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公开(公告)号：KR100789922B1
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020060118985
申请日：2006-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/665
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device manufactured using the same are provided to form a semiconductor device to which a metal silicide is adopted without a space structure by forming a gate electrode with a conductive compound. A gate dielectric is formed on a substrate(10). A conductive compound, which is not reacted with a metal layer to be formed through a subsequent process, is formed on the gate dielectric. The conductive compound and the gate dielectric are etched to form a gate electrode(12A). The metal layer is formed on a top of the substrate including the gate electrode. The metal and silicon contained in the substrate are reacted to form a source and drain region(14) comprised of a metal silicide layer on the substrate exposed at both sides of the gate electrode. After forming the metal silicide layer, the remaining metal layer which is not reacted with the silicon is removed.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法和使用其制造的半导体器件，以形成通过形成具有导电化合物的栅电极而不具有空间结构的金属硅化物的半导体器件。 在基板（10）上形成栅极电介质。 在栅极电介质上形成导电化合物，其不与通过后续工艺形成的金属层反应。 蚀刻导电化合物和栅极电介质以形成栅电极（12A）。 金属层形成在包括栅电极的基板的顶部上。 包含在基板中的金属和硅被反应以形成由栅极电极的两侧露出的基板上的金属硅化物层构成的源区和漏区（14）。 在形成金属硅化物层之后，除去未与硅反应的剩余金属层。
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公开(公告)号：KR1020070083377A
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020060016665
申请日：2006-02-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y20/00 , H01L33/18 , Y10S438/962 , Y10S977/773 , Y10S977/774
Abstract: A semiconductor light emitting device using silicon nano dots is provided to improve contact force and an electrical characteristic between an electron injection layer and a transparent conductive electrode by forming a metal layer including a metal nano dot between the electron injection layer and the transparent conductive electrode. A light emitting layer(20) emits light. A hole injection layer(10) is formed in the light emitting layer. An electron injection layer(30) is formed in the light emitting layer to confront the hole injection layer. A metal layer(40) includes metal nano dots formed in the electron injection layer. A transparent conductive electrode(50) is formed in the metal layer. The light emitting layer can include an amorphous silicon nitride including silicon nano dots.
Abstract translation: 提供使用硅纳米点的半导体发光器件，通过在电子注入层和透明导电电极之间形成包括金属纳米点的金属层，来提高电子注入层和透明导电电极之间的接触力和电特性。 发光层（20）发光。 在发光层中形成空穴注入层（10）。 在发光层中形成电子注入层（30），以面对空穴注入层。 金属层（40）包括在电子注入层中形成的金属纳米点。 在金属层中形成透明导电电极（50）。 发光层可以包括包含硅纳米点的非晶氮化硅。
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公开(公告)号：KR1020060064477A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050052859
申请日：2005-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L51/52 , H01L51/5206
Abstract: 본 발명은 발광 소자 및 발광 소자의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 발광 소자에서 무기 발광 소자는 투명 전극과 접촉되는 상부 도핑층에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 투명 전극과 상부 도핑층과의 접촉력을 향상시킨 것이고, 또한, 본 발명에 따른 발광 소자에서 유기 발광 소자는 투명 전극이 접촉되는 기판, 특히 플라스틱 기판 상부에 산화막, 질화막 또는 금속막을 형성시킨 후 플라즈마 처리하여 플라즈마 식각층을 형성하여 기판과 투명 전극과의 접촉력을 향상시킨 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 발광 소자는 투명 전극의 접촉력을 개선시킴으로써 층분리를 방지하여 발광 소자의 효율을 개선시키면서 동시에 생산 수율을 향상시킨다.
발광, 소자, 플라즈마, 접촉력-
公开(公告)号：KR1020060064460A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050037623
申请日：2005-05-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/465 , H01L33/34 , H01L33/38
Abstract: DBR (Distributed Bragg Reflector)과 n형 도핑층, p형 기판 구조물을 채용한 고효율의 실리콘 발광 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 메사(mesa)형 p형 기판 구조물이 형성된 기판을 구비한다. 기판상에는 활성층이 형성된다. 활성층은 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가진다. 활성층의 제1 면에는 제1 반사층이 대향하고 있다. 활성층의 제2 면에는 제2 반사층이 대향하고 있다. 제2 반사층은 p형 기판 구조물을 사이에 두고 그 양측에 위치되어 있다. 활성층과 제1 반사층과의 사이에는 n형 도핑층이 개재되어 있다. 제1 전극이 n형 도핑층에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다. 그리고, 제2 전극이 p형 기판 구조물에 전기적으로 연결 가능하게 형성되어 있다.
