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公开(公告)号：CN117119881A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311085287.8
申请日：2023-08-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种原子尺度声子超格栅及设计方法，利用声子模式在不同质量原子间具备不同群速度的特性进行晶格波相位控制，所述声子超格栅为由两种不同质量的同位素原子材料组成的结构，两种不同质量的原子材料分为第一质量原子材料和第二质量原子材料，第二质量原子材料部分取代第一质量原子材料形成三角形结构，所述三角形结构在第一质量原子材料区域中间沿宽度方向呈周期性连续布设。与现有技术相比，本发明利用声子模式在不同质量原子间具备不同群速度的特性，设计出三角形结构以进行晶格波相位控制，实现对声子波动行为的精准调控。
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公开(公告)号：CN115259075B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210894050.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 中山大学
IPC: B82B3/00 , H10N99/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/306 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种采用液滴刻蚀外延生长技术制备周期性阵列量子点的方法，包括：S1.设置衬底材料，进行表面清洁处理；S2.在衬底材料上生长缓冲层，在缓冲层上生长外延层；S3.通过纳米图形化衬底工艺，在外延层制备周期性阵列的纳米空洞；S4.对具有纳米空洞的外延层进行进行氢原子辅助脱氧处理；S5.在脱氧后的外延层上对纳米空洞的位置定位沉积III族金属液滴，在高温下金属液滴向下刻蚀；S6.在刻蚀后的外延层上填充量子点材料；S7.在量子点和外延层上生长盖层，完成制备。本发明将液滴刻蚀引入量子点定位生长技术，通过对原有图形层的进一步刻蚀，以消除图形加工过程引入的缺陷和损伤，有利于减少量子点生长过程中引入的缺陷，提高量子点材料的性能。
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公开(公告)号：CN118370021A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202380014979.5
申请日：2023-01-26
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本电气硝子株式会社
Abstract: 本发明提供具有大的ON/OFF电流比并且能够获得稳定的开关作用的电阻可变材料、开关元件用材料、开关层、开关元件和存储装置。该电阻可变材料以原子％计含有1％～40％的Ge、40％～90％的Te、1％～59％的Si+Al+Ga+Sn+Bi+Cu+Ag+Zn+Y+In+Ca+Mg。
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公开(公告)号：CN118235545A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074259.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 马克斯-普朗克科学促进协会
Inventor： 约亨·曼哈特
Abstract: 一种纳米级装置(10)的三维排列(100)，该排列(100)包括支架结构(11)；以及多个纳米级装置(10)，所述纳米级装置(10)被配置为表现出电子量子波包的非互易传输概率，其中所述纳米级装置(10)附着至所述支架结构(11)，其中大部分纳米级装置(10)以电子量子波包的较高传输概率的一个且同一个的传输方向定向。
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公开(公告)号：CN109390467B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201810908334.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N99/00
Abstract: 本公开提供了一种电容器结构及包括其的半导体器件。该电容器结构包括：包括电极垫和地垫的衬底；在衬底上的多个电介质层，多个电介质层在衬底上处于不同的水平；在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116222828A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211455986.2
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC: G01L1/00 , H01L29/84 , H10N99/00 , C23C14/10 , C23C14/46 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种抗静电耐高电压合金薄膜压敏芯片及其制备方法，该芯片包括基底，以及在基底上依次制备缓冲层、第一氧化铝薄膜、第一氧化硅薄膜、第二氧化铝薄膜、第二氧化硅薄膜、敏感层和保护层。本发明合金薄膜压敏芯片，采用的复合绝缘层的介质耐电压可达到800V以上，抗静电性能达到6000V以上，作为合金薄膜压敏芯片的绝缘层，能显著提升其抗静电性能和介质耐电压能力，能够满足高铁、航天等领域的实际应用要求，且本发明合金薄膜压敏芯片还具有精度高、温漂小、稳定性好等优点，达到了国际先进水平。本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、生产效率高等优点，对于扩大薄膜压力传感器在高铁、航天等领域中的广泛应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119586340A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055078.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , G11C5/04 , G11C11/405 , H10D30/01 , H10D84/03 , H10D84/80 , H10D84/83 , H10D30/67 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B10/10 , H10B41/70 , H10B63/00 , H10B63/10 , H10B99/00 , H10N70/00 , H10N99/00
Abstract: 提供一种存取速度快的半导体装置。半导体装置包括第一存储层、第二存储层以及电路层。第一存储层包括多个第一存储电路，第二存储层包括第二存储电路，电路层包括选择器。选择器包括多个输入端子及输出端子。第一存储层位于电路层的下方，第二存储层位于电路层的上方。多个第一存储电路都与多个输入端子电连接，第二存储电路与输出端子电连接。选择器具有使选自多个输入端子中的一个与选择器的输出端子间成为导通状态的功能。另外，半导体装置具有将从第二存储电路读出的数据通过选择器写入到第一存储电路的功能。
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公开(公告)号：CN118265444A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410247976.2
申请日：2024-03-05
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及微纳结构领域，尤其是涉及一种原子尺度声子超结构及其设计方法。其中的超结构包括相邻分布的超格栅和超晶格，利用超格栅实现晶格波传播方向的调控并实现能量在不同模式之间的分配，结合声子超晶格进一步实现晶格波的非对称输运。其设计方法结合机器学习的反向设计方法，目标是最大化能量的非对称输运。与现有技术相比，本发明具有不依赖通常的声子散射图像，而利用声子的波动性质实现对晶格波输运的精准调控，具有更好的鲁棒性等优点。
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公开(公告)号：CN116131792A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211584941.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 南京国博电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小型化椭圆函数响应双路滤波电子装置，其特征在于，包括第一滤波电路、第二滤波电路、隔离网络Iso1、隔离网络Iso2、第一端口PORT1、第二端口PORT2和第三端口PORT3，所述第一滤波电路包括第一谐振器Res1、第二谐振器Res2、第三谐振器Res3、匹配电容C4和匹配电感L4，所述第二滤波电路与所述第一滤波电路结构相同。该小型化椭圆函数响应双路滤波电子装置使用异构集成的滤波电路代替四分之一波长传输线，此滤波电路结合半导体无源集成工艺和多层基板工艺各自的优势具有小型化、高性能的特点。
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公开(公告)号：CN221149356U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202322889708.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种量子器件及量子比特信号的读出系统，属于微电子电路技术领域。所述量子器件，包括：形成于衬底上的比特信号输入端、泵浦信号输入端和参量放大器；以及，形成于所述衬底上的耦合部，所述耦合部包括形成耦合的第一耦合元件和第二耦合元件，且所述第一耦合元件的一端与泵浦信号输入端连接，另一端用于连接堵头，所述第二耦合元件的一端与所述比特信号输入端，另一端与所述参量放大器的输入端连接。基于本申请提供的方案，将耦合部和参量放大器集成到同一衬底上，相对于该两个器件分立的状态，对极低温空间的占用小。
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