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公开(公告)号:CN104246966B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201380017972.5
申请日:2013-03-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/22
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/10 , H01J37/26 , H01J2237/05 , H01J2237/2446 , H01J2237/24495
Abstract: 一种带电粒子线装置,以容易地进行从样品放出的二次粒子的能量辨别或角度辨别、还有能容易地设定最佳的观察条件为目的,具备:放出带电粒子线的带电粒子源;将所述带电粒子线会聚到样品的透镜;检测从所述样品放出的二次粒子的检测器;计算从所述样品放出的二次粒子到达的位置的轨迹模拟器,用所述轨迹模拟器计算满足规定的条件的二次粒子的轨迹,使用在满足所述规定的条件的二次粒子到达所述检测器的位置检测到的信号来形成样品像。
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公开(公告)号:CN1955724A
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200510114167.1
申请日:2005-10-26
Applicant: 李炳寰
CPC classification number: H01J37/26 , G01N23/2251 , H01J37/20 , H01J2237/05 , H01J2237/2004 , H01J2237/2608 , H01J2237/262 , H01J2237/2802 , H01J2237/2809
Abstract: 本发明是有关一种以电子显微镜观察活体单元的方法,包含有下列步骤:A.于一电子显微镜内的样品腔室中提供一活体环境,该活体环境内具有至少一活体单元及预定环境条件,可使该活体单元维持其基本生理功能,且该活体环境具有彼此相对的观窗口,该活体单元具有二种以上的对象分别可承受不同的临界电荷密度;B.以预定强度的粒子束透过该对观窗口照射于该活体单元于预定区域以及预定时间,并于该电子显微镜的成像装置上成像;其中,照射于被观测对象上的电荷密度是小于或等于该活体单元被照射区域中被观测对象的临界电荷密度。通过此可在不损伤活体单元的情形下,以电子显微镜来对活体单元进行观察。
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公开(公告)号:CN104246966A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380017972.5
申请日:2013-03-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/22
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/10 , H01J37/26 , H01J2237/05 , H01J2237/2446 , H01J2237/24495
Abstract: 一种带电粒子线装置,以容易地进行从样品放出的二次粒子的能量辨别或角度辨别、还有能容易地设定最佳的观察条件为目的,具备:放出带电粒子线的带电粒子源;将所述带电粒子线会聚到样品的透镜;检测从所述样品放出的二次粒子的检测器;计算从所述样品放出的二次粒子到达的位置的轨迹模拟器,用所述轨迹模拟器计算满足规定的条件的二次粒子的轨迹,使用在满足所述规定的条件的二次粒子到达所述检测器的位置检测到的信号来形成样品像。
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公开(公告)号:CN102484028A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080027722.6
申请日:2010-06-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor: 威尔汉·P·普拉托 , 奈尔·J·巴森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J49/10 , H01J27/02 , H01J9/38
CPC classification number: H01J49/10 , H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/30466
Abstract: 在离子植入机中,利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高,且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉,此信号便将变平并保持恒定,藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
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公开(公告)号:CN101636520A
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200880008675.3
申请日:2008-03-27
Applicant: 日本磁性技术株式会社
Inventor: 椎名祐一
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/147 , H01J37/3178 , H01J37/32055 , H01J2237/022 , H01J2237/05 , H01J2237/3142 , H05H1/48
Abstract: 本发明提供一种等离子体生成装置,其在等离子管中,可以不减退通过真空电弧放电产生的等离子体的有效量地有效去除混入等离子体的微滴,而且可以简单并廉价地构成微滴去除部,可谋求用高纯度等离子体提高成膜等表面处理的精度。等离子管阴极(407)的外围被外围部件(420)包围,在外围部件(420)的内侧设有由多个对微滴进行捕集的捕集部件(411)按多层状构成的微滴去除装置(406)。外围部件(420)、捕集部件(411)以及等离子体行进路(402)与电弧电源(409)无连接关系,被保持在电中性的浮游状态。
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公开(公告)号:CN105378898A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201480023532.5
