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公开(公告)号：CN1315623C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN01800473.3
申请日：2001-03-08
Applicant: 大研化学工业株式会社 , 中山喜万
CPC classification number: B25J7/00 , B81B2201/032 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C99/002 , B82B3/00 , G01Q80/00 , Y10S977/732 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/778 , Y10S977/78 , Y10S977/837 , Y10S977/842 , Y10S977/858 , Y10S977/863 , Y10S977/875 , Y10S977/876 , Y10S977/89 , Y10S977/901 , Y10S977/962
Abstract: 静电方式的纳米镊子2的特征在于：由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成，通过在该导线间加电压，可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭，在其间把持纳米物质。另外，如在纳米管9的表面形成压电膜32，使压电膜伸缩，可自由开闭上述纳米管的前端间，则不论是绝缘体、半导体、导电体，都可对任意的纳米物质进行处理。另外，如以静电方式自由开闭3根纳米管，则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外，与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手，可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。
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公开(公告)号：CN1496333A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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公开(公告)号：CN1364141A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800473.3
申请日：2001-03-08
Applicant: 大研化学工业株式会社 , 中山喜万
IPC: B82B1/00
CPC classification number: B25J7/00 , B81B2201/032 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C99/002 , B82B3/00 , G01Q80/00 , Y10S977/732 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/778 , Y10S977/78 , Y10S977/837 , Y10S977/842 , Y10S977/858 , Y10S977/863 , Y10S977/875 , Y10S977/876 , Y10S977/89 , Y10S977/901 , Y10S977/962
Abstract: 静电方式的纳米镊子2的特征在于:由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成,通过在该导线间加电压,可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭,在其间把持纳米物质。另外,如在纳米管9的表面形成压电膜32,使压电膜伸缩,可自由开闭上述纳米管的前端间,则不论是绝缘体、半导体、导电体,都可对任意的纳米物质进行处理。另外,如以静电方式自由开闭3根纳米管,则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外,与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手,可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。
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公开(公告)号：CN103288033B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210042273.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2201/12 , G01Q70/12 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管膜结构及一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有至少一带状凹部；将该碳纳米管膜结构覆盖于该绝缘基底的表面，并使部分该碳纳米管膜结构覆盖于所述带状凹部，并在该带状凹部处悬空设置；激光刻蚀该碳纳米管膜结构的悬空设置的部分，在该碳纳米管膜结构上形成一第一镂空图案，并形成与该第一镂空图案对应的图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部连接形成一尖端，该尖端在该带状凹部处悬空设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105189821A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480021763.2
申请日：2014-04-09
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
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公开(公告)号：CN105189821B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480021763.2
申请日：2014-04-09
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
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公开(公告)号：CN103288033A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210042273.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B2201/12 , G01Q70/12 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J37/073 , H01J2201/30469 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管膜结构及一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有至少一带状凹部；将该碳纳米管膜结构覆盖于该绝缘基底的表面，并使部分该碳纳米管膜结构覆盖于所述带状凹部，并在该带状凹部处悬空设置；激光刻蚀该碳纳米管膜结构的悬空设置的部分，在该碳纳米管膜结构上形成一第一镂空图案，并形成与该第一镂空图案对应的图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部连接形成一尖端，该尖端在该带状凹部处悬空设置。
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公开(公告)号：CN1215968C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02803671.9
申请日：2002-01-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , H01L21/308 , C23F13/14
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。
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公开(公告)号：CN204138341U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420171106.3
申请日：2014-04-09
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
Abstract: 本实用新型涉及一种硅衬底上的硅柱阵列，每个硅柱在衬底上一体成型，每个硅柱包括：与衬底相距的顶点，在衬底上一体成型的基座，和延伸于顶点和基座之间的柱体，所述柱体的横截面形状在其长度范围内相同，其中，该柱体的轴纵横比大于基座的纵横比。
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