公开(公告)号：CN104217966A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410242777.9

申请日：2014-06-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·盖特纳 ,  W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  C·诺伊吉尔格 ,  I·尼基廷

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明提供一种制造包括两个基板的功率模块的方法，其中该方法包括：在第一基板上方设置第一厚度的补偿层；在补偿层上方设置第二基板；并且在将第二基板设置到补偿层上之后，将补偿层的厚度从第一厚度减小到第二厚度。

公开(公告)号：CN104465535B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN104377174A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410392670.2

申请日：2014-08-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·温特 ,  O·盖特纳 ,  I·尼基廷 ,  J·赫格尔

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4608 ,  Y10T29/49002

Abstract: 根据一个示例性方面，提供了一种电子模块，其中电子模块包括含有至少一个电子部件的电子芯片，含有布置在电子芯片上的主表面并与至少一个电子部件导热连接的间隔元件，以及至少部分地围绕电子芯片和间隔元件的模塑材料，其中间隔元件包括侧表面，其与模塑材料接触并包括表面结构。

公开(公告)号：CN104134638A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410178315.5

申请日：2014-04-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布莱 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特 ,  L·柯尼希 ,  A·尤勒曼

IPC: H01L23/473 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L24/33 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

Abstract: 提供了有键合衬底上冷却附接半导体芯片的冷却结构的功率模块。根据一个示例性实施例，提供了一种功率模块，其包括半导体芯片，包括导电板以及直接附接至该导电板并且热耦合至半导体芯片的电绝缘板的键合衬底，以及直接附接至导电板并且被配置为在与冷却流体交互时从半导体芯片去除热的冷却结构的阵列。

公开(公告)号：CN107124837A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710346715.6

申请日：2014-08-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·温特 ,  O·盖特纳 ,  I·尼基廷 ,  J·赫格尔

IPC: H05K3/46

Abstract: 根据一个示例性方面，提供了一种电子模块，其中电子模块包括含有至少一个电子部件的电子芯片，含有布置在电子芯片上的主表面并与至少一个电子部件导热连接的间隔元件，以及至少部分地围绕电子芯片和间隔元件的模塑材料，其中间隔元件包括侧表面，其与模塑材料接触并包括表面结构。

公开(公告)号：CN104465535A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410490572.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈布尔 ,  A·格雷斯曼 ,  F·温特 ,  O·盖特纳 ,  A·施瓦茨 ,  A·赫布兰特

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H05K1/021 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/051 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L23/473 ,  H01L23/49833 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种衬底、芯片布置及其制造方法，在各种实施例中，提供了衬底。该衬底可包括：具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的陶瓷载体；在该陶瓷载体的第一侧之上布置的第一金属层；在该陶瓷载体的第二侧之上布置的第二金属层；以及在第二金属层中或者在第二金属层之上形成的冷却结构。

公开(公告)号：CN107124837B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201710346715.6

申请日：2014-08-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·温特 ,  O·盖特纳 ,  I·尼基廷 ,  J·赫格尔

IPC: H01L23/28

Abstract: 根据一个示例性方面，提供了一种电子模块，其中电子模块包括含有至少一个电子部件的电子芯片，含有布置在电子芯片上的主表面并与至少一个电子部件导热连接的间隔元件，以及至少部分地围绕电子芯片和间隔元件的模塑材料，其中间隔元件包括侧表面，其与模塑材料接触并包括表面结构。