公开(公告)号：KR1020090008650A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020070071756

申请日：2007-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노주희 ,  김경석 ,  이창훈 ,  김비오 ,  형용우 ,  한재종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4916 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823842

Abstract: A method for forming a thin film structure and a method for forming a gate electrode using the same are provided to reduce a process failure of a patterning process by preventing the particle from remaining on the surface of the thin film structure due to an organic material. A first thin film(102) is formed on a substrate(100). A part of the first thin film is doped with the impurity. A thermal process using the oxygen gas is performed in the first thin film doped with the impurity. The organic material remaining the first thin film is removed. An oxide film(106) is formed on the first thin film. A second thin film on the oxide film is made of the nitride.

Abstract translation: 提供了一种用于形成薄膜结构的方法和使用其形成栅电极的方法，以通过防止由于有机材料而使颗粒残留在薄膜结构的表面上而减少图案化过程的处理失败。 第一薄膜（102）形成在基板（100）上。 第一薄膜的一部分掺杂有杂质。 在掺杂有杂质的第一薄膜中进行使用氧气的热处理。 去除剩下第一薄膜的有机材料。 在第一薄膜上形成氧化膜（106）。 氧化膜上的第二薄膜由氮化物制成。

公开(公告)号：KR1020080107186A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：KR1020070055185

申请日：2007-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  유대한 ,  형용우 ,  한재종 ,  김비오 ,  손길환

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14687 ,  H01L28/40

Abstract: A method of fabricating an image device having a capacitor and an image device fabricated thereby are provided to suppress the generation of noise of the image device. A manufacturing method of the imaging device comprises the following steps: the step for preparing the substrate having the pixel region (A) and peripheral circuit region (B,C); the step for forming the bottom electrode(115b) containing the silicon atom on the top of the substrate of the peripheral circuit region; the step for forming the capacitor dielectric film(121) including the first dielectric layer(120a) and the second dielectric layer(120b); the step for forming the upper electrode on the capacitor dielectric film. One of the first and second dielectric layers is the dielectric layer grown from the material layer formed in the lower part and has the dielectric constant greater than that of the other one.

Abstract translation: 提供一种制造具有电容器和由其制造的图像器件的图像器件的方法，以抑制图像器件的噪声的产生。 该成像装置的制造方法包括以下步骤：准备具有像素区域（A）和外围电路区域（B，C）的基板的步骤; 用于形成在外围电路区域的基板的顶部上含有硅原子的底部电极（115b）的步骤; 形成包括第一电介质层（120a）和第二电介质层（120b）的电容器电介质膜（121）的步骤; 用于在电容器电介质膜上形成上电极的步骤。 第一和第二电介质层中的一个是从下部形成的材料层生长的介电层，其介电常数大于另一个介电常数。

公开(公告)号：KR1020080002063A

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020060060631

申请日：2006-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이고은 ,  이공수 ,  김경석 ,  박상진 ,  형용우 ,  한재종

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/28273

Abstract: A method for forming a contact hole is provided to suppress generation of a seam or void in a material layer filled in a contact hole by forming a buffer layer on the inner surface of a preliminary contact hole formed in an interlayer dielectric made of a nitride material and an oxide material. An interlayer dielectric in which a first material and a second material different from the first material are stacked is formed on a substrate(100). The interlayer dielectric is partially etched to form an interlayer dielectric pattern(112) having a preliminary contact hole exposing the surface of the substrate. A protection spacer(118) is formed on the lateral surface of the interlayer dielectric pattern so that the lateral surface of the interlayer dielectric pattern exposed by the preliminary contact hole is not etched by a subsequent cleaning process. A native oxide layer formed on the surface of the exposed substrate is cleaned to form a contact hole having a smaller width than that of the preliminary contact hole. The first material is an oxide material, and the second material is a nitride material. The protection spacer is made of a nitride material.

