Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben

    公开(公告)号:DE112015003487T5

    公开(公告)日:2017-05-11

    申请号:DE112015003487

    申请日:2015-07-29

    Abstract: Problem: Erhalten einer keramischen Leiterplatte, die eine bessere Rissbeständigkeit gegenüber Ultraschallbonden aufweist. Lösung: Das oben genannte Problem wird durch eine keramische Leiterplatte gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Metallleiterplatte auf eine Oberfläche eines keramischen Substrats gebondet ist und eine Metallwärmeabstrahlungsplatte auf die andere Oberfläche des keramischen Substrats gebondet ist, wobei die Kristallkorngröße in der Metallleiterplatte mindestens 20 μm und höchstens 70 μm beträgt. Diese keramische Leiterplatte kann hergestellt werden durch Anordnen der Metallleiterplatte auf einer Oberfläche des Keramiksubstrats und Anordnen der Metallwärmeabstrahlungsplatte auf der anderen Oberfläche des Keramiksubstrats und Bonden in einem Vakuum von höchstens 1 × 10–3 Pa bei einer Bondingtemperatur von mindestens 780°C und höchstens 850°C für eine Verweilzeit von mindestens 10 Minuten und höchstens 60 Minuten.

    Aluminium-Silicium-Carbid-Verbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung desselben

    公开(公告)号:DE112015006755T5

    公开(公告)日:2018-04-12

    申请号:DE112015006755

    申请日:2015-07-31

    Abstract: Zu lösendes Problem Es wird ein Aluminium-Silicium-Carbid-Verbundwerkstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit, geringer Wärmeausdehnung und niedrigem spezifischem Gewicht und ein Verfahren zur Herstellung des Verbundwerkstoffs bereitgestellt. Lösung Es wird ein Aluminium-Silicium-Carbid-Verbundwerkstoff bereitgestellt, der durch Imprägnieren eines porösen Siliciumcarbid-Formkorpers mit einer Aluminiumlegierung gebildet wird. Das Verhältnis von Siliciumcarbid in dem Verbundwerkstoff beträgt 60 Vol.-% oder mehr und der Verbundwerkstoff enthält 60–75 Gew.-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von 80 μm oder mehr und 800 μm oder weniger, 20–30 Massen-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von 8 μm oder mehr und weniger als 80 μm und 5–10 Masse-% Siliciumcarbid mit einem Teilchendurchmesser von weniger als 8 μm.

    Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzung sowie deren Herstellungsverfahren

    公开(公告)号:DE112015003524T5

    公开(公告)日:2017-06-22

    申请号:DE112015003524

    申请日:2015-07-29

    Abstract: [Aufgabe] Bereitstellung einer Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzung mit einer hohen Haftung an anderen wärmeabstrahlenden Bauteilen, sowie deren Herstellungsverfahren. [Lösungsweg] Bereitgestellt werden eine Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzung mit einem ein Siliziumcarbid und eine Aluminiumlegierung umfassenden plattenförmigen Aluminium-Siliziumcarbid-Zusammensetzungsteil und Aluminiumschichten aus einer Aluminiumlegierung, die auf beiden Plattenflächen des Zusammensetzungsteils vorgesehen sind, wobei auf einer Plattenfläche eine Schaltplatine montiert ist und die andere Plattenfläche als wärmeabstrahlenden Fläche verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Plattenfläche des Zusammensetzungsteils auf der Seite der wärmeabstrahlenden Fläche die Form einer konvexen Wölbung aufweist, die Aluminiumschicht auf der Seite der wärmeabstrahlende Fläche die Form einer konvexen Wölbung aufweist, das Verhältnis (Ax/B) der durchschnittlichen Dicke (A) in der Mitte der gegenüberliegenden kurzen Seiten der Außenflächen zu der Dicke (B) in der Mitte der Plattenfläche (B) 0,91 ≤ Ax/B ≤ 1,00 ist, und das Verhältnis (Ay/B) der durchschnittlichen Dicke (Ay) in der Mitte der gegenüberliegenden langen Seiten der Außenflächen zu der Dicke (B) in der Mitte der Plattenfläche (B) 0,94 ≤ Ay/B ≤ 1,00 ist, sowie deren Herstellungsverfahren.

