公开(公告)号：KR1020140008942A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020120076759

申请日：2012-07-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  최원국

IPC: D01F9/14 ,  D01F1/10 ,  D01D1/02 ,  D01F9/22

CPC classification number: D01F9/225 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/20 ,  C01P2004/17 ,  C08K3/04 ,  C08K3/043 ,  C08K5/20 ,  C08K7/06 ,  D01F9/145 ,  D01F9/16 ,  D01F9/22 ,  D10B2101/12 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842

Abstract: The present invention relates to a graphene carbon fiber composition and a method for manufacturing a high-performance carbon fiber using the same. The present invention manufactures the graphene carbon fiber composition including graphene in nano size, and provides the method manufacturing a carbon fiber capable of reducing a graphitization temperature of the high-performance the carbon fiber (graphite fiber) using the same. [Reference numerals] (AA) Graphene (Seed); (BB) Graphitization; (CC) PAN/pitch (Carbon source); (DD) Graphite (Nanoribbon phase)

Abstract translation: 石墨烯碳纤维组合物及其制造方法技术领域本发明涉及石墨烯碳纤维组合物及其制造方法。 本发明制造了包括纳米尺寸的石墨烯的石墨烯碳纤维组合物，并且提供了使用该碳纤维能够降低高性能碳纤维（石墨纤维）的石墨化温度的碳纤维的方法。 （AA）石墨烯（种子）; （BB）石墨化; （CC）PAN /沥青（碳源）; （DD）石墨（Nanoribbon phase）

公开(公告)号：KR101351336B1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：KR1020110102494

申请日：2011-10-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  손동익 ,  권병욱

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L31/035218 ,  B01J13/02 ,  B82Y40/00 ,  H01G9/204

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 나노카본을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-나노카본 핵-껍질 일체형 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 자외선 태양전지 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 태양전지의 광흡수층으로 적용하는 경우 전자의 흐름을 빠르게 하고 정공의 흐름은 억제하여 광전환 효율이 우수한 특성을 나타낼 수 있는 핵-껍질 일체형 양자점과 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101284587B1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020120052679

申请日：2012-05-17

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오영제 ,  이칠형 ,  최원국 ,  이전국 ,  노영수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: PURPOSE: A p-type transparent oxide semiconductor, a transistor having the same, and a method for manufacturing the same are provided to have high transmittance necessary for transparent display production and to be used for various semiconductor devices including a transparent flexible substrate. CONSTITUTION: An insulating layer (11) is formed on a gate substrate (10). A channel layer (12) including a p-type transparent oxide semiconductor is formed on the insulating layer. The p-type transparent oxide semiconductor includes a tin oxide compound. A source electrode (13) and a drain electrode (14) are formed on the insulating layer. The source electrode is separated from the drain electrode. [Reference numerals] (10) Gate substrate; (11) Insulating layer; (12) Channel layer; (13) Source electrode; (14) Drain electrode

Abstract translation: 目的：提供p型透明氧化物半导体，具有该晶体管的晶体管及其制造方法，以具有透明显示制造所需的高透射率，并用于包括透明柔性基板的各种半导体器件。 构成：在栅极基板（10）上形成绝缘层（11）。 在绝缘层上形成包括p型透明氧化物半导体的沟道层（12）。 p型透明氧化物半导体包括氧化锡化合物。 源电极（13）和漏电极（14）形成在绝缘层上。 源极与漏电极分离。 （附图标记）（10）栅极基板; （11）绝缘层; （12）通道层; （13）源电极; （14）排水电极

公开(公告)号：KR1020130042719A

公开(公告)日：2013-04-29

申请号：KR1020110106765

申请日：2011-10-19

Applicant: (주)와이에스썸텍 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 이재경 ,  정상헌 ,  신길용 ,  조민철 ,  최원국 ,  박동희 ,  양정도

IPC: C23C14/26 ,  H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A metalizing device including a linear evaporating source is provided to minimized residues by compensating temperature differences generated in moving processes of vaporized material at a final step. CONSTITUTION: A metalizing device including a linear evaporating source comprises a source storing unit, a source supplying unit, and a linear evaporation source. A source is stored in the source storing unit. The source supplying unit supplies the source. The linear evaporation source vaporizes the source and metalizes the source to a substrate after converting the source into an evaporation source.

