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    MESSUNG DER LICHTSTRAHLUNG VON LEUCHTDIODEN
    2.
    发明申请
    MESSUNG DER LICHTSTRAHLUNG VON LEUCHTDIODEN 审中-公开
    放射线束从光LED测量

    公开(公告)号：WO2014029852A2

    公开(公告)日：2014-02-27

    申请号：PCT/EP2013/067479

    申请日：2013-08-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KATZ, Simeon ,  SPECHT, Holger ,  LINKOV, Alexander ,  KÖLPER, Christopher

    IPC: G01J1/04 ,  G01J1/42

    CPC classification number: G01J1/0425 ,  G01J1/0474 ,  G01J1/42 ,  G01J2001/4252 ,  G01M11/30

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).Bei dem Verfahren wird ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird. Die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form in Richtung des Endes (121) der Lichtleitfaser (130) abgegeben wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung (100) zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于由发光二极管测量（210）发射的光的辐射（300）。如果该方法的光纤（120），其被连接到测量设备（130）的，一个端部（121）（通过光学装置 140）穿过其中的照射（发光二极管210）发射的光的辐射（300）被如此耦合的光辐射（300）到所述光纤（120）的一部分，并导致了测量装置（130）。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。

    LIGHT-EMITTING DIODE CHIP
    3.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
    发光二极管芯片

    公开(公告)号：WO2013107737A1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：PCT/EP2013/050665

    申请日：2013-01-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STRASSBURG, Martin ,  CALLEJA-PARDO, Enrique ,  ALBERT, Steven ,  BENGOECHEA ENCABO, Ana Maria ,  SANCHEZ-GARCIA, Miguel Angel ,  MANDL, Martin ,  KÖLPER, Christopher

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L27/153 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

    Abstract: A light-emitting diode chip comprising: - a semiconductor body (1) having a plurality of active regions (2), wherein - at least one of the active regions (2) has at least two subregions (21...28), - the active region (2) has at least one barrier region (3) arranged between two adjacent subregions (21...28) of said at least two subregions (21...28), - the at least two subregions (21...28) emit light of mutually different colour during operation of the light- emitting diode chip, - in at least one of the subregions (21...28) the emission of light is generated electrically, and - the barrier region (3) is configured to hinder a thermally activated redistribution of charge carriers between the two adjacent subregions (21...28), is specified.

    Abstract translation: 一种发光二极管芯片，包括：具有多个有源区（2）的半导体本体（1），其中至少一个有源区（2）具有至少两个子区（21 ... 28） - 所述有源区域（2）具有至少一个屏障区域（3），所述至少一个屏障区域（3）布置在所述至少两个子区域（21 ... 28）的两个相邻子区域（21 ... 28）之间， - 所述至少两个子区域 ... 28）在发光二极管芯片的操作期间发射彼此不同的颜色的光， - 在至少一个子区域（21 ... 28）中，光的发射被电气产生，并且 - 屏障区域 3）被配置为阻止两个相邻子区域（21 ... 28）之间的电荷载流子的热激活重新分配。

    HALBLEITERBAUELEMENT
    4.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    半导体部件

    公开(公告)号：WO2017085207A1

    公开(公告)日：2017-05-26

    申请号：PCT/EP2016/078047

    申请日：2016-11-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PUST, Philipp ,  RACZ, David ,  KÖLPER, Christopher

    IPC: H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/502

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung mit einer ersten Peakwellenlänge, mit einem ersten Konversionselement, das eine Quantenstruktur aufweist, wobei die Quantenstruktur ausgebildet ist, um die Primärstrahlung wenigstens teilweise in eine Sekundärstrahlung mit einer zweiten Peakwellenlänge zu verschieben, wobei ein zweites Konversionselement vorgesehen ist, das einen Leuchtstoff aufweist, wobei der Leuchtstoff ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu einer Tertiärstrahlung mit einer Dominanzwellenlänge zu verschieben, wobei das erste Konversionselement ausgebildet ist, um eine Sekundärstrahlung zu erzeugen, die eine kleinere Peakwellenlänge als die Dominanzwellenlänge der Tertiärstrahlung aufweist.

    Abstract translation:

    本发明涉及具有用于产生电磁的Prim＆AUML的半导体芯片的半导体器件; rstrahlung具有第一Peakwellenl BEAR长度，与具有量子结构的第一转换元件，所述量子结构形成到主＆AUML; rstrahlung至少部分地在次级BEAR rstrahlung与第二Peakwellenl BEAR到长度，移动长度，其中，设置有第二转换元件，其包括磷光体，其中所述磷光体适于将电磁辐射以一个第三BEAR rstrahlung与Dominanzwellenl＆AUML 其中所述第一转换元件被配置为生成具有比所述第三辐射的主波长更短的峰值波长的次级辐射

    HINTERLEUCHTUNGSEINRICHTUNG
    5.
    发明申请
    HINTERLEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开
    逆光

    公开(公告)号：WO2016005102A1

    公开(公告)日：2016-01-14

    申请号：PCT/EP2015/061980

    申请日：2015-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KIMME, Felix ,  KÖLPER, Christopher ,  BRICK, Peter

    IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/12

    CPC classification number: G02F1/133605 ,  G02B5/12 ,  G02B5/124 ,  G02B5/128 ,  G02B5/13 ,  G02B6/0055 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133608 ,  G02F1/133611

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Hinterleuchtungseinrichtung, aufweisend mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen zur Erzeugung von Lichtstrahlung und eine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen angeordnete Seitenwand. Die Seitenwand ist geneigt zuder durch die Halbleiter-Lichtquellen vorgegebenen Ebene. Des Weiteren ist die Seitenwand an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung der Halbleiter-Lichtquellen bestrahlbar ist, retroreflektierend. Die Erfindung betrifft fernereine Vorrichtung aufweisend eine solche Hinterleuchtungseinrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及一种背光照明装置，其包括多个布置在平面中的半导体光源，用于产生光辐射和横向布置的半导体光源侧壁。 侧壁是倾斜的Zuder由半导体光源平面预先确定的。 此外，在一侧的侧壁被照射的半导体光源的光辐射，回射。 本发明还涉及一种包括这种背光设备的装置。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2014173720A1

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：PCT/EP2014/057534

    申请日：2014-04-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÖLPER, Christopher ,  DIEZ, Carola

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L2933/0091

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, ein über dem optoelektronischen Halbleiterchip angeordnetes Konverterelement, das dazu ausgebildet ist, eine Wellenlänge eines von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts zu konvertieren, und ein über dem Konverterelement angeordnetes lichtstreuendes Element, das eingebettete lichtstreuende Partikel aufweist. Die lichtstreuenden Partikel weisen eine Größenverteilung mit einer Halbwertbreite von weniger als 100 nm auf.

    Abstract translation: 包括的光电子半导体芯片，布置在所述光电子半导体芯片转换器元件上方的光电元件适于由所述光电子半导体芯片的光发射的光的波长进行转换，以及设置在所述转换器元件的光扩散元件，将具有嵌入的光散射颗粒。 光散射颗粒具有小于100nm的半值宽度的尺寸分布。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    7.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2013127672A1

    公开(公告)日：2013-09-06

    申请号：PCT/EP2013/053371

    申请日：2013-02-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick ,  LEDIG, Johannes ,  NEUMANN, Richard ,  WAAG, Andreas

    IPC: H01L33/18

    CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

    Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片： - 多个有源区（1），其被布置为彼此间隔开的，和 - 支撑的（1a）中（2），所述多个有源区（1）的被布置在底面，其特征在于， - 具有有源区中的一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区（1）具有一个芯部区域，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层（11）包括 至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向（1）覆盖所述有源区的（R），以及 - 具有第二半导体材料形成具有有源区（1）的覆盖层（12） 和有源层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述有源区的主延伸方向（R）（11）覆盖。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    8.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    方法用于制造光电半导体器件和光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014056762A2

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：PCT/EP2013/070449

    申请日：2013-10-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander F. ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L25/075 ,  H01L33/24

    CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 ym beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

    Abstract translation: 在所述方法的至少一个实施例中，它包括以下步骤：A）制备辐射有源岛（4）具有生长衬底（2），其中，所述岛（4）每一个具有在半导体层序列中的至少一个有源区（33）上的半导体层序列（3）， （3）具有和形成（5）在（所述生长衬底2）侧朝向岛屿的释放层的岛（4），在平面图中看到的生长衬底上，的纳米和10 YM是在50的平均直径，（B） 第4页），其特征在于，包围所述岛（4）圆形（在可见C中的生长衬底2）的俯视图）附接（6）的面向远离一个岛（4）的支撑基板（生长基板2）剥离层（5）， 和D）从分离的岛屿（4），其中，在所述剥离至少破坏分离层的一个部分（5）和/或至少部分软化的生长衬底（2）。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2013083438A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/EP2012/073729

    申请日：2012-11-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MANDL, Martin ,  STRASSBURG, Martin ,  KÖLPER, Christopher ,  PFEUFFER, Alexander ,  RODE, Patrick

    IPC: H01L33/24 ,  H01L33/18 ,  H01L33/42 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/46

    CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: - einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und - einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei - zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, - einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, - der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, - der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und - die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 所述上侧（1a）中的反射层（2）的多个有源区（1）的布置， - 被布置彼此间隔开;以及多个有源区（1）的 其中， - 具有所述有源区中的至少一个（1）具有主延伸方向（R）， - 所述有源区中的一个（1）的芯部，其与第一半导体材料（10）形成， - 所述有源区（1）的有源层 （11），至少所述芯区（10）在方向（x，y）的横向于覆盖有源区（1）的主延伸方向（R）， - 覆盖层（12），所述有源区（1），具有 第二半导体材料形成，并且所述活性层（11）至少在方向（x，y）的横向于所述主延伸方向的有源区（R）（11）覆盖，并且 - （2）在有源层中的操作的反射的反射层 （11）产生的电磁辐射被建立。

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