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公开(公告)号：WO2011025290A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005762
申请日：2010-08-27
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 한국산업기술대학교산학협력단 , 남옥현 , 장종진
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 일정 방향으로 경사면을 이루는 사파 이어 결정면의 해당 오프-축(off-axis) 상에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극 성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며, 상기 틸트된 기 판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법 이다.
Abstract translation:
本发明去除在非极性/半极性氮化物半导体层的生长中产生的压电现象（压电效应）的氮化物半导体有源层上形成的氮化物半导体晶体，以及一个预定的方向上的可能的蓝宝石晶面极性 一个SAFA构成倾斜面的晶面的关断之后 - 高品质，其在轴线形成一模板（模板）层（离轴），以减小半导体器件的缺陷密度提高的非极性/半极性半导体的内部量子效率和光提取效率 及其制造方法。 在本发明中，悲剧第一或具有半导体层的晶面和制造半导体器件根据在蓝宝石衬底上形成的半导体器件结构的方法在蓝宝石衬底上半极性氮化物生长模板层是晶面是在一定的方向倾斜（ 在倾斜的基板上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
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公开(公告)号：KR101666836B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150117534
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 본발명은형광체없는백색발광다이오드및 그제조방법에관한발명으로서, 보다구체적으로는다공성나노마스크층을이용하여활성층(active region)을다중면(multi-facet) 구조로형성시키고, 그에따라활성층내 각위치마다인듐(In)의농도가달라지는것을이용하여형광체를이용하지않고백색광이발광되도록하는백색발광다이오드를제조할수 있는방법에관한것이다. 형광체없는백색발광다이오드에있어서, 다공성나노마스크층; 상기다공성나노마스크층의구멍을통해성장된제1 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는제1 질화물반도체층; 및상기제1 질화물반도체층의상부에제2 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는활성층;을포함할수 있고, 상기제2 질화물반도체는, InGaN이고, 상기 InGaN는상기제1 질화물반도체층의상부에불균일한두께및/또는불균일한인듐(In) 농도로형성되는것을특징으로하는백색발광다이오드및 그제조방법을개시한다.
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公开(公告)号：KR1020170034027A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132182
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물성장방법에관한것으로서, 보다구체적으로는금속촉매를사용하지않고패터닝및 식각공정을통하여사파이어기판또는화합물박막상부에위치선택적으로수평또는경사구조로나노구조물을성장시키는방법에관한것이다. 본발명에따른무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물을성장방법은, M-면사파이어기판상부에나노마스크층을형성하는단계; 패터닝공정을통해상기나노마스크층을식각하여상기 M-면사파이어기판을선택적으로노출시키는단계; 상기 M-면사파이어기판의노출된부분에다중면구조의화합물핵을형성하는단계; 상기화합물핵으로부터상기 M-면사파이어기판표면으로부터수직방향으로소정의각도를이루는나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다. 나아가, 상기나노마스크층을형성하기전에상기 M-면사파이어기판표면을 NH가스로질화처리하여상기 M-면사파이어기판표면에 R-면요철구조를형성하는단계를더 포함하는무촉매방식나노구조물성장방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明涉及以非催化方式生长具有倾角的纳米结构的方法，更具体地，涉及通过图案化和蚀刻工艺生长纳米结构而不使用金属催化剂来生长纳米结构的方法， 一种生长相同的方法。 根据本发明的生长具有倾角的纳米结构的方法包括：在M-平面蓝宝石衬底上形成纳米掩模层; 通过构图工艺蚀刻纳米掩模层选择性蚀刻M面蓝宝石衬底; 在M-型蓝宝石衬底的暴露部分上形成复合核的多面结构; 并且从复合核形成从M面蓝宝石基板的表面在垂直方向上具有预定角度的纳米结构。 进一步地，在形成纳米掩模层之前，用NH 3气体对M面蓝宝石衬底的表面进行氮化，以在M面蓝宝石衬底的表面上形成R面凹凸结构， 等等。
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公开(公告)号：KR101471425B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은사파이어등의기판위에형성되는질화물반도체층사이에양자섬(Quantum Island)을삽입한후 저결함밀도를갖는질화물반도체층이재성장되도록한 템플레이트층을이용하여, 내부양자효율이향상된고품질반도체소자가제조될수 있는, 고품질반도체소자용기판의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101379341B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120058992
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층과 마스크 패턴을 형성 후 질화물 반도체층을 다시 성장하기 전 또는 후에 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101759255B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020150132182
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물성장방법에관한것으로서, 보다구체적으로는금속촉매를사용하지않고패터닝및 식각공정을통하여사파이어기판또는화합물박막상부에위치선택적으로수평또는경사구조로나노구조물을성장시키는방법에관한것이다. 본발명에따른무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물을성장방법은, M-면사파이어기판상부에나노마스크층을형성하는단계; 패터닝공정을통해상기나노마스크층을식각하여상기 M-면사파이어기판을선택적으로노출시키는단계; 상기 M-면사파이어기판의노출된부분에다중면구조의화합물핵을형성하는단계; 상기화합물핵으로부터상기 M-면사파이어기판표면으로부터수직방향으로소정의각도를이루는나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다. 나아가, 상기나노마스크층을형성하기전에상기 M-면사파이어기판표면을 NH가스로질화처리하여상기 M-면사파이어기판표면에 R-면요철구조를형성하는단계를더 포함하는무촉매방식나노구조물성장방법을개시하고있다.
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公开(公告)号：KR1020140134809A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬(Quantum Island)을 삽입한 후 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造高质量半导体衬底的方法。 具有提高的内部量子效率的高质量半导体衬底可以通过在将量子岛插入形成在诸如蓝宝石的衬底上的氮化物半导体层之后使用用于再生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层的模板层来制造 。
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公开(公告)号：KR101402785B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함(BSFs)이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101391960B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120048148
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 질화물 반도체층을 형성 후 HCL 가스를 주입하여 고온에서 반응시키는 HVPE, MOCVD, CVD 장비 등에서 건식 식각 방식에 의해 다공성(porous)으로 표면 개질하고, 그 위에 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율과 광추출 효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130135440A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120058992
申请日：2012-06-01
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02458 , H01L33/0079 , H01L33/32
Abstract: The present invention relates to a high quality semiconductor substrate manufacturing method including a step of forming a nitride semiconductor layer and a mask patter on a substrate such as a sapphire substrate, a step of reforming the surface to become porous using a dry etching method before or after growing the nitride semiconductor layer once again, a step of re-growing the nitride semiconductor layer with a low defect density as a template layer, and a step of producing a high quality semiconductor device with an improved inner quantum yield and a light extraction efficiency. [Reference numerals] (S10) Form a nitride semiconductor layer;(S20) Form an insulating film pattern;(S30) Dry porous etch;(S40) Re-grow the nitride semiconductor layer
Abstract translation: 本发明涉及一种高质量的半导体衬底制造方法，其包括在诸如蓝宝石衬底的衬底上形成氮化物半导体层和掩模图案的步骤，使用干蚀刻方法将表面重整成多孔的步骤，或 在再次生长氮化物半导体层之后，以低缺陷密度重新生长氮化物半导体层作为模板层的步骤，以及制造具有改善的内量子产率和光提取效率的高质量半导体器件的步骤 。 （S10）形成氮化物半导体层;（S20）形成绝缘膜图案;（S30）干式多孔蚀刻;（S40）再次生长氮化物半导体层
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