Abstract translation: 目的：提供一种包括线性蒸发源的金属化装置，通过补偿在最终步骤中汽化材料的移动过程中产生的温度差异来最小化残留物。 构成：包括线性蒸发源的金属化装置包括源储存单元，源供应单元和线性蒸发源。 源存储在源存储单元中。 源供应单元提供源。 在将源转换成蒸发源之后，线性蒸发源蒸发源并将源金属化成衬底。

公开(公告)号：KR101255524B1

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：KR1020110062861

申请日：2011-06-28

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  주식회사 삼원진공

Inventor： 최지원 ,  손영진 ,  최원국 ,  윤석진 ,  정근

IPC: C23C14/34

Abstract: 본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 본 발명은 메인 챔버; 상기 메인 챔버의 내부에 설치되고, 기판이 고정되는 기판 홀더; 상기 메인 챔버의 내부에 설치되고, 타겟이 장착되는 복수의 스퍼터 건; 상기 메인 챔버의 내부에 설치되고, 프리-스퍼터링 시 타겟의 오염을 방지하는 셔터를 포함하는 셔터 조립체; 상기 스퍼터 건과 기판의 거리 조절이 가능하도록, 상기 스퍼터 건을 이동시키는 거리 조절수단; 및 상기 스퍼터 건의 전단부에 설치되어, 스퍼터 건의 전단부와 셔터 조립체의 셔터를 내장시키며, 상기 셔터가 출입되는 출입부가 형성된 오염방지 쉴드 챔버를 포함하는 스퍼터링 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 박막 형성 장치로서의 기능을 할 뿐만 아니라, 빠른 시간 내에 조성을 탐색할 수 있는 장치로 사용될 수 있다. 또한, 프리-스퍼터링 시 타겟 간의 상호오염을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120097451A

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：KR1020110015507

申请日：2011-02-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  윤석진 ,  최원국 ,  김진상 ,  강종윤 ,  장호원 ,  정근

IPC: H01B1/08 ,  H01B5/14 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive composition is provided to have excellent conductivity, low resistance, and optical transmittance by doping with a specific composition ratio. CONSTITUTION: A transparent conductive composition comprises a composition with a chemical formula of AlxZn(1-x)O. In the chemical formula, 0.04

Abstract translation: 目的：提供透明导电组合物以通过以特定组成比掺杂以具有优异的导电性，低电阻和光透射率。 构成：透明导电组合物包含具有化学式Al x Zn（1-x）O的组合物。 在化学式中，0.04 <= x <= 0.063。 透明导电薄膜的靶包含具有化学式的组合物。 透明薄膜包含具有化学式的组合物，透光率为90％以上，电阻率为10 ^（ - 3）Ω·cm以下。 透明薄膜的制造方法包括获得目标的步骤和在室温下通过溅射蒸发靶的步骤。

公开(公告)号：KR101139788B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020100012528

申请日：2010-02-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이전국 ,  민형섭 ,  최원국 ,  오영제

IPC: H01M10/36

Abstract: 본 발명은 Sn 또는 Ce 이온이 첨가된 용해 납 레독스 흐름 배터리용 전해액을 제공한다. 또한, 본 발명은 양극 및 음극을 포함하는 셀과, 상기 전해액을 저장하는 탱크 및 상기 전해액을 셀 내로 순환시키는 펌프를 포함하는 용해 납 레독스 흐름 배터리를 제공한다.

