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公开(公告)号：KR100937167B1
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：KR1020070054762
申请日：2007-06-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 나노 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 기판 상에 전도층 및 양극산화물질층을 순서대로 형성하는 단계; 상기 양극산화물질층을 양극산화시켜 다수의 나노 포어를 형성하는 단계; 상기 나노 포어 하부에 형성된 상기 양극산화물질층의 산화물을 제거하여, 상기 양극산화물질층의 산화물 하부와 상기 전도층 표면 사이에 형성된 상기 전도층의 산화물을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 전도층의 산화물을 제거하여, 상기 나노 포어 하부에 상기 전도층을 노출시키는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 포어 하부의 전도층의 산화물만을 선택적으로 제거할 수 있어, 나노 포어 내부에 성장시킨 물질과 하부전극과의 전도성이 우수하게 유지되어, 소자로서 기능성을 향상시킬 수 있다.
나노 구조체, 나노 포어, 양극산화물질층, 전도층, 하부전극, 산화물, 식각용액-
公开(公告)号：KR1020090076597A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002636
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。
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公开(公告)号：KR100713943B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。
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公开(公告)号：KR1020060103356A
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：KR1020050025209
申请日：2005-03-26
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 균일한 분포를 가지는 양자점 박막 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 콜로이드 방법으로 제조한 양자점을 액상 무기감광막 물질에 혼합하고, 이 혼합 물질을 기판에 도포하는 방법으로 양자점 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 양자점 박막은 무기감광막의 특성과 양자점의 특성을 동시에 가지며, 이러한 박막을 이용한 전자소자, 광소자 및 자성소자 제작이 가능하다.
양자점, 콜로이드, 무기 감광막-
公开(公告)号：KR1020050075073A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020040002845
申请日：2004-01-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B82B3/0038 , B82Y40/00 , C02F1/725 , C02F2305/10 , D01D5/0015 , D06M10/025 , D06M11/46
Abstract: 본 발명은 대면적 기판 위에 콜로이드 용액내의 양자점을 다중 딥코팅(dip-coating) 방법을 사용하여 흡착(adsorption)함으로써 양자점의 표면 점유율을 단일층막 수준으로 균일하게 배열하는 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 다중 딥코팅 방법을 사용하여 기판에 균일한 배열을 가지는 양자점 클러스터 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020094479A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020010032716
申请日：2001-06-12
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/203 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for arraying quantum dots on a substrate are provided to array uniformly the quantum dots on the substrate by using colloid solution with density of nanosphere. CONSTITUTION: A bath(1) is used for storing colloidal solution. The bath(1) is installed in the inside of a storage tank(7). The bath(1) is moved by vibration of a motor(2). A substrate(5) is dipped into the bath(1) when the storage tank(7) is moved to an upper direction. The substrate(5) is drawn from the bath(1) when the storage tank(7) is moved to a lower direction. A motor(2) has a speed range of 0.01 to 0.1 mm/sec. A rotator(3) is installed on a substrate holder in order to an angle of the substrate(5). A heating portion(6) such as a lamp is located beside the bath(1) in order to heat coated solution. A supplier(4) is used for applying an electric field or a magnetic field.
Abstract translation: 目的：提供一种在基板上排列量子点的方法和装置，通过使用纳米球密度的胶体溶液均匀地排列在基板上的量子点。 规定：使用浴（1）保存胶体溶液。 浴（1）安装在储罐（7）的内部。 浴缸（1）通过电动机（2）的振动而移动。 当储存箱（7）向上方移动时，将基板（5）浸入槽（1）中。 当储存罐（7）向下方移动时，基板（5）从槽（1）中被拉出。 电机（2）的转速范围为0.01〜0.1mm / sec。 旋转体（3）以基板（5）的角度安装在基板支架上。 为了加热涂布的溶液，诸如灯的加热部分（6）位于浴（1）旁边。 供应商（4）用于施加电场或磁场。
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公开(公告)号：KR100928058B1
公开(公告)日：2009-11-23
申请号：KR1020080010050
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 대물렌즈 조리개 제조방법, 제조된 대물렌즈 조리개 및 이를 이용한 패턴형성장치가 개시된다. 본 발명에 따른 대물렌즈 조리게 제조방법은 결정질 시편의 회절도형을 획득하고, 획득된 회절도형을 바탕으로 원하는 고분해능 원자이미지를 얻기 위해, 투과시킬 회절빔 및 투과빔을 선택한다. 그리고 선택된 회절빔 및 투과빔을 투과시키는 개구부를 대물렌즈 조리개용 플레이트에 형성시킨다. 본 발명에 따르면, 하나의 시편을 이용하여 다양한 원자이미지를 얻을 수 있어 여러 가지 패턴을 형성하고자 할 때 시편을 교체하는데 소요되는 시간과 노력이 절감된다.
