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公开(公告)号：KR102214673B1
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR1020190021745
申请日：2019-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/10
Abstract: 광전소자가개시된다. 광전소자는기판; 기판상에서제1 방향으로서로이격되게배치된제1 전극과제2 전극; 및 M+N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고제1 방향을따라연장된하나이상의제1 영역및 제1 영역의하부 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로부터연장된 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고제1 영역과인접한위치에서제1 방향으로따라연장된하나이상의제2 영역을포함하고, 제1 및제2 영역들의상기제1 방향에따른양쪽단부영역들은제1 및제2 전극에각각전기적으로연결된전이금속디칼코게나이드박막을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020170104063A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020160026131
申请日：2016-03-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은스퍼터링증착장치에관한것으로서, 본발명에따른스퍼터링증착장치는피증착기판과타겟이서로대향하도록내부에배치되며스퍼터링반응공간을제공하는챔버, 피증착기판과타겟사이의일영역에제 1 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 1 플라즈마발생부및 피증착기판과타겟사이의다른일 영역에제 2 가스를이용하여플라즈마를발생시키는제 2 플라즈마발생부를포함하는것을.특징으로한다.
Abstract translation: 溅射成膜装置及溅射成膜装置技术领域本发明涉及一种溅射成膜装置及溅射成膜装置，其包括：配置在被成膜基板的内部的相对的室，并且设置溅射反应空间; 以及第二等离子体发生器，用于通过在要被气相沉积的衬底和目标之间的另一区域中使用第二气体来产生等离子体。
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公开(公告)号：KR101556830B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020130143834
申请日：2013-11-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: 유도결합형플라즈마소스및 이를포함하는스퍼터링장치가개시된다. 본발명에따른유도결합형플라즈마소스는외주면에다수개의홀을가지는원통형의제1 튜브, 외주면에다수개의홀을가지며상기제1 튜브의외주면을둘러싸는원통형의제2 튜브및 상기제1 튜브에권취되는안테나를포함하며, 상기제1 튜브내부에서플라즈마를발생시키고상기제1 튜브및 제2 튜브의다수개의홀을통하여외부로방출시키는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른스퍼터링장치는상기유도결합형플라즈마소스, 스퍼터링타겟이놓여지는캐소드및 처리기판을포함하며, 상기유도결합형플라즈마소스에의하여플라즈마가발생하는영역과상기캐소드와처리기판사이의플라즈마가발생하는영역으로구분되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101547066B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140134751
申请日：2014-10-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J37/32908 , H01J37/32009 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H05H1/24
Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리시 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지하는 저손상 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소스 전극과 스테이지 사이에 배치되며, 도전체로 형성되고, 플라즈마 처리 장치에 구비된 진공 챔버와 전기적으로 절연 상태인 제1 그리드를 포함하여 이루어짐으로써, 불순물 입자 또는 너무 높은 에너지를 가진 플라즈마 입자에 의해 대상물체에 발생할 수 있는 손상을 방지한다.
Abstract translation: 公开了一种低损伤等离子体处理装置，其防止在等离子体工艺中对目标的损坏。 根据本发明的等离子体处理装置包括：第一栅极，其布置在源电极和台之间并且由导体制成并且与等离子体处理装置中的真空室电绝缘。 因此，防止了由于杂质颗粒或具有非常高能量的等离子体颗粒而导致的目标物的损伤。
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公开(公告)号：KR1020150059993A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130143834
申请日：2013-11-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3471
Abstract: 유도결합형플라즈마소스및 이를포함하는스퍼터링장치가개시된다. 본발명에따른유도결합형플라즈마소스는외주면에다수개의홀을가지는원통형의제1 튜브, 외주면에다수개의홀을가지며상기제1 튜브의외주면을둘러싸는원통형의제2 튜브및 상기제1 튜브에권취되는안테나를포함하며, 상기제1 튜브내부에서플라즈마를발생시키고상기제1 튜브및 제2 튜브의다수개의홀을통하여외부로방출시키는것을특징으로한다. 또한, 본발명에따른스퍼터링장치는상기유도결합형플라즈마소스, 스퍼터링타겟이놓여지는캐소드및 처리기판을포함하며, 상기유도결합형플라즈마소스에의하여플라즈마가발생하는영역과상기캐소드와처리기판사이의플라즈마가발생하는영역으로구분되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于提高溅射产率的电感耦合等离子体源，以及使用该等离子体源的溅射装置。 根据本发明，电感耦合等离子体源包括：圆筒形第一管，其在外圆周上具有多个孔; 圆筒状的第二管，其在外周具有多个孔，并且包围第一管的外周; 以及缠绕在第一管上的天线。 从第一管的内部产生等离子体，通过第一管和第二管上的多个孔排出到外部。 除此之外，溅射装置包括：电感耦合等离子体源; 放置溅射靶的阴极; 和处理基板。 溅射装置被分离成通过电感耦合等离子体源产生等离子体的区域，以及阴极和处理基板之间的区域以产生等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102247692B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020200103982
申请日：2020-08-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , H01L29/16 , H01L21/324 , H01L21/027
Abstract: 펠리클구조체가개시된다. 펠리클구조체는다층그래핀으로형성된그래핀막; 및그래핀막의하부에부착또는결합되고, 가운데부분에상기그래피막을노출시키는관통개구가형성된프레임지지체를구비한다. 그리고프레임지지체는 n-형실리콘(n-type Si) 또는 p-형실리콘(p-type Si)으로형성된실리콘프레임부; 및그래핀막과실리콘프레임부사이에배치되어실리콘프레임부와그래핀막사이의원소확산을방지하는확산방지프레임부를구비한다.
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公开(公告)号：KR101843622B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020150180844
申请日：2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020170072988A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020150180844
申请日：2015-12-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은블록공중합체의표면경화방법에관한것으로, 황이포함된가스를이용한플라즈마처리를통하여블록공중합체표면을경화함으로써, 경화및 열적안정성이낮은블록공중합체의표면을별도의공정과정없이간단하고저렴하게경화시켜, 블록공중합체마스크를통해실리콘및 이를포함하는피식각물의선택적인식각을직접진행할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明块通过使用含有，下部嵌段共聚物的固化性和热稳定性的简单的表面上的气体，没有任何额外的制造过程通过等离子体处理固化所述嵌段共聚物表面涉及硫与共聚物的表面硬化方法， 并且被廉价地固化，使得可以直接通过嵌段共聚物掩模执行硅和包括硅的蚀刻溶液的选择性蚀刻。
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