公开(公告)号：KR1020120112054A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120029164

申请日：2012-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이도야스유키 ,  스기타킷페이 ,  야마구치타츠야

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C23C16/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304

Abstract: PURPOSE: A cleaning method and a film depositing method are provided to prevent the carbonization of polyimide by heating a deposition container at 360°C to 540 deg;C in the state creating oxygen atmosphere. CONSTITUTION: A first source gas and a second source gas are provided within a deposition container. The first source gas is comprised of acid anhydride. The second source gas is comprised of diamine. Oxygen atmosphere is created within the deposition container(S12). The deposition container is heated at 360°C to 540 deg;C in the state of the oxygen atmosphere(S13). Polyimide is eliminated by oxidizing the polyimide remaining within the deposition container(S18). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Treatment process; (CC) End; (S11) Carrying a wafer in a deposition container(carry-in process); (S12) Decompressing the inner side of the deposition container(decompression process); (S13) Raising the temperature of the wafer to a deposition temperature(recovery process); (S14) Forming a polyimide film(film forming process); (S15) Purging the inner side of the deposition container(purge process); (S16) Restoring the pressure of the inner side of the deposition container to atmospheric pressure(pressure restoration process); (S17) Carrying out the wafer from the deposition container(carry-out process); (S18) Oxidizing and removing polyimide remaining in the deposition container

Abstract translation: 目的：提供清洁方法和膜沉积方法，以在产生氧气氛的状态下，通过在360℃至540℃下加热沉积容器来防止聚酰亚胺的碳化。 构成：第一源气体和第二源气体设置在沉积容器内。 第一源气由酸酐组成。 第二源气由二胺构成。 在沉积容器内产生氧气（S12）。 在氧气氛中，沉积容器在360℃加热至540℃（S13）。 通过氧化保留在沉积容器内的聚酰亚胺来除去聚酰亚胺（S18）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）治疗过程; （CC）结束; （S11）在沉积容器中携带晶片（进入工艺）; （S12）解压缩沉积容器的内侧（减压处理）; （S13）将晶片的温度提高至沉积温度（恢复处理）; （S14）形成聚酰亚胺膜（成膜法）; （S15）清洗沉积容器的内侧（吹扫处理）; （S16）将沉积容器的内侧的压力恢复到大气压（压力恢复处理）; （S17）从沉积容器进行晶片（进行处理）; （S18）保留在沉积容器中的氧化和除去聚酰亚胺

公开(公告)号：KR1020150125586A

公开(公告)日：2015-11-09

申请号：KR1020150057995

申请日：2015-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이도야스유키 ,  신도나오키 ,  오리이다케히코 ,  에가시라게이스케 ,  하치야요스케 ,  오오이시고타로 ,  가와노히사시 ,  시모무라신이치로

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B12/14 ,  B05C11/115 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715

Abstract: 노즐내에서의가수분해열화에따른실릴화액의폐기량을저감한다. 노즐(43) 내의실릴화액유로(431)에차단유체를공급함으로써, 실릴화액유로내에있는실릴화액보다토출구(434)에가까운측에존재하는차단유체에의해실릴화액유로내에있는실릴화액을토출구의외부의분위기로부터차단한다.

Abstract translation: 由于喷嘴中的水解劣化引起的消耗的甲硅烷基化液体的量减少。 向喷嘴（43）中的甲硅烷基化液体流路（431）供给封闭流体，以通过存在于更靠近排出口的一侧的阻塞流体从排出孔的外部气氛中阻断甲硅烷醇化液体流路中的甲硅烷基化液体 （434）比硅烷化液体流路中的甲硅烷基化液体。