公开(公告)号：CN107039226B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710020518.5

申请日：2017-01-12

Applicant: 株式会社爱德万测试

Inventor： 滨口新一 ,  田中仁 ,  得能敦 ,  小岛信一 ,  山田章夫

IPC: H01J37/06 ,  H01J37/12 ,  H01J37/147 ,  H01J37/22 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3177 ,  H01J37/045 ,  H01J37/065 ,  H01J37/09 ,  H01J37/10 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/06308 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/31754

Abstract: 本发明提供一种曝光装置。一种曝光装置(100)，其具有形成试样上的照射位置不同的多个带电粒子束的形成部(122)，形成部(122)具有：粒子源(20)，其从在长边方向和与该长边方向垂直的短边方向上具有不同宽度的放射区域(21)放射带电粒子束；孔径阵列元件(60)，其在长边方向和与该长边方向垂直的短边方向上具有不同宽度的被照明区域(61)上配置有多个开口(62)；照明透镜(30、50)，其设置于粒子源(20)与孔径阵列元件(60)之间；以及束截面变形元件(40)，其设置于粒子源(20)与孔径阵列元件(60)之间，通过磁场或电场的作用使带电粒子束的截面形状变形成各向异性的形状。

公开(公告)号：CN105185683A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201410371581.X

申请日：2014-07-31

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： Z·M·万 ,  R·帕马纳布汗 ,  白晓 ,  G·N·蔡 ,  李静宜 ,  林哲平 ,  胡邵喻 ,  D·侯格路德 ,  R·E·凯姆 ,  K·沙丹特曼德

IPC: H01J37/36 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30477

Abstract: 在用于工件的较低剂量离子注入的示例性工艺中，可以利用离子源和提取操纵器来产生离子束。提取操纵器可定位成与所述离子源的出口孔相距间隙距离。当所述提取操纵器定位成与所述出口孔相距最优间隙距离时，可使退出离子操纵器的离子束的电流最大。提取操纵器定位成与出口孔相距的间隙距离可与所述最优间隙距离相差至少百分之十。可对第一组电极施加第一电位。在离子束穿过第一组电极时，离子束的x维度可增加。工件可定位在离子束中以将离子注入工件。

公开(公告)号：CN105185683B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201410371581.X

申请日：2014-07-31

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： Z·M·万 ,  R·帕马纳布汗 ,  白晓 ,  G·N·蔡 ,  李静宜 ,  林哲平 ,  胡邵喻 ,  D·侯格路德 ,  R·E·凯姆 ,  K·沙丹特曼德

IPC: H01J37/36 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30477

Abstract: 在用于工件的较低剂量离子注入的示例性工艺中,可以利用离子源和提取操纵器来产生离子束。提取操纵器可定位成与所述离子源的出口孔相距间隙距离。当所述提取操纵器定位成与所述出口孔相距最优间隙距离时,可使退出离子操纵器的离子束的电流最大。提取操纵器定位成与出口孔相距的间隙距离可与所述最优间隙距离相差至少百分之十。可对第组电极施加第电位。在离子束穿过第组电极时,离子束的x维度可增加。工件可定位在离子束中以将离子注入工件。

公开(公告)号：CN101901733B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010001016.6

申请日：2010-01-18

Applicant: 汉辰科技股份有限公司

Inventor： 任克川 ,  杨允儒 ,  万志民

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/147 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明是有关于一种离子布植机与调整离子束形状的方法，当离子束自分析磁铁单元输出之后，至少有一组棒状磁铁用来当离子束通过棒状磁铁周围的空间时调整离子束的形状。该组棒状磁铁可以施加多阶磁场于离子束。由于多阶磁场施加非均匀磁力以改变离子的轨迹，因此离子束的不同部分将有不同的变形或变化。此外，每一棒状磁铁仅由一电源提供电源，该组棒状磁铁仅可调整多阶磁场的强度。产生多阶磁场的结构与技术并不限于本发明所叙述者。本发明提出一种新颖的离子布植机与一种新的调整离子束的方法以有效并经济地调整离子束的形状而无须针对传统离子布植机的构造进行大幅或昂贵的修改，非常适于实用。

公开(公告)号：CN1983504B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510120697.7

申请日：2005-12-14

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/00

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明涉及一种离子源及使用所述离子源的模具抛光装置。所述模具抛光装置包括一离子源，所述离子源用于发射进行抛光的离子束，所述离子源包括一腔体及设置于所述腔体中的一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，所述阴极靠近所述阴极灯丝设置，所述屏极、加速极及可调屏极依次远离所述阴极设置，所述阴极、屏极、加速极及可调屏极上的电位依次降低，所述可调屏极包括一通孔，所述通孔大小及形状可调，从而可利用所述通孔调节射出的离子束截面大小及形状。利用本发明的模具抛光装置，可获得中心线平均表面粗糙度处于0.2～1纳米的平滑表面。

公开(公告)号：CN100538987C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN03818040.5

申请日：2003-07-29

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·本维尼斯特

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/31701

Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。

公开(公告)号：CN1672235A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818040.5

申请日：2003-07-29

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·本维尼斯特

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/31701

Abstract: 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线，其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束，以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24)，其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束，第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43)，以便减轻系统的束输运中的非线性，从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。

公开(公告)号：CN102956428B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210295451.3

申请日：2012-08-17

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 内藤胜男

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31703

Abstract: 本发明提供了一种离子注入设备，包括偏转电极和遮蔽构件。离子束具有带状形状。偏转电极基于由射束电流测量装置测量的结果，使离子束的至少一部分沿长边方向朝向短边方向偏转。遮蔽构件部分地遮蔽由偏转电极偏转的离子束。偏转电极包括平板电极和包括多个电极的电极组。电极组布置成面对平板电极，以将离子束置于平板电极与电极组之间。平板电极电接地，且多个电极彼此电独立。多个电极的每一个均连接至与其他电源独立的电源以进行电位设置。

公开(公告)号：CN100372048C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN03815473.0

申请日：2003-04-29

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·本维尼斯特

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/31701

Abstract: 公开了一种用于离子注入的离子源，它具有用来选择性地调节与从等离子体约束室中提取的延长离子束相关的密度分布的控制装置。此控制装置包含在延长的提取出口附近的多个磁体对，带状束通过提取出口从离子源中被提取，磁体对分别包含设置在提取口出口上方和下方的上部电磁体和下部电磁体，以便在预提取区中提供可调节的磁场，从而调节所提取的带状束的密度分布。

公开(公告)号：CN1983504A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510120697.7

申请日：2005-12-14

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  B23H1/00 ,  B23H9/00

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/30477 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明涉及一种离子源及使用所述离子源的模具抛光装置。所述模具抛光装置包括一离子源，所述离子源用于发射进行抛光的离子束，所述离子源包括一腔体及设置于所述腔体中的一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，所述阴极靠近所述阴极灯丝设置，所述屏极、加速极及可调屏极依次远离所述阴极设置，所述可调屏极包括一通孔，所述通孔大小及形状可调，从而可利用所述通孔调节射出的离子束截面大小及形状。利用本明的模具抛光装置，可获得中心线平均表面粗糙度处于0.2～1纳米的平滑表面。