Abstract translation: 提供一种形成接触孔的方法，以通过在由氮化物材料制成的层间电介质形成的预接触孔的内表面上形成缓冲层来抑制填充在接触孔中的材料层中的接缝或空隙的产生 和氧化物材料。 在基板（100）上形成层叠电介质，其中第一材料和与第一材料不同的第二材料层叠。 部分地蚀刻层间电介质以形成具有暴露衬底表面的预接触孔的层间电介质图案（112）。 在层间电介质图案的侧表面上形成保护间隔物（118），使得由预接触孔暴露的层间电介质图案的侧表面不会被随后的清洁处理蚀刻。 在露出的基板的表面上形成的自然氧化物层被清洗以形成具有比预接触孔小的宽度的接触孔。 第一材料是氧化物材料，第二材料是氮化物材料。 保护间隔物由氮化物材料制成。

公开(公告)号：KR100655774B1

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020040082048

申请日：2004-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  박재영 ,  이현덕 ,  임기빈 ,  신원식 ,  형용우 ,  임헌형 ,  장원준 ,  남석우

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L28/91

Abstract: 다양한 식각 용액에 대하여 매우 우수한 내성을 갖는 식각 저지 구조물 및 이를 포함하는 반도체 장치가 개시된다. 하부 구조물을 포함하는 기판 상에 하프늄 산화물 또는 알루미늄 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 형성한 후, 금속 산화물층을 약 200∼900℃의 온도에서 열처리하여 식각 저지 구조물을 형성한다. 적어도 산화막 및 질화막을 식각하는 식각 용액에 대하여 극히 우수한 내성을 갖는 금속 산화물층을 포함하는 식각 저지 구조물을 적용하여, 반도체 장치의 여러 가지 구조를 형성하기 위한 다양한 식각 공정 동안 식각 저지 구조물 아래에 위치하는 하부 구조물을 식각 손상 없이 안정적으로 보호할 수 있다.

公开(公告)号：KR100634241B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020050045383

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경석 ,  형용우 ,  박재영 ,  이현덕 ,  임기빈 ,  이욱열 ,  이고은 ,  김영진 ,  남석우

IPC: H01L27/108

Abstract: A semiconductor capacitor and its manufacturing method are provided to decrease equivalent oxide thickness and to improve leakage current characteristics by forming a SIM(Semiconductor-Insulator-Metal) structure. A lower electrode(12) is formed on a semiconductor substrate(10). A dielectric(14) is formed on the lower electrode. An upper electrode(16) is formed on the dielectric and has a multi layered structure of a poly crystalline four group semiconductor material. The four group semiconductor material includes silicon, germanium, and mixture thereof. The multi layered structure of the four group semiconductor material includes lower silicon and upper silicon-germanium mixture, lower germanium and upper silicon-germanium mixture, lower silicon-germanium mixture and upper silicon, or lower silicon-germanium mixture and upper germanium.

Abstract translation: 提供半导体电容器及其制造方法以通过形成SIM（半导体 - 绝缘体 - 金属）结构来减少等效氧化物厚度并改善漏电流特性。 下电极（12）形成在半导体衬底（10）上。 电介质（14）形成在下电极上。 上电极（16）形成在电介质上并且具有多晶四族半导体材料的多层结构。 四组半导体材料包括硅，锗及其混合物。 四个组的半导体材料的多层结构包括下硅和上部硅 - 锗混合物，低级锗和上部硅 - 锗混合物，低级硅 - 锗混合物和上方的硅，或更低的硅锗混合物和上部锗。

公开(公告)号：KR1020060029772A

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020040078607

申请日：2004-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11541 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11539

Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 장치의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 플래쉬 메모리 소자의 적층게이트를 형성함에 있어서, 상기 적층게이트 중 플로팅 게이트를 휀스(fence) 형태의 요철형 구조로 형성함을 특징으로 한다. 상기 플로팅 게이트의 표면적이 월등히 증가함에 따라 게이트층간 유전체막(ONO막)과의 접촉 면적 또한 증가하게 되어 플래쉬 메모리 소자의 데이터 프로그램 및 소거 특성이 향상된다. 그리고, 플로팅 게이트를 휀스 형태의 요철형 구조로 형성할 경우, 그 표면적은 월등히 증가시키면서도 플로팅 게이트로서 기능하는 도전막의 증착 두께를 보다 낮출 수 있으므로 STI 형성을 위한 절연막 필링시 갭필 마진을 확보할 수 있게 되며, 플로팅 게이트 형성을 위한 도전막 증착시에도 심(seam) 형태의 디펙이 발생되는 문제점을 최소화할 수 있게 된다. 또한, 플로팅 게이트로서 기능하는 도전막의 증착 두께를 낮춤으로써 플래쉬 메모리 소자의 셀 어레이 영역과 주변회로 영역간의 단차를 낮추어 후속의 공정 진행이 원활해지도록 하여 결과적으로 생산성 또한 향상시킬 수 있게 된다.

