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公开(公告)号：CN112005333B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201880092617.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/22
Abstract: 带电粒子束装置，包含：带电粒子源，生成对样品照射的带电粒子束；带电粒子检测部，检测当对所述样品照射了所述带电粒子束时发生的带电粒子；强度数据生成部，生成由所述带电粒子检测部检测出的带电粒子的强度的数据；波高值数据生成部，生成由所述带电粒子检测部检测出的带电粒子的波高值的数据；以及输出部，输出基于所述强度的数据的所述样品的第1图像、和基于所述波高值的数据的所述样品的第2图像。
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公开(公告)号：CN110709960A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201780091345.4
申请日：2017-06-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/09
Abstract: 本发明提供一种带电粒子束装置，能够检测在光轴附近通过的能量高的信号电子，例如背散射电子(BSE)、辅助光学系统中的二次电子(SE)。因此，该带电粒子束装置具有：带电粒子束源(101)，其产生带电粒子束；物镜(105)，其将带电粒子束聚集于试样；以及带电粒子检测元件(108)，其配置于带电粒子束源(101)与物镜(105)之间，且检测通过带电粒子束与试样的相互作用而产生的带电粒子，其中，带电粒子检测元件(108)的检测面配置于物镜(105)的中心轴上。
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公开(公告)号：CN106165054B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201580019322.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/04 , H01J37/12 , H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/28
CPC classification number: H01J37/04 , H01J37/065 , H01J37/09 , H01J37/12 , H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/04756 , H01J2237/14
Abstract: 电子线装置中，难以受到外部干扰的影响且兼得高空间分辨率和高亮度。电子线装置中，例如在产生电子线的电子源(101)与使电子线聚集在试料(114)上的物镜之间，在电子源(101)侧配置高电压的射线管(110)，并在低物镜侧配置低电压的射线管(112)。由此，即使是具备能动地向试料泄漏磁场的类型的物镜的SEM，也能够维持空间分辨率同时实现高亮度化。
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公开(公告)号：CN105308712A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480034491.X
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/145
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/1471 , H01J37/22 , H01J37/226 , H01J37/285 , H01J2237/12 , H01J2237/14
Abstract: 在带电粒子束装置中，在尽可能地接近物镜内部的样品的位置高效地取得从样品释放的带电粒子。具备：带电粒子受光面(105)，其具有通过带电粒子而发光的闪烁器；光电探测器(107)，其对从闪烁器释放的光进行检测；反射镜(108)，其将从闪烁器释放的光引导至光电探测器(107)；以及物镜(100)，其用于将带电粒子束集束于样品，带电粒子受光面(105)与反射镜(108)的距离Lsm比光电探测器(107)与反射镜(108)的距离Lpm长，带电粒子受光面(105)、反射镜(108)以及光电探测器(107)被收纳在物镜(100)内部。
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公开(公告)号：CN112189249B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201880093216.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供在需要进行各个装置之间的移动的试样的观察中容易在装置之间移动的电荷粒子线装置、试样加工方法、以及观察方法。在使用电荷粒子线加工试样上的观察对象的电荷粒子线装置中，具备：试样台，其载置上述试样；观察部，其观察上述观察对象；写入部，其向上述试样的写入位置写入上述观察对象的信息。
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公开(公告)号：CN110431649B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780088310.5
申请日：2017-03-29
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/12 , H01J37/153 , H01J37/28
Abstract: 带电粒子束装置具备：带电粒子源，其射出带电粒子束；助推电极，其配置于带电粒子源与试样之间，形成带电粒子束的通路，并且对上述带电粒子束进行加减速；第一磁极片，其形成为覆盖助推电极；第二磁极片，其形成为覆盖第一磁极片；第一透镜线圈，其配置于第一磁极片的外侧，并且配置于上述第二磁极片的内侧，且形成第一透镜；第二透镜线圈，其配置于第二磁极片的外侧且形成第二透镜；以及控制电极，其形成于第一磁极片的前端部与第二磁极片的前端部之间，且控制形成于试样与第二磁极片的前端部之间的电场。
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公开(公告)号：CN111033677B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780094118.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/141 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供能够有效减少实施SEM观察时的残留磁场的作用的带电粒子线装置。本发明涉及的带电粒子线装置实施将第1线圈截止后在第2线圈流过直流电流的第1模式和将所述第1线圈截止后在所述第2线圈流过交流电流的第2模式中的至少任一种模式。
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公开(公告)号：CN104246966B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380017972.5
申请日：2013-03-04
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/244 , H01J37/22
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/10 , H01J37/26 , H01J2237/05 , H01J2237/2446 , H01J2237/24495
Abstract: 一种带电粒子线装置，以容易地进行从样品放出的二次粒子的能量辨别或角度辨别、还有能容易地设定最佳的观察条件为目的，具备：放出带电粒子线的带电粒子源；将所述带电粒子线会聚到样品的透镜；检测从所述样品放出的二次粒子的检测器；计算从所述样品放出的二次粒子到达的位置的轨迹模拟器，用所述轨迹模拟器计算满足规定的条件的二次粒子的轨迹，使用在满足所述规定的条件的二次粒子到达所述检测器的位置检测到的信号来形成样品像。
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公开(公告)号：CN104956461B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201480006842.6
申请日：2014-01-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/28 , H01J37/22 , H01J37/24 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/28 , G01T1/20 , H01J37/10 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/24 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/3178
Abstract: 本发明的目的在于，在同时向样本照射多个带电粒子束的情况下，提取出因某特定的带电粒子束产生的信号，例如在FIB‑SEM装置中分离因离子束照射而产生的二次电子信号和因电子束照射而产生的二次电子信号，涉及高速地调制带电粒子束的照射条件，检测与调制周期同步的信号。另外，涉及对来自发光特性不同的2种以上的荧光体的发光进行分光而检测各自的信号强度，根据设定只向样本照射第一带电粒子束时的第一信号强度和只向样本照射第二带电粒子束时的第二信号强度的比率的机构的比率来处理信号。根据本发明，在同时向样本照射多个带电粒子束的情况下，也能够只提取出因希望的带电粒子束产生的信号。例如在FIB‑SEM装置中，能够在使用了二次电子的FIB加工中进行SEM观察。
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公开(公告)号：CN111971776B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880091722.9
申请日：2018-03-29
Applicant: 株式会社日立高新技术 , 一般财团法人日本精细陶瓷中心
IPC: H01J37/09
Abstract: 作为校正带电粒子束用的电磁透镜所具有的正的球面像差的装置，已知组合圆孔电极和圆环电极而得的球面像差校正装置。在该球面像差校正装置中，在向圆孔电极和圆环电极之间施加了电压时，由于圆孔电极产生的凸透镜效果，带电粒子束装置的焦点发生变化。因此，在具备产生带电粒子束的带电粒子束源(101)、具有圆环形状的带电粒子束光圈(120)、向带电粒子束光圈施加电压的带电粒子束光圈电源(108)的带电粒子束装置中，带电粒子束光圈电源向带电粒子束光圈施加极性与带电粒子束的电荷相反的电压。
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