2015-07-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： U·奥塞勒克纳 ,  A·格雷斯曼

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/473

CPC classification number: H05K5/0065 ,  G01R19/0092 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2884 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/62 ,  H01L25/07 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/053 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10416 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体模块，其具有包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一长侧和与第一长侧相对的第二长侧的功率电子衬底。此外，该功率半导体模块还具有模块框架，该模块框架被如此布置，使得其包围该功率电子衬底，布置在第一长侧处并且穿过模块框架地延伸的至少一个功率连接端，布置在第二长侧处且穿过模块框架地延伸的其他连接端，至少一个功率半导体元器件，其布置在功率电子衬底的第一表面上并且与至少一个功率连接端电性连接，以及具有至少一个电流传感器，该电流传感器构造用于，测量在功率连接端中的电流，其中，该至少一个电流传感器布置在功率连接端上并且具有信号输出端，该信号输出端与其他连接端相连接。