公开(公告)号：KR1020090082520A

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020097014512

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

公开(公告)号：KR100910068B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020067021277

申请日：2005-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 본 발명은, 내부를 진공 배기가 가능하도록 한 처리 용기와, 상기 처리 용기내로 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 처리 용기내에 마련된 지지대와, 상기 지지대 상에 마련된 피처리체를 지지하기 위한 링 형상의 지지부와, 상기 지지부의 내측의 상기 지지대의 상면에 마련된 복수의 열전변환소자와, 상기 지지부로 지지되는 피처리체의 하면과 상기 지지대의 상면과 상기 지지부와의 사이에서 형성되는 소자 수용 공간내를 진공배기하는 소자 수용 공간 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020090045314A

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

公开(公告)号：KR1020090037438A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：KR1020097001760

申请日：2007-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256

Abstract: A microwave plasma source (2) is provided with a microwave outputting section (30) which outputs microwaves in a plurally divided state, and a plurality of antenna modules (41) for guiding the plurally divided microwaves into a chamber. Each antenna module (41) is provided with an amplifier section (42) having an amplifier (47) for amplifying the microwaves, an antenna section (44) having an antenna (51) for radiating the amplified microwaves into the chamber, and a tuner (43) for adjusting impedance in a microwave transmission path. The tuner (43) is integrally arranged with the antenna section (44) to be close to the amplifier (47).

Abstract translation: 微波等离子体源（2）设置有以多个分割状态输出微波的微波输出部（30）和用于将多个分割的微波引导到室内的多个天线模块（41）。 每个天线模块（41）设置有具有用于放大微波的放大器（47）的放大器部分（42），具有用于将放大的微波辐射到腔室中的天线（51）的天线部分（44） （43），用于调节微波传输路径中的阻抗。 调谐器（43）与天线部分（44）整体地布置成靠近放大器（47）。

公开(公告)号：KR100886505B1

公开(公告)日：2009-03-02

申请号：KR1020077013007

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100883695B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020087019232

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020080083062A

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：KR1020087019232

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.

Abstract translation: 一种基板加热装置，其能够将放置在具有加热装置（108）的装载台（104）上的基板加热到处理容器（102）中，所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分（202） 由第二材料形成的密封部分（204），其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料，以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分（206） 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料，可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度，从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。

公开(公告)号：KR100839678B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020037010721

申请日：2002-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 진공 흡인 가능한 처리 용기 내에 설치된 탑재대에 피처리체를 탑재하는 탑재 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도까지 온도를 높이는 승온 공정을 구비한 열 처리 방법에 관한 것이다. 상기 승온 공정의 적어도 일부에서, 상기 피처리체는 상기 피처리체의 중앙부의 온도가 높고 주연부의 온도가 낮은 온도 분포가 유지된 상태로 승온되도록 이루어져 있다.

公开(公告)号：KR1020080014036A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020077029159

申请日：2006-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/324

Abstract: A heat treating device comprising a treating room housing a substrate, a plurality of light sources provided above the treating room to respectively illuminate the substrate, a first reflector having an inner surface that forms a dome-shaped reflection surface and reflecting parts of lights output from respective light sources to lead them to the substrate, and a plurality of second reflectors respectively provided for respective light sources and reflecting/condensing lights from respective light sources to lead them to the substrate, characterized in that the reflection surface of each second reflector has part of a spheroidal surface or a curved surface approximate to it that surrounds a first focal point in order to form the first focal point at a position at which each light source is disposed and to form a second focal point on a side where the substrate is disposed.

Abstract translation: 一种热处理装置，包括容纳基板的处理室，设置在处理室上方以分别照射基板的多个光源;第一反射器，具有形成圆顶形反射面的内表面，并且反射部分从 各自的光源将它们引导到基板，以及多个第二反射器，分别设置用于各个光源，并且将来自各个光源的光反射/聚光以将它们引导到基板，其特征在于，每个第二反射器的反射表面具有 的球状表面或与其相邻的弯曲表面围绕第一焦点，以便在每个光源设置的位置处形成第一焦点，并在基板设置的一侧形成第二焦点 。

公开(公告)号：KR1020070116971A

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020077025383

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H05B6/66 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H03B28/00 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32311 ,  H05B6/686 ,  H05B6/705 ,  H05H1/46

Abstract: A microwave generating apparatus is provided with a switch signal generating section for generating a square wave switch signal having a fundamental frequency of a microwave band; a switching power amplifying section for performing switching power amplification based on the switch signal and outputting an amplification signal; a variable voltage supplying section for variably supplying the switching power amplifying section with a drive voltage for amplification; a microwave selecting section for taking out a sinusoidal signal having the same frequency as the fundamental frequency of the switch signal, from the amplification signal, and outputting the sinusoidal signal as microwave; an output signal detecting section for detecting the microwave; and a drive voltage control section for controlling the variable voltage supplying section based on the detection results of the output signal detecting section.

Abstract translation: 微波发生装置设置有用于产生具有微波频带的基频的方波开关信号的开关信号产生部分; 开关功率放大部分，用于基于开关信号执行开关功率放大并输出放大信号; 可变电压提供部分，用于可变地向开关功率放大部分提供用于放大的驱动电压; 微波选择部分，从放大信号中取出具有与开关信号的基频相同的频率的正弦信号，并输出正弦信号作为微波; 输出信号检测部分，用于检测微波; 以及驱动电压控制部分，用于基于输出信号检测部分的检测结果来控制可变电压提供部分。