    SILICON CARBIDE COMPLEX, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND HEAT DISSIPATION COMPONENT USING SAME
    5.
    发明公开
    SILICON CARBIDE COMPLEX, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND HEAT DISSIPATION COMPONENT USING SAME 审中-公开
    SILICIUMCARBID-KOMPLEX,VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON UNDWÄRMEABLEITENDEKOMPONENTE DAMIT

    公开(公告)号:EP3104406A4

    公开(公告)日:2017-09-13

    申请号:EP15743322

    申请日:2015-02-02

    Abstract: [Problem] To inexpensively provide a heat dissipating component that has thermal conductivity, as well as a low specific gravity, and a coefficient of thermal expansion close to that of a ceramic substrate, and furthermore having warpage so as to be able to be joined with good closeness of contact to a heat dissipating component or the like. [Solution] A silicon carbide composite which is a plate-shaped composite formed by impregnation of a porous silicon carbide molded article by a metal having aluminum as a main component, wherein the amount of warpage with respect to 10 cm of length of the main surface of the composite is 250 µm or less, and the amount of warpage of a power module using the plate-shaped composite is 250 µm or less; and a heat dissipating component using the same.

    Abstract translation: [问题]为了便宜地提供具有导热性以及低比重和热膨胀系数的陶瓷基板的散热部件,并且进一步具有翘曲以便能够与 与散热部件等的接触良好。 一种碳化硅类复合体,其是以铝为主要成分的金属含浸多孔质碳化硅成形体而形成的板状复合体,其特征在于,相对于主表面的长度10cm的翘曲量 为250μm以下,使用该板状复合体的功率模块的翘曲量为250μm以下, 以及使用其的散热部件。

    CERAMIC CIRCUIT BOARD
    9.
    发明公开
    CERAMIC CIRCUIT BOARD 审中-公开
    KERAMIKLEITERPLATTE

    公开(公告)号:EP3109222A4

    公开(公告)日:2017-08-30

    申请号:EP15752710

    申请日:2015-02-20

    Abstract: [Problem] To obtain a ceramic circuit substrate having high bonding strength, excellent heat cycle resistance, enhanced reliability of operation as an electronic device, and excellent heat dissipation properties. [Solution] A ceramic circuit substrate in which metal plates and both main surfaces of a ceramic substrate are bonded via silver-copper brazing material layers, the ceramic circuit substrate characterized in that the silver-copper brazing material layers are formed from a silver-copper brazing material including 0.3-7.5 parts by mass of carbon fibers and 1.0-9.0 parts by mass of at least one active metal selected from titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, vanadium, and tin with respect to 75-98 parts by mass of silver powder and 2-25 parts by mass of copper powder totaling 100 parts by mass, with the carbon fibers having an average length of 15-400 µm, an average diameter of 5-25 µm, and an average aspect ratio of 3-28.

    Abstract translation: [问题]为了获得具有高接合强度,优异的耐热循环性,提高作为电子设备的操作可靠性以及优异的散热性的陶瓷电路基板。 一种陶瓷电路基板,其特征在于,金属板与陶瓷基板的两主面经由银铜钎料层而接合,所述陶瓷电路基板的特征在于,所述银铜钎焊料层由银铜 包含0.3〜7.5质量份的碳纤维和1.0〜9.0质量份的选自钛,锆,铪,铌,钽,钒和锡中的至少一种活性金属的钎焊材料相对于75〜98质量份 的银粉和2〜25质量份的铜粉合计100质量份,碳纤维的平均长度为15〜400μm,平均直径为5〜25μm,平均纵横比为3〜 28。

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