公开(公告)号：KR1020010055133A

公开(公告)日：2001-07-04

申请号：KR1019990056217

申请日：1999-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이원재 ,  유인규 ,  양일석 ,  유병곤 ,  조경익

IPC: H01L27/105

Abstract: PURPOSE: An Sr-Ba-Bi-Ta oxide ferroelectric film, a method for manufacturing the film and a capacitor providing Sr-Ba-Bi-Ta-oxide ferroelectric film are provided to form a phase in the low temperature relatively, lower a leakage current and acquire the characteristic of fatigue-free. CONSTITUTION: The ferroelectric film(22) includes elements, Sr, Ba, Bi, Ta and O. The ferroelectric film(22) is (SrxBa1-x)Bi2Ta2O9 film(the x is a real number and bigger than 0 and smaller than 1). The method includes fourth steps. The first step is to prepare a starting solution including elements, Ba, Sr, Bi, Ta and O. The second step is to form a film on a substrate by coating the solution. The third step is to dry the film formed on the substrate. The fourth step is to form a ferroelectric film(22) by performing a thermal treatment for crystallizing the film formed on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供Sr-Ba-Bi-Ta氧化物铁电薄膜，制造薄膜的方法和提供Sr-Ba-Bi-Ta-oxide铁电薄膜的电容器，以相对低温形成相位，降低泄漏 获得无疲劳的特点。 构成：铁电体膜（22）包括Sr，Ba，Bi，Ta和O.元素。铁电体膜（22）为（SrxBa1-x）Bi2Ta2O9膜（x为实数，大于0且小于1 ）。 该方法包括第四步骤。 第一步是制备包括元素Ba，Sr，Bi，Ta和O的起始溶液。第二步是通过涂覆溶液在基材上形成膜。 第三步是干燥在基板上形成的膜。 第四步骤是通过进行热处理使形成在基板上的膜结晶而形成铁电体膜（22）。

公开(公告)号：KR1019980050948A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069796

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  이진호 ,  유병곤 ,  조경익

IPC: H01J1/30

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
제어 트랜지스터를 가진 전계 방출 소자 및 그 제조 방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 전자원 장치(electron source device)에 관한 것으로, 제어 트랜지스터를 가진 실리큰 전계 방출 소자를 제공하여, 전자원 장치에서 전자방출의 용이한 제어, 전자방출 특성의 안정화 및 균일성 제고, 소자 파손(failure)을 억제하기 위한 것이다. 또한, 제안된 전계 방출 소자를 저온 공정으로 유리 기판 위에 제조할수 있는 방법을 제공하여, 반도체 공정을 이용한 저가격 및 대면적의 전자원 장치의 제조 방법을 제공한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명의 전계 방출 소자는 절연성 기판 위에 실리콘 전계 방출 소자와 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 실리콘 전계 방출 소자의 캐소드 전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스는 전기적으로 서로 연결되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 및 드레인에 인가되는 전압을 조정함으로써 상기 전계 방출 소자의 방출 특성을쉽게 제어할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
마이크로파 소자 및 센서, 평판 디스플레이 등의 전자원으로 이용되는 전계 방출소자

公开(公告)号：KR1019970053223A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950048734

申请日：1995-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  강승열 ,  유병곤 ,  백종태

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 0.18㎛급 이상의 차세대 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 공정장비에 있어서 증착 또는 식각공정 중에 비접촉식 방법으로 구리, 알루미늄, 티타늄 등과 같은 불투명한 금속박막의 두께를 실시간으로 측정할 수 있는 장치에 측정방법에 관한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 레이저(17)에서 나오는 기준신호(reference signal)(28)와 증착 또는 식각되는 금속박막에서 반사되어 나오는 빔의 두께 변화에 대한 신호(27)를 위상감지기(phase detector)(27)에서 검출하고, 위상비교기(29)에서 그 위상차(phase difference)를 비교하고, 경사조절 반사경(20)의 각도를 조절하여 웨이퍼(6) 위의 여러지점에서 구리, 알루미늄, 티타늄과 같은 불투명한 금속박막의 두께를 감지할 수도 있도록 구성하고, 실시간으로 감지해상도가 2.5㎚로 향상되고 허용균일도에 미치는 영향이 적은 비접촉식 광학 헤테로다인 감지(optical heterodyne detection) 방법을 사용하였다.
본 발명은 반도체 공정장비에 있어서 증착이나 식각되는 공정중에 금속박막의 여러지점에 대해 비접촉식 방법으로 두께변화의 측정이 항상 가능한 장치를 제공함으로써, 반도체 제조공정의 안정화와 생산수율을 향상시킬 수 있으므로, 반도체 공정장비의 신뢰성을 높이는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970052828A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950053654

