-
公开(公告)号：CN112341185B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011370600.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 成都理工大学
IPC: C04B35/443 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种超高品质因素的铝酸盐系微波介电材料，属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，该材料的化学组成为：MgAl2‑x(Zn0.5Ti0.5)xO4，其中，0＜x≤0.5，本发明还公开了上述材料的制备方法，包括称量、球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等步骤；本发明提供的微波介质材料，具有低的介电常数（6.95~9.89）和超高的Q×f值（最高达263900 GHz），在新一代移动通信及毫米波通信领域具有较高应用前景。
-
公开(公告)号：CN114031393A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111432106.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 成都理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种谐振频率温度系数近零的微波介电材料，由Mg2TiO4和Li2TiO3按照(1‑x)Li2TiO3‑xMg2TiO4质量比复合，最终形成Mg2TiO4、Li2MgTi3O8和Li2TiO3三相复合体系，其中，所述Mg2TiO4的质量百分数x为：0＜x＜100％；本发明通过将Mg2TiO4与Li2TiO3进行复合，一方面改善了Mg2TiO4较差的烧结性能，使其能够烧结成型；另一方面通过具有正τf值的Li2TiO3进行τf补偿，使整个体系具有近零的τf值，且Li2TiO3较低的烧结温度也能改善体系的烧结温度。
-
公开(公告)号：CN112341185A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011370600.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 成都理工大学
IPC: C04B35/443 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种超高品质因素的铝酸盐系微波介电材料，属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，该材料的化学组成为：MgAl2‑x(Zn0.5Ti0.5)xO4，其中，0＜x≤0.5，本发明还公开了上述材料的制备方法，包括称量、球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等步骤；本发明提供的微波介质材料，具有低的介电常数（6.95~9.89）和超高的Q×f值（最高达263 900 GHz），在新一代移动通信及毫米波通信领域具有较高应用前景。
-
公开(公告)号：CN113512713A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110771475.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用，属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法，包括以下步骤：在真空条件下，将铼与氯气发生氯化反应，得到ReCl5气体；对基体进行加工，得到沉积铼坩埚用模芯；将所述沉积铼坩埚用模芯预热，得到预热沉积铼坩埚用模芯；将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积，得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚，具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点，可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。
-
公开(公告)号：CN109112501A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810972105.1
申请日：2018-08-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法，属于涂层制备领域。本发明中，原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单，HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上，且不会带来杂质污染；化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生，可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积；CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子，HfO2分子逐个堆积形成涂层，涂层密度超过其理论密度的99％；HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向，涂层形成了择优取向的织构组织，使涂层的辐射系数提高至0.90以上，高温散热性能优良。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102634712B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141534.7
申请日：2012-05-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高强度、高致密度Nb-W合金及其化学气相沉积（CVD）制备方法。所述合金的W的含量为0.5-10wt.%。该合金主要以W为固溶和层状组织结构为主要强化手段，不添加其他合金元素；所述CVD制备方法包括下列步骤：（1）以钼、石墨或其他高熔点金属为基体，采用现场氯化法或以Nb及W的卤化物为前驱体CVD同时沉积铌和钨并原位形成Nb-W合金；（2）采用化学腐蚀法或机械去除法将沉积的Nb-W合金与沉积用基体（Mo、石墨等）进行分离。本发明方法制备特定组分的Nb-W合金材料成分均匀，组织致密，密度达到了其理论密度的99.00%以上，合金纯度≥99.50%；CVD法制备的含W为9.68wt.%的NbW合金的室温抗拉强度为432MPa。本发明所采用CVD技术制备的Nb-W合金可作为航天、航空、核工业以及其他高技术领域的高温结构材料应用。
-
公开(公告)号：CN100439563C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510010838.X
申请日：2005-06-06
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 本发明涉及高熔点金属(难熔金属及贵金属)化学气相沉积制备所用的专用设备。设备由3部分组成：(一)主体结构；(二)动力传动装置；(三)气体调配系统。主体部分结构由5个功能部件组成，分别为：沉积室(I)，密封室(II)，蜗轮箱(III)，升降操纵箱(IV)，热电势信号接转装置(V)。本发明在于实现基体沉积件在高温、高真空或多种气氛(氩气、氧气、氯气、一氧化碳以及甲烷等)条件下，按设定参数进行材料的沉积，基体可进行轴向圆周、螺旋以及自动循环运动。输入温度、气氛压力和流量均可精确控制。所制备的难熔金属和贵金属材料的致密性达到或接近理论密度，硬度(耐磨性)超过熔铸和粉末冶金法生产的同类材料。
-
公开(公告)号：CN114694773B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210079872.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 中南大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请公开了一种基于第一性原理计算的稀贵金属设计方法，该方法包括：S1确定基体相的最优结构及该结构下的晶格常数；S2选择第二相并确定其最优结构；S3计算基体相或所选第二相的进阶性质，进阶性质包括，第二相的形成焓、计算元素互换对所选结构稳定性的影响度和计算第二相与基体相间的界面能大小，通过进阶性质中形成焓和界面能大小选择稀贵金属中第二相，通过计算元素互换稳定性选择固溶强化的加入元素，有助于稀贵金属材料研发中略过大量的实验试错，避免不必要的资源浪费。
-
公开(公告)号：CN115896528A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211353391.6
申请日：2022-11-01
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C5/04 , C22C1/047 , B22F9/04 , B22F1/14 , B22F3/10 , B22F3/02 , C22F1/14 , B22F5/00 , C03B37/095 , C30B35/00 , F02K1/00
Abstract: 本发明提供了一种难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金，包括如下质量含量的组分：Rh 0～10wt％，Re3Nb 0.05～1.0wt％和余量的Pt。本发明采用一定量的新型的高熔点难熔的χ相金属间化合物即Re3Nb作为增强相，且增强相Re3Nb在Pt‑Rh合金中的均匀弥散分布，使得χ相增强的低Rh含量的Pt‑Rh基合金具有优异的高温力学性能和抗氧化能力，并大幅降低贵金属Rh的用量和合金成本，利用具有较高熔点的Pt元素和Rh元素，以提高制备的难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金的抗氧化、耐腐蚀性能和化学稳定性。
-
公开(公告)号：CN114574834A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111458339.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Ta‑Re层状复合材料及其制备方法和应用，属于复合材料领域。本发明提供了一种Ta‑Re层状复合材料，包括层叠设置的Ta基体层和Re强化层。本发明基于金属Ta、Re的性能优点，以相对轻质、廉价的难熔金属Ta为基体，高熔点高强度的Re为强化层，制备了一种新型轻质高强Ta‑Re层状复合材料，能够同时兼顾Re高强度和Ta轻量化的优点，获得了高性能航天发动机喷管用结构材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.038 seconds)
