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    KR102224235B1 - alcohol gas sensor
    2.
    发明专利
    KR102224235B1 - alcohol gas sensor 有权

    公开(公告)号：KR102224235B1

    公开(公告)日：2021-03-08

    申请号：KR1020190122739A

    申请日：2019-10-04

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 안기석 ,  이선숙 ,  임종선 ,  명성 ,  정하균 ,  송우석 ,  장문정

    IPC: G01N27/407 ,  C08G77/00 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08

    CPC classification number: G01N27/4074 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C08L83/08 ,  G01N27/4075

    Abstract: 본 발명에 따른 알코올 가스 센서는 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 일면에 형성되는 금속 산화물층; 금속 산화물층 상에 형성되며, 서로 이격 배치되는 소스전극 및 드레인전극; 및 금속 산화물층, 소스전극 및 드레인전극 상에 형성되는 실리콘계 고분자층;을 포함하되, 실리콘계 고분자층의 고분자가 하기 화학식 1 및 화학식 2의 구조단위를 포함한다.
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    [상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
    R
    1 은 C
    1 -C
    4 의 알킬이고;
    L은 2가의 연결기이고;
    R
    2 는 시아노이고;
    R
    3 은 C
    1 -C
    4 의 알킬이고;
    R
    4 는 C
    6 -C
    20 의 아릴이고,
    x와 y의 몰비는 1:9 내지 9:1이다.]

    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    3.
    发明申请
    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    无机半导体墨水组合物和无机半导体薄膜使用其制造

    公开(公告)号：WO2012141535A2

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：PCT/KR2012/002831

    申请日：2012-04-13

    Applicant: 한국화학연구원 ,  조성윤 ,  이창진 ,  강영구 ,  임종선 ,  강영훈 ,  정준영

    Inventor： 조성윤 ,  이창진 ,  강영구 ,  임종선 ,  강영훈 ,  정준영

    IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628

    Abstract: 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及无机半导体油墨组合物和通过使用它们制造的无机半导体薄膜。 特别地，无机半导体油墨组合物包括氧化锌前体溶液，氧化锌纳米颗粒和分散溶剂，其特征在于，氧化锌纳米颗粒的量为基于0.1重量％至50重量％ 在氧化锌前体溶液上。 无机半导体油墨组合物可以用作晶体管器件的沟道材料，因此可以获得具有改进的性能的无机薄膜晶体管。 此外，由于组合物适用于液体工艺，因此制造薄膜容易，并且可以进行低温处理。 由于氧化锌前体溶液和氧化锌纳米颗粒混合，所以可以制造出紧凑且均匀的薄膜。 因此，可以获得具有良好可靠性的无机薄膜晶体管。

    산화그래핀 제조방법
    5.
    发明申请
    산화그래핀 제조방법 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019198985A2

    公开(公告)日：2019-10-17

    申请号：PCT/KR2019/004056

    申请日：2019-04-05

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 이선숙 ,  안기석 ,  임종선 ,  명성 ,  송우석 ,  윤여흥

    IPC: C01B32/198

    Abstract: 본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.

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