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    뉴로모픽 장치
    1.
    发明申请
    뉴로모픽 장치 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021002523A1

    公开(公告)日：2021-01-07

    申请号：PCT/KR2019/008303

    申请日：2019-07-05

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 블라디미르코르니축 ,  정두석 ,  곽준영 ,  김재욱 ,  박종길 ,  김인호 ,  박종극 ,  이수연 ,  정연주 ,  장준연

    IPC: G06N3/063

    Abstract: 본 발명은 뉴로모픽 장치에 관한 것으로, 각각은 뉴런의 주소를 고유적으로 가지는 복수의 뉴런들을 포함하는 뉴런 블록부, 각각은 시냅스 주소를 고유적으로 가지는 복수의 시냅스들을 포함하는 시냅스 블록부 및 상기 시냅스 주소 중 제1 시냅스 주소를 기초로 분할되고, 각각은 상기 시냅스 주소 중 제2 시냅스 주소를 기초로 인덱싱되며 프리시냅틱 뉴런과 포스트시냅틱 뉴런의 주소들로 구성된 전후 뉴런 엘리먼트를 포함하는 복수의 병렬 LUT 모듈들을 포함하는 토폴로지 블록부를 포함한다.

    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    거대 결정 입자를 갖는 금속 산화물 박막 및 그 제조방법 无效
    具有大理石颗粒的金属氧化物薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160112348A

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：KR1020150037964

    申请日：2015-03-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김성근 ,  조철진 ,  권범진 ,  백승협 ,  정두석 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른거대결정을갖는금속산화물박막제조방법은기판상에비정질시드층을형성하는단계및 상기비정질시드층상에상기비정질시드층의두께에대응되는크기의결정립을갖는금속산화물층을형성하는단계를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，具有大块晶粒的金属氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：在基板上形成非晶种晶层; 以及在所述非晶态种子层上形成金属氧化物层，所述非晶种子层的晶粒尺寸对应于所述无定形籽晶层的厚度。

    백금족 박막의 원자층 증착방법
    6.
    发明授权
    백금족 박막의 원자층 증착방법 有权
    铂族金属薄膜的原子层沉积

    公开(公告)号：KR101651512B1

    公开(公告)日：2016-08-29

    申请号：KR1020150077138

    申请日：2015-06-01

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김성근 ,  정두석 ,  권범진 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  편정준

    IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

    Abstract: 본발명은 HS 또는 NH를기판상에전처리하는단계및 상기기판상에백금족박막을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는백금족박막의원자층증착방법을개시한다.

    Abstract translation: 公开了铂族金属薄膜的原子层沉积方法。 铂族金属薄膜的原子层沉积方法包括：在衬底上预处理H 2 S或NH 3的步骤; 以及在基板上形成铂族金属薄膜的工序。 因此，本发明通过控制铂族纳米颗粒的尺寸和分布能够连续沉积薄膜。

    칼코지나이드 재료를 이용한 국소 표면 플라즈몬 공진 센서 및 이의 제조 방법
    7.
    发明公开
    칼코지나이드 재료를 이용한 국소 표면 플라즈몬 공진 센서 및 이의 제조 방법 有权
    使用氯化铝材料的本地化表面等离子体共振传感器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130076189A

    公开(公告)日：2013-07-08

    申请号：KR1020110144676

    申请日：2011-12-28

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이택성 ,  이경석 ,  김인호 ,  이욱성 ,  정두석 ,  김원목 ,  정병기

    IPC: G01N21/27 ,  G01N21/55

    CPC classification number: H01L31/186 ,  B82Y15/00 ,  G01N21/554 ,  G01N33/54373 ,  G02B5/008 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A local surface plasmon resonance (LSPR) sensor using a chalcogenide material and a manufacturing method thereof are provided to control a composition ratio of a chalcogenide material forming an LSPR excitation layer, thereby variously changing the carrier concentration of the LSPR excitation layer. CONSTITUTION: An LSPR sensor using a chalcogenide material includes an LSPR excitation layer formed of a chalcogenide material. The chalcogenide material includes a first material and a second material. The first material includes at least one among selenium and tellurium. The second material includes at least one among germanium and antimony.

    Abstract translation: 目的：提供使用硫族化物材料的局部表面等离子体共振（LSPR）传感器及其制造方法，以控制形成LSPR激发层的硫族化物材料的组成比，从而不同地改变LSPR激发层的载流子浓度。 构成：使用硫族化物材料的LSPR传感器包括由硫族化物材料形成的LSPR激发层。 硫族化物材料包括第一材料和第二材料。 第一种材料包括硒和碲中的至少一种。 第二种材料包括锗和锑中的至少一种。

    컬러 이미지 센서
    8.
    发明公开
    컬러 이미지 센서 有权
    彩色图像传感器

    公开(公告)号：KR1020130039933A

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：KR1020110104609

    申请日：2011-10-13

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정두석

    IPC: H04N9/07 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

    CPC classification number: H01L27/14647

    Abstract: PURPOSE: A color image sensor is provided to reduce the size of a pixel by composing the pixel with one optical diode. CONSTITUTION: A photosensitive device(100) includes a lower electrode, an upper electrode, and a chalcogenide material. The chalcogenide material is located between the lower electrode and the upper electrode. Image sensing circuits(200,300,410,420,510,520) measure the strength or wavelength of incident light based on an electric property value generated in the photosensitive device.

    Abstract translation: 目的：提供彩色图像传感器，通过用一个光二极管组成像素来减小像素的尺寸。 构成：感光装置（100）包括下电极，上电极和硫族化物材料。 硫族化物材料位于下电极和上电极之间。 图像感测电路（200,300,410,420,510,520）基于在感光装置中产生的电特性值来测量入射光的强度或波长。

    높은 변형율과 빠른 동작 속도를 가진 초소형 작동기와 그 제조 방법
    9.
    发明公开
    높은 변형율과 빠른 동작 속도를 가진 초소형 작동기와 그 제조 방법 有权
    具有大排量和高运行速度的微型致动器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110094294A

    公开(公告)日：2011-08-23

    申请号：KR1020117012409

    申请日：2008-11-19

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이수연 ,  정증현 ,  정병기 ,  김원목 ,  정두석

    IPC: H01L41/113 ,  H01L41/08

    CPC classification number: F03G7/065

    Abstract: PURPOSE: A micro-actuator with large displacement and high operation speed and a manufacturing method thereof are provided to prevent the chemical reaction between a substrate and phase change films by forming a buffer between the substrate and phase change films. CONSTITUTION: In a micro-actuator with large displacement and high operation speed and a manufacturing method thereof, a substrate(10) is prepared. A buffer film is deposited in a substrate through a sputtering and evaporation deposition. A phase change film(30) is deposited the buffer layer(20) by using sputtering or the evaporation deposition on A protective insulating film(40) is evaporated on the phase change film. A current pulse supply unit supplies thermal energy to induce the phase change of the phase change film.

    Abstract translation: 目的：提供一种具有大位移和高运行速度的微致动器及其制造方法，以通过在基板和相变膜之间形成缓冲器来防止基板与相变膜之间的化学反应。 构成：在具有大位移和高操作速度的微型致动器及其制造方法中，制备基板（10）。 通过溅射和蒸发沉积在衬底中沉积缓冲膜。 通过使用溅射法将缓冲层（20）沉积在相变膜（30）上，或者将保护绝缘膜（40）上的蒸发沉积蒸发在相变膜上。 电流脉冲供应单元提供热能以引起相变膜的相变。

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