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公开(公告)号：CN103958393B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280055218.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 株式会社优利电子
IPC: H01L23/28
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/007 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , H01L31/02016 , H01L2224/291 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本公开，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。
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公开(公告)号：CN107253696A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710434582.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0032 , B81B2201/0207 , B81C1/00341 , B81C1/00349 , B81C2201/0181
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
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公开(公告)号：CN107055456A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710241902.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 刘玮荪
CPC classification number: B81B7/0035 , B81B7/0067 , B81B7/007 , B81B2201/0292 , B81C1/00134 , B81C1/00317 , B81C2203/0118 , H01L31/0203 , B81B2201/0207 , B81C1/00277 , B81C2203/019
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统器件的封装结构及方法，微机电系统器件的封装结构包括第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一中央区域和围绕在第一中央区域周围的第一边缘区域，第二晶圆具有第二中央区域和围绕在第二中央区域周围的第二边缘区域，通过将第一边缘区域的第一键合结构和第二边缘区域的第二键合结构相对应键合在一起，在第一中央区域和第二中央区域间形成一密闭空间，即第一晶圆中的微机电系统器件处于密闭空间中。这样，形成的微机电系统器件的封装结构密封性非常好，而且，第二晶圆的制程简易，不需要通过额外加工，因此，本发明的微机电系统器件的封装结构的气密性好、封装方法简易、生产成本低。
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公开(公告)号：CN103958393A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280055218.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 株式会社优利电子
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/007 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , H01L31/02016 , H01L2224/291 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本发明，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。
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公开(公告)号：CN107963607A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711036185.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯.雷.斯巴克斯 , 关健
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81B2201/0228 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81C3/001
Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件及其封装方法，全覆盖吸气剂晶圆级电子元件的基本构成单元包含下述几个部分：器件晶圆(1)、腔体晶圆(2)；其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体，键合工艺通过键合层(5)来实现，在二者之间还设置有腔体(3)；腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4)；吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物：Ti，Co，Zr，Fe；吸气层结构(4)的厚度范围在500nm-2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺：溅射或蒸发或二者的组合。本发明结构和工艺简单，成本低，技术效果优良；具有可预期的较为巨大的经济和社会价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106082106A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610422054.6
申请日：2016-06-13
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/00349 , B81C2201/0174 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种宽波段的非制冷红外探测器及其制备方法，包含读出电路的半导体衬底和一具有第一微桥支撑结构的探测器，所述探测器与所述半导体衬底的读出电路形成电连接，所述第一微桥结构上设有第二微桥结构，所述第二微桥结构上设有第三微桥结构；使用该方法，可以拓宽红外探测器的检测波段，从而扩展红外探测器的应用领域。不仅工艺简单，成本低，而且不会增加读出电路的设计难度。
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公开(公告)号：CN105247331A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480023472.7
申请日：2014-03-20
Applicant: 索尼公司
IPC: G01L9/00 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/1132 , B81B7/008 , B81B2201/02 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00238 , B81C2203/0792 , G01C19/5769 , G01C19/5783 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/162 , H01L41/0474 , H01L41/0533 , H01L41/113 , H01L41/1138 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明的目的是：提供能够实现更小尺寸和更低成本的传感器装置和电子设备。本发明的技术方案是：根据本发明实施例的传感器装置设置有传感器元件和半导体元件。所述半导体元件包括第一表面、第二表面和通路孔。所述第一表面是非能动性表面且包括第一端子，所述传感器元件被安装在所述第一端子上。所述第二表面是能动性表面且包括第二端子，所述第二端子用于外部连接。所述通路孔将所述第一表面和所述第二表面相互电连接。
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公开(公告)号：CN101661989B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200910167553.5
申请日：2009-08-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/24 , G01P3/44
CPC classification number: B81B3/0081 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/032 , G01C19/56 , G01C25/00 , H01L41/0933 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明公开了压电装置、角速度传感、电子设备以及压电装置制造方法，其中，压电装置包括：基板、第一电极膜、压电膜和第二电极膜。第一电极膜形成在基板上。压电膜通过Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X(0≤X≤0.3，0≤Y≤0.55)来表示并且通过X射线衍射法测量的烧绿石相的峰值强度相对于钙钛矿相的(100)平面取向、(001)平面取向、(110)平面取向、(101)平面取向以及(111)平面取向的峰值强度的和为10％以下，压电膜以400nm以上1,000nm以下的膜厚形成在第一电极膜上。第二电极膜层压在压电膜上。通过本发明，由于具有了良好的压电特性和耐热性，所以可以提供高可靠性。
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公开(公告)号：CN106800271A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710053126.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0207 , B81C1/00142 , B81C1/005
Abstract: 本发明涉及一种新型非制冷红外焦平面探测器像素结构制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属层；在完成图形化金属层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并在完成图形化处理的第一牺牲层和第二牺牲层上沉积第二支撑层；在沉积完的第二支撑层的半导体基座上通过光刻和蚀刻的方法刻通孔；光刻或蚀刻第二支撑层和第一保护层以得到接触孔，接触孔光刻和蚀刻终止于热敏层；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN106470938A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580033794.4
申请日：2015-07-07
Applicant: ULIS股份公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0207 , B81C1/00269 , B81C1/00285 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , G01J5/20 , H01L23/564 , H01L31/186 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种制造具有容纳在气密密封的真空外壳中的微电子部件的器件的方法，所述方法包括：在所述外壳中形成吸气剂；排气并加热所述器件以便使容纳在所述外壳中的元件脱气；在所述排气之后，以无焊剂方式气密密封所述外壳。此外，形成所述器件的可能脱气到所述内部空间中的每种材料为矿物材料，所述吸气剂能够基本上仅捕获氢气而对氧气和/或氮气是惰性的，并且所述加热和所述密封在低于300℃的温度下进行。
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