公开(公告)号：DE102005006995B4

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：DE102005006995

申请日：2005-02-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: The component has plastic housing (6) comprising outer surfaces with an upper side and a lower side. Lower outer contact surfaces (13) are arranged on the lower side and upper outer contact surfaces (14) are arranged on the upper side. The housing has conducting paths, through which the surfaces (13) are electrically connected with the surfaces (14). The paths comprise a contacting path layer from an electrically conducting material. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor component with a plastic housing.

公开(公告)号：DE10359424B4

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：DE10359424

申请日：2003-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAIMERL ALFRED ,  BEER GOTTFRIED ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  MUELLER KLAUS ,  PRESSEL KLAUS ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L23/50 ,  B82B1/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01R13/60

Abstract: The present invention describes a rewiring plate for components with connection grids of between approx. 100 nm and 10 mum, which rewiring plate includes a base body and passages with carbon nanotubes, the lower end of the passages opening out into contact connection surfaces, and the carbon nanotubes forming an electrically conductive connection from the contact connection surfaces to the front surface of the base body.

公开(公告)号：DE102004035368A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：DE102004035368

申请日：2004-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAIMERL ALFRED ,  BEER GOTTFRIED ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  MUELLER KLAUS ,  PRESSEL KLAUS ,  MENGEL MANFRED

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50

Abstract: A substrate including strip conductors with a wiring pattern that connects contact areas to one another. The strip conductors have a small strip conductor width. The contact areas and/or the strip conductors form a narrow connection pitch and include electrically conductive carbon nanotubes.

公开(公告)号：DE10359424A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：DE10359424

申请日：2003-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAIMERL ALFRED ,  BEER GOTTFRIED ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  MUELLER KLAUS

IPC: B82B1/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01R13/60

Abstract: The present invention describes a rewiring plate for components with connection grids of between approx. 100 nm and 10 mum, which rewiring plate includes a base body and passages with carbon nanotubes, the lower end of the passages opening out into contact connection surfaces, and the carbon nanotubes forming an electrically conductive connection from the contact connection surfaces to the front surface of the base body.

公开(公告)号：DE10352887A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：DE10352887

申请日：2003-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED

IPC: B01L3/00 ,  B01J19/00 ,  B01L7/00 ,  C12M1/34 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/48 ,  G01N33/50

Abstract: Apparatus for copying and characterizing nucleic acids comprises a DNA sample module containing a sample chamber with a DNA chip and a heater (13). The heater is positioned on a substrate (15). A semiconductor memory (22) is also positioned on the substrate.

公开(公告)号：DE10310616B3

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：DE10310616

申请日：2003-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  KILLER THOMAS

IPC: G02B6/42

Abstract: The switching module (1) has a carrier (2) for switching elements with an electro-optical converter (3) at one end. A socket (4) with a bore (5) accommodates one end of the optical fiber, and there is an opto-electronic module (8) at its end. An optically active region (9) is mounted on an active support (10) with an electrical connection (26) to a contact surface for the electronic circuit.

公开(公告)号：DE10237403A1

公开(公告)日：2004-03-04

申请号：DE10237403

申请日：2002-08-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUNK NIKOLAUS ,  BEER GOTTFRIED ,  WITTL JOSEF

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/38 ,  G02B6/42 ,  H01L31/12 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H04B10/80 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L33/00 ,  H04B10/02

Abstract: An optoelectronic sender/receiver module comprises a sender and/or receiver chip (1) and a circuit chip on a carrier (7) in a housing (6) having an extension (62) along the optical axis (5) to couple with an optical plug. The carrier is parallel to the optical axis and thus forms a tongue-shaped region with the chips in the extension. An Independent claim is also included for an optical plug for the above.

