公开(公告)号：KR1020040089371A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020030023458

申请日：2003-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  박화선 ,  이석 ,  우덕하 ,  이종창

IPC: G02B6/13

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating epi-layer of an InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator having high phase modulation efficiency is provided to reduce the manufacturing cost and enhance the reliability by using a semiconductor including chemical compounds of a third and a fourth group. CONSTITUTION: A first cladding layer(20) of N-InP is formed on an N¬+-Inp substrate(10). A first waveguide layer(30) of n-InGaAsP and a second waveguide layer(40) of p-InGaAsP are formed on the first cladding layer sequentially. A second cladding layer(50) of P-InP and a third cladding layer(60) of P-InP are sequentially formed on the second waveguide layer. A p+-InGaAs electrode layer(70) is formed on the third cladding layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有高相位调制效率的InGaAsP / InP脊波导相位调制器的外延层的方法，以通过使用包括第三和第四组的化合物的半导体来降低制造成本并提高可靠性。 构成：N-InP衬底（10）上形成N-InP的第一覆层（20）。 n-InGaAsP的第一波导层（30）和p-InGaAsP的第二波导层（40）依次形成在第一覆层上。 P-InP的第二包层（50）和P-InP的第三包层（60）依次形成在第二波导层上。 在第三包覆层上形成p + -InGaAs电极层（70）。

公开(公告)号：KR1020040083119A

公开(公告)日：2004-10-01

申请号：KR1020030017651

申请日：2003-03-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  김재헌 ,  이석 ,  김선호

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A sample fixing apparatus for adhering a semiconductor wafer is provided to adhere various kinds of wafers within a wide range of temperature by using four blocks and three combination bolts. CONSTITUTION: A holder(30) includes a loading part on which a wafer sample(40) is loaded. Bolt holes are formed at the holder in order to fix the wafer sample. A lower substrate(50) is located at a lower part of the holder. Bolt holes are formed at the lower substrate in order to fix the wafer sample. A pressing member(20) is located at an upper part of the wafer sample and is projected to an upper part of the holder. An upper substrate(10) is in contact with a projected part of the pressing member. Bolt holes are formed at the upper substrate in order to fix sample. A plurality of combination bolts(60) are inserted into each hole of the holder, the lower substrate, and the upper substrate.

Abstract translation: 目的：提供用于粘附半导体晶片的样品定影装置，通过使用四个块和三个组合螺栓在宽的温度范围内粘附各种晶片。 构成：保持器（30）包括加载有晶片样品（40）的装载部件。 在保持器上形成螺栓孔，以固定晶片样品。 下基板（50）位于支架的下部。 在下基板上形成螺栓孔，以固定晶片样品。 按压构件（20）位于晶片样品的上部并且被突出到保持器的上部。 上基板（10）与按压部件的突出部分接触。 为了固定样品，在上基板上形成螺栓孔。 多个组合螺栓（60）插入保持器，下基板和上基板的每个孔中。

公开(公告)号：KR100368789B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020000005561

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강병권 ,  이석 ,  박윤호 ,  김선호 ,  우덕하 ,  최원준 ,  변영태 ,  한일기 ,  김회종

IPC: G01B9/00

Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型器件的截面反射率的方法，以通过使用光学电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传输从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型滤波器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成旋光器（14）以控制激光束的路径。 光检测器（16）与旋光器（14）连接以测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。

公开(公告)号：KR1020010103086A

公开(公告)日：2001-11-23

申请号：KR1020010058131

申请日：2001-09-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김재헌 ,  변영태 ,  전영민 ,  이석 ,  우덕하 ,  김선호 ,  강광남

IPC: H03K19/14

CPC classification number: G02F3/00

Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＸＯＲ 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 광증폭기에 주입되는 전류와 입사되는 조사신호 및 펌프신호로 조절이 가능한 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현할 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 XOR 논리소자의 구현방법은, 두개의 반도체 광증폭기에 펌프신호와 조사신호를 같이 입사시켜 상기 반도체 광증폭기의 이득포화와 파장변환에 의해 생기는 인버터 특성의 출력신호를 합하여 전광 XOR 논리소자의 동작특성을 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현하기 때문에 광섬유에 기반을 둔 소자들보다 안정적이고 다른 논리소자와의 결합이 용이하며, 클록 신호를 만들어 줄 필요가 없으므로 논리소자의 규모 및 속도 제한이 크게 줄어드는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020010077665A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005618

