公开(公告)号：DE112017003172T5

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE112017003172

申请日：2017-07-21

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  YAMASHITA TENKO ,  CHENG KANGGUO ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  PARK CHANRO ,  LINIGER ERIC ,  LI JUNTAO ,  MEHTA SANJAY

IPC: H01L21/768

Abstract: Es werden Halbleiterbauelemente mit Luftspalt-Abstandhaltern bereitgestellt, die als Teil von BEOL- oder MOL-Schichten der Halbleiterbauelemente ausgebildet sind, sowie Verfahren zur Herstellung solcher Luftspalt-Abstandhalter. Ein Verfahren umfasst beispielsweise ein Bilden einer ersten Metallstruktur und einer zweiten Metallstruktur auf einem Substrat, wobei die erste und zweite Metallstruktur benachbart zueinander angeordnet sind mit Isoliermaterial, das zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur angeordnet ist. Das Isoliermaterial wird geätzt, um eine Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden. Eine Schicht aus dielektrischem Material wird mithilfe eines abschnürenden Abscheideprozesses über der ersten und zweiten Metallstruktur abgeschieden, um einen Luftspalt in der Aussparung zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur zu bilden, wobei sich ein Teilbereich des Luftspalts über eine Oberseite von mindestens einer der ersten Metallstruktur und der zweiten Metallstruktur hinaus erstreckt.

公开(公告)号：DE112019005372T5

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE112019005372

申请日：2019-12-12

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON ,  BRIGGS BENJAMIN ,  SHOBHA HOSADURGA ,  SIL DEVIKA ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  CANAPERI DONALD FRANCIS ,  YOU HAN ,  CAO HUY

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht weist ein Abscheiden eines ersten Ausgangsstoffs auf einem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff weist eine zyklische Carbosiloxan-Gruppe mit einem sechsgliedrigen Ring auf. Das Verfahren weist außerdem ein Abscheiden eines zweiten Ausgangsstoffs auf dem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff und der zweite Ausgangsstoff bilden eine vorläufige Schicht auf dem Substrat, und der zweite Ausgangsstoff weist Silicium, Kohlenstoff und Wasserstoff auf. Das Verfahren weist des Weiteren ein Einwirken einer Energie von einer Energiequelle auf die vorläufige Schicht auf, um eine poröse dielektrische Schicht zu bilden.