公开(公告)号：KR100973172B1

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020080076710

申请日：2008-08-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  박동희 ,  이상엽 ,  손동익 ,  최지원

IPC: H01L33/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L51/5036 ,  C09K11/02 ,  C09K11/883 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2251/564 ,  H05B33/10

Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, p-형 고분자 입자들 주위에 엑시톤 결합 센터인 진성(intrinsic) 반도체 나노결정들이 균일하게 등방적 분포되고 그 주위를 n-형 저분자 입자들이 둘러싸는 pin 구조의 단일 활성층을 가지는 교류 전압 구동형 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 발광소자에서는 고분자-반도체 나노 복합체를 이용한 핵-껍질 구조의 활성층이 정방향과 역방향의 전압 인가시에 같은 전류-전압 특성을 보이는 역대칭(inversion symmetry) 특성을 가진다. 따라서, 이러한 역대칭 특성에 의해 본 발명의 발광소자는 교류 전압으로 구동이 가능하다. 또한 교류 전압을 사용하여 구동될 수 있으므로, 기존의 직류 전압 구동형 유기물 발광다이오드가 가지는 문제점, 즉 과전류(overcurrent)에 의한 소자의 파괴 또는 결함, 국부적인 구성 유기 물질의 퇴화에 의한 다크 스폿(dark spot)의 생성 등의 문제점이 해결된다.
핵, 껍질, 고분자, 반도체, 나노, 복합체, 양자점, 일체형, 역대칭, 교류 구동, 발광소자, 발광다이오드, 단일 활성층, 투명전극, 양방향 전계 방출

公开(公告)号：KR100745811B1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：KR1020050085225

申请日：2005-09-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  노영수 ,  이정욱

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 p형 산화아연(ZnO) 박막 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 광전소자 제조방법에 관한 것으로서, Ⅴ족 원소가 도프된 p형 ZnO 박막을 형성하는 단계와, 상기 p형 ZnO 박막의 산소결핍에 의한 n형 성질이 보상되도록, 산소분위기에서 상기 p형 ZnO 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 p형 ZnO 박막 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기한 p형 ZnO 박막 제조방법을 채용한 광전소자 제조방법도 제공한다.
산화아연(ZnO), 열처리(annealing), 비소(As), 광전소자(opto-electronic device), 발광 다이오드(light emitting diode: LED), 레이저 다이오드(laser diode)

公开(公告)号：KR100714974B1

公开(公告)日：2007-05-04

申请号：KR1020060044936

申请日：2006-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원국 ,  최지원 ,  박흥천 ,  송종한

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265

Abstract: 본 발명은 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법에 관한 것이다. 더 자세하게는 산화아연 박막에 주입된 코발트 클러스터에 수백 MeV의 고에너지를 가진 중(重)이온을 소정의 이온선량으로 조사하여 단시간 내에 상기 코발트 클러스터를 분해시킨 다음 산화아연의 격자 내에 고용시킴으로써 우수한 강자성 특성을 나타내는 코발트가 주입된 산화아연 박막을 상온에서 제작하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 산화아연 박막을 플라즈마 보조 분자선 증착법(plasma assisted molecular beam epitaxy, PA-MBE)으로 단결정 기판 위에 증착하는 단계와; 상기 증착된 산화아연 박막에 코발트 이온을 소정 이온선량으로 주입하는 단계와; 상기 코발트가 주입된 산화아연 박막에 상온에서 고에너지를 가진 중이온을 소정 이온선량으로 조사하는 단계를 포함하는 상온에서의 강자성 산화아연 반도체 박막 제작 방법이 제시된다.
코발트 주입 산화아연 반도체, 은 이온 조사, 자화이력, 항전계, 강자성, DMS(diluted magnetic semiconductor)

Abstract translation: 本发明涉及一种在室温下制造铁磁氧化锌半导体薄膜的方法。 更特别是在以下的氧化锌的晶格优良铁磁通过就业照射（重）与几百MeV的高能量的离子与钴簇通过在短时间内分解钴簇注入到氧化锌薄膜具有预定的离子剂量的 本发明涉及一种在室温下制造掺杂有钴的氧化锌薄膜的方法。