公开(公告)号：CN104364902A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380026487.4

申请日：2013-05-09

Applicant: NEPES株式会社

Inventor： 权容台 ,  朴卿焄

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24155 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括精密且工艺缺陷低的贯通布线的半导体封装的制造方法。本发明的一个实施例的半导体封装包括：绝缘基板，其包括第一贯通部和第二贯通部；贯通布线，填充所述第一贯通部，被设置成穿过所述绝缘基板；半导体芯片，位于所述第二贯通部内，与所述贯通布线电连接；模制件，对所述半导体芯片和所述绝缘基板进行模塑；以及再布线图案层，位于所述绝缘基板的下侧，电连接所述贯通布线和所述半导体芯片。

公开(公告)号：CN104364902B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201380026487.4

申请日：2013-05-09

Applicant: NEPES 株式会社

Inventor： 权容台 ,  朴卿焄

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24155 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括精密且工艺缺陷低的贯通布线的半导体封装的制造方法。本发明的一个实施例的半导体封装包括：绝缘基板，其包括第一贯通部和第二贯通部；贯通布线，填充所述第一贯通部，被设置成穿过所述绝缘基板；半导体芯片，位于所述第二贯通部内，与所述贯通布线电连接；模制件，对所述半导体芯片和所述绝缘基板进行模塑；以及再布线图案层，位于所述绝缘基板的下侧，电连接所述贯通布线和所述半导体芯片。