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  이석 ,  우덕하 ,  이재하 ,  김선호 ,  한일기 ,  김회종 ,  최원준 ,  김재헌

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A mounting technology of a semiconductor optical device for anti-reflection coating is provided to perform the mounting technology in a stable and identical condition by preventing a sample from damaging in the anti-reflection coating. CONSTITUTION: A spacer(20), a fixing plate(30) and the second stainless(40) is deposited on the first stainless(10) in turns. A holder coupling unit(50) couples from the second stainless(40) to the first stainless(10) via each hole. A sample fixing unit(55) couples from the second stainless(40) to the fixing plate(30) via each hole. A laser bar(60) is extended at a level with the spacer(20) between the fixing plate(30) and the first stainless(10). The area size of the second stainless(40) is less than that of the first stainless(10).

Abstract translation: 目的：提供用于防反射涂层的半导体光学装置的安装技术，以通过防止样品在抗反射涂层中的损坏来以稳定和相同的状态执行安装技术。 构成：间隔件（20），固定板（30）和第二不锈钢（40）轮流沉积在第一不锈钢（10）上。 保持器联接单元（50）经由每个孔从第二不锈钢（40）连接到第一不锈钢（10）。 样品定影单元（55）经由每个孔从第二不锈钢（40）耦合到固定板（30）。 激光棒（60）在固定板（30）和第一不锈钢（10）之间的间隔件（20）的水平面上延伸。 第二不锈钢（40）的面积小于第一不锈钢（10）的面积。

公开(公告)号：KR1020010077635A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005561

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강병권 ,  이석 ,  박윤호 ,  김선호 ,  우덕하 ,  최원준 ,  변영태 ,  한일기 ,  김회종

IPC: G01B9/00

Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型装置的截面反射性的方法，以便通过使用光电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传送从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型过滤器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成光旋转器（14），以控制激光束的路径。 光学检测器（16）与光学旋转器（14）连接，以便测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接，以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。

公开(公告)号：KR1019950001938A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019930011279

申请日：1993-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박경현 ,  김선호 ,  변영태 ,  김동환 ,  최상삼

IPC: H01L21/308

Abstract: 본 발명은 레이저 리소그파피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법에 관한 것으로, 종래의 네가티브패턴 제작은 정확한 제어나 좋은 대비를 얻기 위해 AZ5200 포토레지스트 시리즈가 사용된다. 그러나 이는 일반적인 포토레지스트보다 값이 비싸고, 제조공정시 가벼운 열처리과정과 역열처리과정을 거쳐야 하므로 제작과정이 복잡하며 열처리조건이 상당한 영향을 받아 제작에 많은 어려움이 있으며, 0℃에서 보관해야 하므로 보관상에 어려움이 있는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 네가티브 패턴 제작시 사용되는 포토레지스트를 일반적인 포지티브 포토레지스트를 사용할 수 있어 가격이 저렴할 뿐 아니라 역열처리 과정등 까다로운 조건없이도 쉽게 제작할 수 있고, 마스크 제작시간의 단축과 폐곡선 및 특수형태의 마스크 제작에 유용하게 사용할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR101984246B1

公开(公告)日：2019-05-30

申请号：KR1020170120464

申请日：2017-09-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 전영민 ,  전영인 ,  문병혁 ,  서민아 ,  이택진 ,  김재헌 ,  변영태 ,  이석

IPC: H01S3/11

公开(公告)号：KR101936841B1

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：KR1020170031263

申请日：2017-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  이동진 ,  김선호 ,  전영민

IPC: A61B5/053

公开(公告)号：KR1020180104462A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020170031259

申请日：2017-03-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  최선우 ,  이동진

IPC: G01N27/12 ,  G01N33/00

CPC classification number: C08J3/28 ,  C08J5/00 ,  G01N27/12

Abstract: 본발명은플루오르화란탄(Lanthanum Fluoride, LaF) 나노입자가고정된탄소나노튜브를포함하는가스센서용감지물질및 그제조방법, 그리고상기감지물질을포함하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 상기감지물질을이용함으로써전해질없이도 F가스에대한감도및 선택성이우수한가스센서를제공할수 있다. 또한, 본발명에따른가스센서는 F가스의농도측정이가능하며, 히터사용없이상온에서동작이가능해소비전력이최소화되는효과가있고, 소형화가가능해휴대용으로사용될수 있다.