플래쉬 메모리, 플로팅 게이트, 콘트롤 게이트, ONO, 심(seam)

公开(公告)号：KR1020050113793A

公开(公告)日：2005-12-05

申请号：KR1020040038901

申请日：2004-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  이웅 ,  임헌형 ,  이현덕 ,  나기수 ,  형용우 ,  이재동

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/02323 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: A method of forming a dielectric layer having a reduced thickness according to embodiments of the invention includes forming a lower oxide layer on a substrate, and forming a nitride layer on the lower oxide layer. Then, a preliminary oxide layer is formed on the nitride layer. A radical oxidation process using oxygen radicals is performed on the preliminary oxide layer to form an upper oxide layer on the nitride layer. The dielectric layer includes an ONO composite layer consisting of the lower oxide layer, the nitride layer, and the upper oxide layer. Due to the decreased thickness of the dielectric layer, the dielectric layer has an improved capacitance and an increased coupling coefficient.

公开(公告)号：KR100498419B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1019970077792

申请日：1997-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 형용우 ,  이세진 ,  남석우

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자에 사용되는 실리콘 리치 질화막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 수직형 저압화학기상증착 장비를 사용하여 사일레인 가스 및 암모니아 가스의 유량비를 1.5:1 내지 2.5:1로 조절함으로써 스트레스가 감소된 실리콘 리치 질화막을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 실리콘 리치 질화막을 반도체소자의 제조공정, 특히 소자분리 공정의 패드질화막으로 사용하는 경우 반도체기판에 가해지는 스트레스를 완화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030084041A

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：KR1020020022516

申请日：2002-04-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안재영 ,  이상인 ,  형용우 ,  김영석 ,  강만석

IPC: H01L21/318 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/342 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an insulation layer of a semiconductor device with a multilayered nanolaminate structure and a fabricating method therefor are provided to improve a wet etch characteristic and obtain a low dielectric constant by forming an insulation layer used as a dielectric layer of the semiconductor device such that the insulation layer is made of the multilayered nanolaminate structure in which a SiNx layer and a BN layer are alternatively stacked. CONSTITUTION: A silicon nitride layer(210) is formed on a wafer(100). A boron nitride layer(220) is formed on the silicon nitride layer. The abovementioned processes are alternatively repeated to form a multilayered nanolaminate thin film(200). An atomic layer deposition process is repeatedly performed a predetermined number of times to form the silicon nitride layer and the boron nitride layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有多层纳米层状结构的半导体器件的绝缘层的方法及其制造方法，以通过形成用作半导体的电介质层的绝缘层来改善湿蚀刻特性并获得低介电常数 器件，使得绝缘层由其中交替堆叠SiNx层和BN层的多层纳米层状结构制成。 构成：在晶片（100）上形成氮化硅层（210）。 在氮化硅层上形成氮化硼层（220）。 交替重复上述方法以形成多层纳米级氨基酸盐薄膜（200）。 重复进行原子层沉积工艺预定次数以形成氮化硅层和氮化硼层。

公开(公告)号：KR1020030072104A

公开(公告)日：2003-09-13

申请号：KR1020020011671

申请日：2002-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영석 ,  이상인 ,  형용우 ,  강만석 ,  안재영

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film is provided to be capable of improving step coverage and uniformity of the thin film by forming an SiBN film using an ALD(Atomic Layer Deposition). CONSTITUTION: The first reactant and the second reactant are adsorbed on a wafer by supplying the first and second reactants into an ALD chamber. The residual first and second reactants are purged by applying the third reactant into the chamber. The fourth reactant is supplied into the chamber. The residual fourth reactant is purged by applying the fifth reactant into the chamber. These processes are repeatedly performed to form a ternary film, such as a SiBN film. The first reactant is BCl3, BBr3, B3H6 or BF3. The second reactant is SiH2Cl2, SiCl4, Si2Cl6, or SiH4.

Abstract translation: 目的：提供一种形成薄膜的方法，通过使用ALD（原子层沉积）形成SiBN膜，能够提高薄膜的台阶覆盖率和均匀性。 构成：通过将第一和第二反应物供应到ALD室中，将第一反应物和第二反应物吸附在晶片上。 通过将第三反应物施加到室中来清除残留的第一和第二反应物。 将第四反应物供入室内。 通过将第五反应物施加到室中来清除残留的第四反应物。 重复进行这些处理以形成三元膜，例如SiBN膜。 第一反应物是BCl3，BBr3，B3H6或BF3。 第二反应物是SiH 2 Cl 2，SiCl 4，Si 2 Cl 6或SiH 4。