带电粒子线装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104246966B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201380017972.5

    申请日:2013-03-04

    Abstract: 一种带电粒子线装置,以容易地进行从样品放出的二次粒子的能量辨别或角度辨别、还有能容易地设定最佳的观察条件为目的,具备:放出带电粒子线的带电粒子源;将所述带电粒子线会聚到样品的透镜;检测从所述样品放出的二次粒子的检测器;计算从所述样品放出的二次粒子到达的位置的轨迹模拟器,用所述轨迹模拟器计算满足规定的条件的二次粒子的轨迹,使用在满足所述规定的条件的二次粒子到达所述检测器的位置检测到的信号来形成样品像。

    以电子显微镜观察活体单元的方法

    公开(公告)号:CN1955724A

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200510114167.1

    申请日:2005-10-26

    Applicant: 李炳寰

    Inventor: 赵治宇 谢文俊

    Abstract: 本发明是有关一种以电子显微镜观察活体单元的方法,包含有下列步骤:A.于一电子显微镜内的样品腔室中提供一活体环境,该活体环境内具有至少一活体单元及预定环境条件,可使该活体单元维持其基本生理功能,且该活体环境具有彼此相对的观窗口,该活体单元具有二种以上的对象分别可承受不同的临界电荷密度;B.以预定强度的粒子束透过该对观窗口照射于该活体单元于预定区域以及预定时间,并于该电子显微镜的成像装置上成像;其中,照射于被观测对象上的电荷密度是小于或等于该活体单元被照射区域中被观测对象的临界电荷密度。通过此可在不损伤活体单元的情形下,以电子显微镜来对活体单元进行观察。

    带电粒子线装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104246966A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201380017972.5

    申请日:2013-03-04

    Abstract: 一种带电粒子线装置,以容易地进行从样品放出的二次粒子的能量辨别或角度辨别、还有能容易地设定最佳的观察条件为目的,具备:放出带电粒子线的带电粒子源;将所述带电粒子线会聚到样品的透镜;检测从所述样品放出的二次粒子的检测器;计算从所述样品放出的二次粒子到达的位置的轨迹模拟器,用所述轨迹模拟器计算满足规定的条件的二次粒子的轨迹,使用在满足所述规定的条件的二次粒子到达所述检测器的位置检测到的信号来形成样品像。

    减少缺陷的基板处理方法

    公开(公告)号:CN105378898A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201480023532.5

    申请日:2014-02-25

    Abstract: 一种用于处理基板表面的方法使用源自气体团簇离子束的中性射束辐照以及由此产生的包括光刻光掩膜基板的制品。一个实施例提供了处理包含一个或多个嵌入粒子或包含亚表面损伤的基板的表面的方法,该方法包含以下步骤:提供减压室;在减压室中形成包含气体团簇离子的气体团簇离子束;在减压室中加速气体团簇离子以形成沿射束路径的加速的气体团簇离子束;促使沿射束路径的至少一部分加速的气体团簇离子分裂和/或离解;在减压室中从射束路径中去除带电粒子以形成沿射束路径的加速的中性射束;将表面保持在射束路径中;以及通过辐照处理基板的至少一部分表面。

    电子束调节
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104250687A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201410223350.4

    申请日:2014-05-26

    Applicant: 苹果公司

    Abstract: 本发明公开了一种电子束调节。所描述的实施例一般地涉及调整输出或电子束的调节。更具体而言,公开了涉及将入射到工件的电子束的足迹保持在所限定的能量水平内的各种构造。这样的构造允许电子束仅将工件的特定部分加热到在其中金属间化合物分解的过热状态。在一个实施例中,公开了阻止电子束的低能量部分接触工件的掩模。在另一个实施例中,电子束可以用将电子束保持在一能量水平以使得基本所有的电子束在阈值能量水平之上的方式被聚焦。

    离子注入装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101385113A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200780005621.7

    申请日:2007-02-15

    Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置,以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置,从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B),利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B),利用扫描器(16)来扫描离子(B),利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化,注入到基板(20),由此来制造单晶膜,其中,在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下,若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形,并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致,则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形,并且在两个面上变得完全平行。

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