Abstract:
[Problem] To provide: a carbon black, for an electrode catalyst carrier, capable of improving the output of a fuel cell; and an electrode catalyst and solid polymer-type fuel cell that use the carbon black. [Solution] Provided is a carbon black in which the cumulative pore volume of pores having a pore diameter of 6 nm or less is less than 0.25 cm3/g, the specific surface area by BET is 500 to 900 m2/g, and the volatile content is 1.0 to 10.0%. Also provided are an electrode catalyst for a fuel cell comprising a carrier formed from the carbon black, and a solid polymer-type fuel cell having the electrode catalyst.
Abstract:
Problem: Erhalten einer keramischen Leiterplatte, die eine bessere Rissbeständigkeit gegenüber Ultraschallbonden aufweist. Lösung: Das oben genannte Problem wird durch eine keramische Leiterplatte gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Metallleiterplatte auf eine Oberfläche eines keramischen Substrats gebondet ist und eine Metallwärmeabstrahlungsplatte auf die andere Oberfläche des keramischen Substrats gebondet ist, wobei die Kristallkorngröße in der Metallleiterplatte mindestens 20 μm und höchstens 70 μm beträgt. Diese keramische Leiterplatte kann hergestellt werden durch Anordnen der Metallleiterplatte auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats und Anordnen der Metallwärmeabstrahlungsplatte auf der anderen Oberfläche des Keramiksubstrats und Bonden in einem Vakuum von höchstens 1 × 10–3 Pa bei einer Bondingtemperatur von mindestens 780°C und höchstens 850°C für eine Verweilzeit von mindestens 10 Minuten und höchstens 60 Minuten.
Abstract:
Zu lösendes Problem Es wird ein Aluminium-Silicium-Carbid-Verbundwerkstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit, geringer Wärmeausdehnung und niedrigem spezifischem Gewicht und ein Verfahren zur Herstellung des Verbundwerkstoffs bereitgestellt. Lösung Es wird ein Aluminium-Silicium-Carbid-Verbundwerkstoff bereitgestellt, der durch Imprägnieren eines porösen Siliciumcarbid-Formkorpers mit einer Aluminiumlegierung gebildet wird. Das Verhältnis von Siliciumcarbid in dem Verbundwerkstoff beträgt 60 Vol.-% oder mehr und der Verbundwerkstoff enthält 60–75 Gew.-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von 80 μm oder mehr und 800 μm oder weniger, 20–30 Massen-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von 8 μm oder mehr und weniger als 80 μm und 5–10 Masse-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von weniger als 8 μm.
Abstract:
[Aufgabe] Bereitstellung einer Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzung mit einer hohen Haftung an anderen wärmeabstrahlenden Bauteilen, sowie deren Herstellungsverfahren. [Lösungsweg] Bereitgestellt werden eine Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzung mit einem ein Siliziumcarbid und eine Aluminiumlegierung umfassenden plattenförmigen Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzungsteil und Aluminiumschichten aus einer Aluminiumlegierung, die auf beiden Plattenflächen des Zusammensetzungsteils vorgesehen sind, wobei auf einer Plattenfläche eine Schaltplatine montiert ist und die andere Plattenfläche als wärmeabstrahlenden Fläche verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Plattenfläche des Zusammensetzungsteils auf der Seite der wärmeabstrahlenden Fläche die Form einer konvexen Wölbung aufweist, die Aluminiumschicht auf der Seite der wärmeabstrahlende Fläche die Form einer konvexen Wölbung aufweist, das Verhältnis (Ax/B) der durchschnittlichen Dicke (A) in der Mitte der gegenüberliegenden kurzen Seiten der Außenflächen zu der Dicke (B) in der Mitte der Plattenfläche (B) 0,91 ≤ Ax/B ≤ 1,00 ist, und das Verhältnis (Ay/B) der durchschnittlichen Dicke (Ay) in der Mitte der gegenüberliegenden langen Seiten der Außenflächen zu der Dicke (B) in der Mitte der Plattenfläche (B) 0,94 ≤ Ay/B ≤ 1,00 ist, sowie deren Herstellungsverfahren.
Abstract:
[Problem] To inexpensively provide a heat dissipating component that has thermal conductivity, as well as a low specific gravity, and a coefficient of thermal expansion close to that of a ceramic substrate, and furthermore having warpage so as to be able to be joined with good closeness of contact to a heat dissipating component or the like. [Solution] A silicon carbide composite which is a plate-shaped composite formed by impregnation of a porous silicon carbide molded article by a metal having aluminum as a main component, wherein the amount of warpage with respect to 10 cm of length of the main surface of the composite is 250 µm or less, and the amount of warpage of a power module using the plate-shaped composite is 250 µm or less; and a heat dissipating component using the same.
Abstract:
The purpose of the present invention is to provide an aluminum-diamond composite that exhibits both high thermal conductivity and a coefficient of thermal expansion close to that of semiconductor devices, and that can suppress the occurrence of swelling, etc., of a surface metal layer portion even in actual use under a high load. Provided is an aluminum-diamond composite comprising 65-80 vol% of a diamond powder having a roundness of at least 0.94, for which a first peak in a volumetric distribution of grain size lies at 5-25 µm, and a second peak lies at 55-195 µm, and a ratio between the area of the volumetric distribution of grain sizes of 1-35 µm and the area of the volumetric distribution of grain sizes of 45-205 µm is from 1 : 9 to 4 : 6; the balance being composed of a metal containing aluminum.
Abstract:
[Problem] To provide an inexpensive semiconductor package having excellent heat dissipation properties. [Solution] The present invention provides a semiconductor package having, stacked in the following order, a heat dissipating member, a joining layer and an insulation member, wherein the heat dissipating member comprises an aluminum-diamond composite containing diamond grains and a metal containing aluminum; and the joining layer that joins the heat dissipating member and the insulation member is formed using a composite material comprising silver oxide fine particles or organic-coated silver fine particles having an average particle size of at least 1 nm and at most 100 µm.
Abstract:
Provided is a metal base circuit board having a new function of a light reflection in addition to the conventional printed circuit board function for mounting electronic parts. The metal base circuit board has a circuit arranged on a metal plate via an insulation layer. A white film is arranged at least one the insulation layer.
Abstract:
[Problem] To obtain a ceramic circuit substrate having high bonding strength, excellent heat cycle resistance, enhanced reliability of operation as an electronic device, and excellent heat dissipation properties. [Solution] A ceramic circuit substrate in which metal plates and both main surfaces of a ceramic substrate are bonded via silver-copper brazing material layers, the ceramic circuit substrate characterized in that the silver-copper brazing material layers are formed from a silver-copper brazing material including 0.3-7.5 parts by mass of carbon fibers and 1.0-9.0 parts by mass of at least one active metal selected from titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, vanadium, and tin with respect to 75-98 parts by mass of silver powder and 2-25 parts by mass of copper powder totaling 100 parts by mass, with the carbon fibers having an average length of 15-400 µm, an average diameter of 5-25 µm, and an average aspect ratio of 3-28.