公开(公告)号：DE10232788A1

公开(公告)日：2003-02-06

申请号：DE10232788

申请日：2002-07-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BEER GOTTFRIED ,  BERGMANN ROBERT ,  HONG HENG WAN JENNY

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L23/06 ,  H01L23/50 ,  H01L23/34 ,  H01L23/057 ,  H01L21/50

Abstract: The device has at least one semiconducting chip, flat conductors, a heat conducting block for a system carrier and a housing of a synthetic material, whereby the chip is mounted on the heat conducting block by its passive rear side. Inner flat conductor ends are arranged in the block region to overlap and the electronic component has an organoceramic insulation, adhesive and heat conducting coating between the ends and the block in the overlap region. The device has at least one semiconducting chip, flat conductors, a heat conducting block for a system carrier and a housing of a synthetic material, whereby the chip is mounted on the heat conducting block by its passive rear side. Inner flat conductor ends are arranged in the block region to overlap and the electronic component has an organoceramic insulation, adhesive and heat conducting coating (6) between the ends and the block in the overlap region. Independent claims are also included for the following: (a) a system carrier (b) a method of manufacturing a system carrier (c) and a method of manufacturing an inventive electronic component with semiconducting chip.

公开(公告)号：DE102014116382B4

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102014116382

申请日：2014-11-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  HOEGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  HOIER MAGDALENA

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

Abstract: Halbleitergehäuse (100; 300), umfassend:einen Formkörper (1; 301), der eine erste Hauptfläche (1A; 301A), eine der ersten Hauptfläche entgegengesetzte zweite Hauptfläche (1B; 301B) und Seitenflächen (IC; 301C) umfasst, welche die erste und zweite Hauptfläche verbinden;ein erstes Halbleitermodul (10), das eine Vielzahl von ersten Halbleiter-Transistorchips (11) und eine erste Einkapselungsschicht (12) umfasst, die über den ersten Halbleiter-Transistorchips (11) angeordnet ist;ein zweites Halbleitermodul (20), das über dem ersten Halbleitermodul (10) angeordnet ist, wobei das zweite Halbleitermodul (20) wenigstens einen zweiten Halbleiterchip (21) und eine zweite Einkapselungsschicht (22) umfasst, die über dem wenigstens einen zweiten Halbleiterchip (21) angeordnet ist; undeine Vielzahl von externen Verbindern (30; 325, 326), die sich durch eine oder mehrere der Seitenflächen (1C; 301C) des Formkörpers (1; 301) erstrecken, wobei der Formkörper (1; 301) durch die zweite Einkapselungsschicht (22) gebildet wird;eine Vielzahl von Halbleiter-Diodenchips (14); undeine Metallisierungsschicht (16), welche auf der ersten Einkapselungsschicht (12) aufgebracht ist und eine Vielzahl von metallischen Bereichen (16A) aufweist, welche elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiter-Transistorchips (11) und der Halbleiter-Diodenchips (14) bilden.

公开(公告)号：DE102015118633B4

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：DE102015118633

申请日：2015-10-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JUERGEN ,  HOIER MAGDALENA

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

Abstract: Integriertes Leistungsmodul (100), aufweisend:ein Leistungshalbleitermodul (102), aufweisend:einen ersten, auf eine metallisierte Seite (108, 118) eines Isolationssubstrats (110) aufgebrachten Leistungshalbleiterchip (106);eine erste Isolationsschicht (112), welche den ersten Leistungshalbleiterchip (106) einkapselt; undeine erste strukturierte Metallisierungsschicht (114) auf der ersten Isolationsschicht (112) und durch mindestens eine erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (116), die sich durch die erste Isolationsschicht (112) erstrecken, mit dem ersten Leistungshalbleiterchip (106) elektrisch verbunden;eine zweite Isolationsschicht (124) auf dem Leistungshalbleitermodul (102);eine zweite Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (128), die sich durch die zweite Isolationsschicht (124) zur ersten strukturierten Metallisierungsschicht (114) erstrecken; undein erster, in der zweiten Isolationsschicht (124) oder in einer Isolationsschicht über der zweiten Isolationsschicht (124) eingekapselter Logik- oder passiver Halbleiterchip (130),wobei der erste Logik- oder passive Halbleiterchip (130) durch mindestens die erste strukturierte Metallisierungsschicht (114) und die erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (116) mit dem ersten Leistungshalbleiterchip (106) oder mit einem anderen, im integrierten Leistungsmodul (100) angeordneten Halbleiterchip elektrisch verbunden ist,wobei der erste Logik- oder passive Halbleiterchip (130) ein erster Treiber-Halbleiterchip ist, der konfiguriert ist, ein Schalten des ersten Leistungshalbleiterchips (106) zu steuern.