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  장원익 ,  강승열 ,  김광호 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 저유전율 박막 제조방법에 관한것으로, 불소계 원료개스를 사용하여 저유전율을 갖는 SiOF 저유전율 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명은 RPCVD 장치의 반응로에 반도체기판을 실장하고 불소의 원료개스로서 SF
6 + N
2 O 혼합 개스 또는 SF
6 + O
2 혼합 개스를 주입하고 산화 실리콘(SiO)의 원료개스 로서 SiH
2 개스 또는 TEOS(OC
2 H
5 )
4 를 주입하여 반도체기판상에 SiOF 저유전율 박막을 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970009978B1

公开(公告)日：1997-06-19

申请号：KR1019930028483

申请日：1993-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  송윤호 ,  남기수

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

Abstract: A fabrication method of low-temperature oxide for forming a gate is provided to form the low-temperature oxide of good quality. The method comprises the steps of: growing a first oxide layer(20) on a silicon wafer(10) by high-pressure oxidation at 600 deg.C in O2 gas; and depositing a second oxide layer(30) on the first oxide layer(20) by PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure CVD) or sputtering method at low-temperature less than 600 deg.C. Thereby, it is possible to increase mobility and decrease an oxidation time by forming the low-temperature oxide of good quality.2

Abstract translation: 提供用于形成栅极的低温氧化物的制造方法以形成质量好的低温氧化物。 该方法包括以下步骤：在氧气中在600℃下通过高压氧化在硅晶片（10）上生长第一氧化物层（20）; 以及通过PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子增强化学气相沉积），LPCVD（Low Pressure CVD）或溅射法在低于600℃的低温下在第一氧化物层（20）上沉积第二氧化物层（30）。 因此，可以通过形成质量好的低温氧化物来提高迁移率并减少氧化时间

公开(公告)号：KR100105536B1

公开(公告)日：1996-10-04

申请号：KR1019920025009

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 유병곤 ,  유종선 ,  노태문 ,  남기수

IPC: H01L21/314

公开(公告)号：KR1019940016581A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019920025009

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 유병곤 ,  유종선 ,  노태문 ,  남기수

IPC: H01L21/314

Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 유전체막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판상에 유전체막을 형성하는 공정과, 불소함유 가스를 유전체막으로 주입하여 유전체막과 실리콘 기판 사이의 계면에 불소가 주입되도록 하는 공정과, 불소주임된 실리콘기판을 열처리하는 공정을 포함한 것이다.

公开(公告)号：KR102169298B1

公开(公告)日：2020-10-26

申请号：KR1020170055380

申请日：2017-04-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  박영삼 ,  변춘원 ,  유병곤 ,  이종희 ,  이현구 ,  조남성

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR102090176B1

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：KR1020140009043

申请日：2014-01-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김주연 ,  이종희 ,  이정익 ,  추혜용 ,  오지영 ,  문제현 ,  박승구 ,  한준한 ,  이현구 ,  임종태 ,  유병곤

IPC: G02F1/155 ,  G02F1/15

公开(公告)号：KR102034177B1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：KR1020140009047

申请日：2014-01-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종태 ,  이정익 ,  추혜용 ,  안준태 ,  이종희 ,  한준한 ,  오지영 ,  유병곤 ,  문제현 ,  조남성

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56