申请日:2014-02-25
Applicant: 艾克索乔纳斯公司
Inventor: 肖恩·R·柯克帕特里克
CPC classification number: G03F1/80 , G03F1/50 , G03F1/82 , H01J2237/0041 , H01J2237/05 , H01L21/02046 , H01L21/02065 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012
Abstract: 一种用于处理基板表面的方法使用源自气体团簇离子束的中性射束辐照以及由此产生的包括光刻光掩膜基板的制品。一个实施例提供了处理包含一个或多个嵌入粒子或包含亚表面损伤的基板的表面的方法,该方法包含以下步骤:提供减压室;在减压室中形成包含气体团簇离子的气体团簇离子束;在减压室中加速气体团簇离子以形成沿射束路径的加速的气体团簇离子束;促使沿射束路径的至少一部分加速的气体团簇离子分裂和/或离解;在减压室中从射束路径中去除带电粒子以形成沿射束路径的加速的中性射束;将表面保持在射束路径中;以及通过辐照处理基板的至少一部分表面。
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公开(公告)号:CN104250687A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410223350.4
申请日:2014-05-26
Applicant: 苹果公司
Inventor: S·R.·兰开斯特-拉罗克 , C·钱 , 植村贤介 , P·哈雷罗
IPC: C21D10/00
CPC classification number: B23K15/00 , B23K15/02 , B23K20/122 , H01J37/05 , H01J37/305 , H01J2237/05
Abstract: 本发明公开了一种电子束调节。所描述的实施例一般地涉及调整输出或电子束的调节。更具体而言,公开了涉及将入射到工件的电子束的足迹保持在所限定的能量水平内的各种构造。这样的构造允许电子束仅将工件的特定部分加热到在其中金属间化合物分解的过热状态。在一个实施例中,公开了阻止电子束的低能量部分接触工件的掩模。在另一个实施例中,电子束可以用将电子束保持在一能量水平以使得基本所有的电子束在阈值能量水平之上的方式被聚焦。
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公开(公告)号:CN102384922A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110246288.7
申请日:2011-08-25
Applicant: FEI公司
Inventor: U.吕肯 , F.J.P.舒尔曼斯 , C.S.库伊曼
IPC: G01N23/08
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/05 , H01J37/26 , H01J2237/05 , H01J2237/24455 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/2802 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明涉及一种用于透射电子显微镜的检测器系统,其包括用于记录图样的第一检测器和用于记录所述图样特征的位置的第二检测器。第二检测器优选地是位置灵敏检测器,其提供可以被用作反馈以便稳定所述图样在第一检测器上的位置的精确且快速的位置信息。在一个实施例中,第一检测器检测电子能量损失电子谱,并且位于第一检测器后方并检测穿过第一检测器的电子的第二检测器检测零损失峰的位置并且调节电子路径,以便稳定所述谱在第一检测器上的位置。
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公开(公告)号:CN101385113A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200780005621.7
申请日:2007-02-15
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/05 , H01J2237/083 , H01J2237/31703
Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置,以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置,从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B),利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B),利用扫描器(16)来扫描离子(B),利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化,注入到基板(20),由此来制造单晶膜,其中,在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下,若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形,并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致,则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形,并且在两个面上变得完全平行。
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公开(公告)号:CN104766777A
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201510158234.3
申请日:2008-03-24
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01J2237/04735 , H01J2237/04756 , H01J2237/05 , H01L21/26513 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种用于将离子注入晶片的设备以及局部离子注入方法。此局部离子注入设备和方法期望地提供对所注入的掺杂剂的能量的控制。该局部离子注入设备通常包括离子束发生器、以及第一和第二减速单元。该第一减速单元减速由该离子束发生器产生的离子束的能量;且随后的第二减速单元根据晶片区域将该能量进一步减速为不同能量水平,其中离子将被注入晶片区域。
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