실리콘 발광 소자, DBR, n형 도핑층, p형 기판 구조물, 실리콘 나노점-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060014476A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：KR1020040063025
申请日：2004-08-11
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극-
公开(公告)号：KR100540595B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020030091013
申请日：2003-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/24
Abstract: 본 발명은 나비 넥타이형 안테나와 집광 회절격자를 이용하여 높은 집속효과와 회절한계(λ/2) 이하의 미세 초점을 구현할 수 있어 정보 용량의 대형화를 이룰 수 있는 새로운 구조의 광 정보 기록 헤드를 제공한다. 이를 통해, 정보 기록용량의 대형화를 만족시킬 수 있으며 광 정보 기록헤드의 소형화로 기록속도 향상을 이룰 수 있다.
나비 넥타이, 집광 회절 격자, 기록헤드-
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公开(公告)号：KR1020030072528A
公开(公告)日：2003-09-15
申请号：KR1020020011404
申请日：2002-03-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/84
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate is provided to be capable of reducing manufacturing costs and increasing the area. CONSTITUTION: A buffer layer(11) made of an aluminum nitride(AlN) film is formed on a silicon substrate(10) for buffering lattice mismatch by using MBE(Molecular Bean Epitaxy). An oxide layer(11a) is formed on the buffer layer(11) by performing thermal oxidation processing. A nitride layer(12) is formed on the oxide layer(11a). Then, the silicon substrate(10) is removed.
Abstract translation: 目的：提供一种制造氮化物半导体衬底的方法，以能够降低制造成本并增加面积。 构成：通过使用MBE（Molecular Bean Epitaxy）在硅衬底（10）上形成由氮化铝（AlN）膜制成的缓冲层（11），用于缓冲晶格失配。 通过进行热氧化处理，在缓冲层（11）上形成氧化物层（11a）。 在氧化物层（11a）上形成氮化物层（12）。 然后，去除硅衬底（10）。
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公开(公告)号：KR1020020051212A
公开(公告)日：2002-06-28
申请号：KR1020000080800
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B7/124 , G11B7/1353 , G11B7/1387
Abstract: PURPOSE: An optical data storage device using an SIL(Solid Immersion Lens) and a waveguide diffraction grating coupler is provided to install an optical storage head device combining the waveguide diffraction grating coupler with the SIL and a cartridge, and to use an optical fiber for inducing light, thereby obtaining high storage density without polluting a head of an optical storage device and a storage medium. CONSTITUTION: A recording medium(101) rotates on the basis of the first rotation hub in a cartridge. One end of a rotary arm(102) is fixed into the second rotation hub in the cartridge. A flying head(104) is attached to a free end of the rotary arm, and writes data on the recording medium or reads the data from the recording medium. An optical waveguide is installed up to outside of the cartridge from the flying head. The rotary arm rotates within an angle where the rotary arm is capable of guiding the flying head up to an utmost inner track from an utmost outer track of the cartridge.
Abstract translation: 目的：提供使用SIL（固体浸没透镜）和波导衍射光栅耦合器的光学数据存储装置，以安装将波导衍射光栅耦合器与SIL和盒组合在一起的光存储头装置，并使用光纤 诱导光，从而获得高存储密度而不污染光学存储装置和存储介质的头部。 构成：记录介质（101）基于盒中的第一旋转毂旋转。 旋转臂（102）的一端固定在盒中的第二旋转毂中。 飞头（104）附接到旋转臂的自由端，并将数据写入记录介质或从记录介质读取数据。 光学波导从飞头安装到盒的外部。 旋转臂在旋转臂能够从盒的最外侧轨迹引导飞头到最大内轨的角度内旋转。
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