Abstract translation: 提供一种目标孔径制造方法和使用该方法的图案形成装置，以通过从TEM中去除穿透样本的背景噪声来保持电子束的背景强度均匀。 目标孔径制造方法包括：获得晶体样本的衍射图案的步骤（S710）; 根据e衍射图案选择衍射光束和透射光束以获得高分辨率的原子图像的步骤（S720）; 在用于物镜孔径的板上形成开口部分的步骤; 以及通过开口部分传送衍射光束和选择的传输光束的步骤（S730）。
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公开(公告)号：KR1020090084085A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010050
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03B9/07 , G02B21/0016 , G02B26/04 , H01L21/268
Abstract: An objective aperture manufacturing method and a pattern forming device using the same are provided to keep the background intensity of the electronic beam uniform by removing the background noise penetrating a specimen from a TEM. An objective aperture manufacturing method comprises: a step of obtaining the diffraction pattern of a crystalloid specimen(S710); a step of selecting the diffraction beam and transmitting beam in order to get the atom image of the high resolving power based on e diffraction pattern(S720); a step of forming an opening part at a plate for the objective lens aperture; and a step of transmitting the diffraction beam and the selected transmitting beam through the opening part(S730).
Abstract translation: 提供了一种客观孔径制造方法和使用其的图案形成装置，通过从TEM中去除穿透样本的背景噪声来保持电子束的背景强度均匀。 一种客观孔径制造方法，包括：获得晶体样品的衍射图案的步骤（S710）; 选择衍射光束和透射光束以便获得基于e衍射图案的高分辨能力的原子图像的步骤（S720）; 在用于物镜孔的板上形成开口部的步骤; 以及通过开口部发送衍射光束和所选择的发射光束的步骤（S730）。
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公开(公告)号：KR100907473B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070095633
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 실리사이드 나노점(silicide nanodot) 형성방법 및 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물을 개시한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법은 기판 상에 금속층과 산소를 함유하는 실리콘층으로 이루어진 계면이 적어도 하나 형성된 적층구조물을 준비하고 이 적층구조물 상에 전자빔을 조사하여 계면 상에 실리사이드 나노점을 형성하는 것이다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 기판과 기판 상에 형성된 금속층과 금속층 상에 형성된 금속층과 동종의 금속이 포함되어 있는 실리사이드 나노점을 구비한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법에 의하면, 실리사이드 나노점의 크기가 실리사이드 나노점을 둘러싸고 있는 산소를 많이 함유한 실리콘에 의해 제한되므로 균일한 형상을 갖는 10nm 이하의 나노점을 형성할 수 있다. 또한, 전자빔을 이용함으로써 손쉽게 크기와 밀도가 균일한 패터닝된 나노점 어레이를 구현할 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 금속층 상에 실리사이드 나노점이 형성되어 있어 나노와이어나 탄소 나노튜브의 촉매나 전계방출소자(field emission display, FED)의 에미션 팁(emission tip) 그리고 에칭이나 산화시에 하드마스크로서 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090072993A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020080132248
申请日：2008-12-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0758 , G03F7/004 , G03F7/0043 , G03F7/0045 , G03F7/075 , G03F7/0754
Abstract: A resist for the electron beam lithography is provided to improve the sensitivity and resolution to the electron beam and to allow a semiconductor device to be prepared more easily. A resist for the electron beam lithography is a copolymer obtained by copolymerizing a compound represented by the formula 1 and a compound represented by the formula 2, and has a number average molecular weight of 500 ~ 30,000, wherein R1 ~ R9 are hydrogen or an alkyl group of the carbon number 1 ~ 5; X is hydrogen, -OH, an alkyl group of the carbon number 1 ~ 5, an alkoxy radical of the carbon number 1 ~ 5, norbornyl, a norbornylalkyl group of the carbon number 8 ~ 13, norbornenyl, a norbornenylalkyl group of the carbon number 8 ~ 13, a haloalkylphenyl group of the carbon number 7 ~ 12, or a haloalkylphenylalkyl group of the carbon number 8 ~ 18; and Z is an alkyl group of the carbon number 1 ~ 6 or the group represented by the formulas 3 to 5.
Abstract translation: 提供了用于电子束光刻的抗蚀剂以提高对电子束的灵敏度和分辨率，并且允许更容易地制备半导体器件。 用于电子束光刻的抗蚀剂是通过使由式1表示的化合物与式2表示的化合物共聚得到的共聚物，其数均分子量为500〜30,000，其中R 1〜R 9为氢或烷基 一组碳数1〜5; X为氢，-OH，碳数为1〜5的烷基，碳数为1〜5的烷氧基，降冰片基，碳数为8〜13的降冰片烷基，降冰片烯基，碳原子的降冰片烯基 数8〜13，碳数7〜12的卤代烷基苯基或碳数8〜18的卤代烷基苯基烷基; Z为碳数1〜6的烷基或式3〜5所示的基团。
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